静电场描绘仪的改进

传统的模拟法静电场描绘仪存在的缺陷,针对这些缺陷提出了改进方案.通过实验比较,改进后的描绘仪能很好地模拟描绘静电场,值得推广.     

“模拟静电场”实验中描绘仪的改进

将双层式静电场描绘仪改为单层式静电场描绘仪．电极从面接触改为线接触。     

模拟法描绘静电场实验中结果与理论不一致的探讨

对水槽式模拟法描绘静电场时出现的实验结果与理论不一致的原因进行了分析，并提出解决问题的方法。     

导电微晶静电场描绘仪的改进

分析了传统导电微晶静电场描绘仪存在的缺陷,通过对实验仪器进行改进,消除了由于探针装置及电路设计等问题引入测量的误差,实验结果表明,改进后描绘仪提高了模拟描绘静电场准确度,减少了实验系统误差。     

静电场描绘仪的改进

利用稳恒电流场在导体中的分布可以模拟静电场的分布．传统的静电场描绘仪存在着一系列缺陷,针对传统静电场描绘仪的不足作了部分的改进．通过实验比较,改进后的描绘仪能很好地模拟静电场．     

模拟法描绘静电场实验的讨论与改进

本文对大学物理学实验中大都采纳的静电场描述的实验方法进行了讨论，对实验中等电势线及电力线的描绘原则进行了分析，并针对实验中经常出现的电场偏移的处理方法提出了一定的改进意见，本文还对静电场描绘实验中电极形状的选择提出了一些建议。     

用模拟法研究静电场——静电场的等势线，电力线的描绘

用模拟法研究静电场──静电场的等势线，电力线的描绘乔卫平，陈新雷（上海交通大学２０００３０）静电场描绘是国内外理工类院校普遍开设的物理实验．通常做法是用稳恒电流场的电压模拟静电场的电势分布，而对电力线和电极的电荷密度分布基本不作讨论，或仅在电磁学理论...     

静电场描绘实验的教学改进研究

为了使学生学好静电场描绘实验课对此实验在讲义和操作中存在的三个问题：实验讲义的阐述思路不清晰、实验器材存在实际问题、实验操作缺少指导方法等,进行了分析与探讨,结合课堂教学和学生各种实际情况,提出了调整实验讲义的阐述思路、实验器材的选择要简洁可靠、教师要善于总结应对方法等改进办法。期望能对仪器厂商、教学同仁、在读学生有所借鉴。     

静电场描绘实验的研讨

引言 静电场描绘是国内外高等院校普遍开设的物理实验.由于直接描绘静电场存在很大困难,而稳恒电流场在导体中的分布规律--电流与电势差的分布规律和静电场中场强与电位差的分布规律可以用相同的数学关系式表达,所以通常是用稳恒电流场来模拟静电场.     

静电场场图描绘实验的剖析

简单形状带电导体组合的静电场分布可以用数学方程求解，而复杂形状的带电导体组合的静电场分布，虽然理论上都可用拉普拉斯方程求解，但实际计算相当复杂困难．如果直接用探讨测量静电电位，也会因探讨的引入破坏了原电场分布，使测量结果误差很大．所以，实际上常用稳恒电流场模拟静电场的方法来描绘静电场场图．教学中，具体应用的器材有电解槽，还有导电纸和导电玻璃．静电场场图描绘实验，除了要使学生了解静电场模拟基本原理、实验方法以及等位线、电力线的特性以外，还有一些重要问题，需要学生理解．如实验所描绘的对象是什么？测绘…     

基于MATLAB的静电场模拟

在静电场中引入电位和电场强度后,通过等电位线图和场强分布图可以具体的描述静电场这种抽象的物质场。传统的静电场模拟实验直观地展现出了静电场的分布从而形象地描述了静电场,由于这种方法属于类比模拟,所以存在一定的缺陷(比如不直接,不能描述立体规律等等)。随着计算机技术的发展,利用计算机技术来模拟静电场等物质场逐渐成为趋势。通过借鉴大量资料简要地介绍了如何利用计算机模拟静电场,如何利用MATLAB软件模拟静电场的问题。     

静电场描绘实验原理的简捷证明

静电场的描绘一般采用恒流电场模拟描绘,实验原理的证明和讲解是必要的,许多实验指导书上的证明过程不是过于繁琐就是不够清晰。提供了一种方法以供同行参考。     

静电场模拟实验中误差的研究

静电场模拟实验是非常典型的实验,但是在数据处理中会发现大量误差,本文定性的研究了电压表内阻来源对实验结果的影响,加深对静电场描绘总体思路的理解。     

新型快速多极边界元法求解电荷任意分布的二维静电场

在初始快速多极边界元法(FMM)基础上提出一种适合位势问题的新型快速多极边界元格式,并用于求解静电场问题.新型算法引入对角化概念,减少了形成局部展开系数的时间,提高计算效率.最后给出数值算例,证明了新型算法的计算精度及处理大规模问题的速度优势.     

MATLAB对静电场等势线的最小二乘描绘

用模拟法测绘静电场时,等势线是确定电场线的实验依据。利用MATLAB提供的工具,对测得的等势点进行曲线的最小二乘优化拟合并图形化,改善了传统手绘方法的人为不稳定因素,提高了实验的准确性。     

基于局部基本解法的静电场仿真分析

将局部基本解方法应用于静电场问题的模拟与分析。局部基本解方法是利用控制方程的基本解,基于局部理论和移动最小二乘原理提出的一种无网格算法。相比于有限元和有限差分等传统网格类方法,该方法仅需离散节点,避免了复杂的网格剖分难题。作为一种半解析数值技术,物理问题的基本解被作为插值基函数建立数值离散模型,从而保证了算法的较高精度。此外,与具有全局离散格式的无网格方法相比,局部基本解法更适用于高维复杂几何和大尺度模拟。二维和三维数值试验表明,该方法具有实施方便灵活,计算精度高和计算速度快等优势。为静电场仿真研究开辟新的途径,拓展了局部基本解方法的应用领域。     

木条演示电介质在静电场中的极化现象

介绍了用木条演示电介质在静电场中的极化现象的实验方法,指出了实验时要注意的问题     

静电场模拟描迹实验的误差分析和仪器改进

静电场模拟描迹实验是大学物理实验中非常典型的一个实验,在该实验中,误差的主要来源有探针的不同步,导电介质的导电性,电压表内阻等。本文通过描绘同轴圆柱电极板的等势线分布图,定量的研究了以上几种误差来源对实验结果的影响,找出了最佳的实验条件,并对实验仪器进行了改进,大大降低了实验的误差。     

一种针对弱场搜寻态冷极性分子的可控静电表面囚禁方案

提出一种使用带电金属环和六个球电极和一个外加偏置电场实现对冷极性分子静电囚禁的新方案.计算装载和囚禁时空间电场分布.囚禁中心距离芯片表面的高度可以通过外电场和环形电极所加电压来操控.蒙特卡罗模拟表明对于中心速度为15 m·s^-1的ND₃分子束,装载效率可以达到70%,得到冷分子的温度大约为45 mK.当继续增加偏置电场强度时,单阱分裂为对称的两个阱.如果同时改变球形电极上所加电压,得到不对称的两个阱,可以借此来调节两个阱中所囚禁的冷分子数目的比例.为了易于理解,用蒙特卡罗方法模拟了装载、囚禁、分裂冷分子波包的动力学过程.