MCM—C多层基板技术及其发展应用

本文系统阐述了MCM－C（陶瓷厚膜型多芯片组件）的三类多层基板的基本结构与工艺技术，并对MCM－C的发展趋势及应用进行了介绍。     

一种新型MCM基板——阳极氧化多层基板

采用电化学方法,对基板上的Ａｌ膜进行选择性阳极氧化,从而制得导带、通孔和介质,重复上述工序,便可制得多层布线基板。与常用多层布线基板,如ＭＣＭ－Ｃ、ＭＣＭ－Ｄ比较,它具有制作工艺简单独特、互连密度高,线径、间距和孔径更小,平面性好,绝缘电阻高等优点。     

MCM封装技术中的基板设计与分析

通过采用多芯片组件封装技术,将6种由不同集成电路工艺实现的不同类型的芯片集成在单个封装内,简化了系统设计,实现了产品小型化的目标。同时,还详细给出了Zeni EDA工具下的MCM基板设计流程以及MentorPCB环境下的多芯片组件热分析方法。     

MCM基板电测试技术

对于复杂的ＭＣＭ多层互连基板，电测试是控制成本、确保质量的关键环节。本文简要介绍了探针电阻、电容、电子束、潜在路缺陷电测试主其测试技术的应用。     

MCM用低介电常数多层陶瓷基板的研究

本文通过对制造低介电常数低温共烧多层陶瓷基板的低烧结温度，低价电常数的陶瓷材料进行的详细研究，着重讨论了影响介电常数的因素，制备出的多层陶瓷基板主要性能已接国外同类产品的性能。     

制造开关电路的MCM对基板尺寸的要求

文中就采用MCM制造开关电路时 ,对基板尺寸的要求进行了分析。     

MCM—C基板的设计与生产技术

介绍了高温共烧MCM－C基板的设计与生产技术,以及所解决的重点问题。     

多芯片组件的开发与应用现状

概述了ＭＣＭ的开发现状和发展趋势，分析了ＭＣＭ的特点，介绍了ＭＣＭ的应用情况，提出了加速发展ＭＣＭ的措施。     

实用化28层陶瓷基板的设计与制作

针对MCM技术发展的现状提出了采用新型技术设计制作超多层陶瓷基板的设计方法和工艺路线,介绍了多层布线软件的二次开发及制备过程中的互连孔冲制、复合孔化、高精度层压等技术,并对25～45层的超多层陶瓷基板的研究结果进行了总结和应用前景展望。     

多芯片组件（MCM）的热模拟研究

介绍了MCM的封装热阻及相应的几种热阻计算方法。利用有限元分析软件ANSYS对多芯片组件(MCM)进行了热模拟。在常用两种MCM结构的热流模型基础上，分析并比较了这两种热模型差异及对散热的影响。根据ANSYS模拟结果，讨论了空气流速、基板热导率及其厚度、芯片粘结层热导率及其厚度对MCM封装热特性的影响，分析了控制MCM封装内、外散热的主要因素。     

高导热多层陶瓷布线基板制造新技术

一般的多层陶瓷基板材料主要是Al2O3。由于Al2O3的导热率低，不适应电子产品小型化、电路高密度化的要求。迫切需要导热率高，散热性能良好的绝缘基板。     

依靠科技架长虹——阳极氧化多层布线基板工艺研究走红

在微电子领域中,以布线密度高、互连线短、体积小、重量轻及性能优良等特点为人们所关注的MCM组件,仍是21世纪电子技术发展的重点之一。而多层布线基板又是MCM的一个非常关键的组成部分。随着这些年不断地开发和研制,有机叠层基板、共烧陶瓷多层基板、淀积薄膜多层基板已发展得较成熟,混合多层基板和新出现的阳极氧化多层基板还在研制过程中。     

实用化28层陶瓷基板的设计与制作

针对 MCM技术发展的现状提出了采用新型技术设计制作超多层陶瓷基板的设计方法和工艺路线。介绍了多层布线软件的二次开发及制备过程中的互连孔冲制、复合孔化、高精度层压等技术 ,并对 2 5～ 45层的超多层陶瓷基板的研究结果进行了总结和应用前景展望。     

多芯片组件的热控制

多芯片组件热控制的任务在于有效控制温度以满足系统可靠性的要求。MCM的散热途径可分为内、外两部分,文中介绍了内热通路与外热通路的热控制方法,并提供了工业中实用热控制系统的概貌,着重考察了某些设计的热控制特色。     

多芯片组件基板制造技术

多层基板是制作ＭＣＭ的关键技术，本文主要介绍ＭＣＭ＿Ｃ、ＭＣＭ－Ｄ和ＭＣＭ－Ｄ／Ｄ三种ＭＣＭ的基板制作技术。     

MCM用氮化铝共烧多层陶瓷基板的研究

通过实验优化AlN(氮化铝)瓷料配方及排胶工艺,对共烧W(钨)导体浆料性能及AlN多层基板的高温共烧工艺进行了研究,并对AlN多层基板的界面进行了扫描电镜分析。采用AlN流延生瓷片与W高温共烧的方法,成功地制备出了高热导率的AlN多层陶瓷基板,其热导率为190 W/(m·K),线膨胀系数为4.6106℃1(RT~400℃),布线层数9层,W导体方阻为9.8 m,翘曲度为0.01 mm/50 mm,完全满足高功率MCM的使用要求。