电子辐照苎麻纤维引起结晶度和力学性能的变化

用BF-5直线加速器提供的电子束对苎麻纤维织物进行了0~500kGy范围不同剂量的辐照,使苎麻纤维的结晶度发生变化,采用X射线衍射仪(XRD)对辐照苎麻纤维的结晶度进行测试分析.并用材料万能试验机对辐照苎麻纤维织物的断裂强力、断裂伸长量等力学性能进行测试.研究表明:苎麻纤维的结晶度随辐照剂量增大而明显下降,苎麻纤维织物断裂强力、断裂伸长量均随辐照剂量增大而下降;苎麻纤维织物力学性能下降与电子束辐照降低了纤维结晶度有关.     

利用电子辐照退火法筛选抗辐射晶体管的研究

利用电子辐照退火法筛选抗辐射晶体管的研究林茂清（原子核科学技术研究所）随着空间技术和核技术的发展，半导体器件的核加固已取得不少成果．在制造工艺中加固的晶体管抗辐射平均水平有了较大提高．然而，由于材料和工艺的复杂性，即使用同一材料同时加固的同批晶体管，...     

NTD硅电子辐照缺陷的等时退火特性

本文研究了ＮＴＤ硅，经电子辐照缺陷的等时退火特必最五个缺陷能级，结果表明其中Ｅ３和Ｅ４级有比它三个能级的热稳定性更好。     

质子辐照与电子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响比较

利用地面实验室加速器提供的离子束模拟空间质子、电子辐射,分别对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行不同注量的辐照,并跟踪测试其电性能变化和深能级瞬态谱,研究这种太阳电池的电性能参数随质子、电子辐照注量的变化关系,得到质子、电子辐射效应及两者辐射效应的联系规律.结果表明:引起电池性能参数衰降相同时,1 MeV电子辐照注量比10 MeV质子的通常要大3个量级,质子辐照与电子辐照使电池性能参数Pmax下降了25%时,辐照注量有近似关系Φ1 MeV(e)≈2 500×Φ10 MeV(p).10 MeV,3×1012cm-2质子辐照在电池材料中引入Ec-0.18 eV和Ec-0.65 eV深能级,1 MeV,1×1015cm-2电子辐照在电池材料中引入Ec-0.12 eV和Ec-0.18 eV深能级,电子、质子辐照产生的损伤缺陷不尽相同.     

SiO2厚度对半导体器件的电子辐射效应的影响

研究了SiO2厚度对光电二极管的电子辐射效应的影响.制备了3种光电二极管,分别采用不同厚度热氧化SiO2作为光敏面钝化膜.以能量为0.8 MeV的电子束为辐射源,对3种光电二极管进行4个剂量的辐射.实验发现,辐照后光电二极管的光电流衰减强烈依赖波长,在短波和长波阶段衰减明显,而在中波阶段基本不衰减;暗电流变化率随着辐照剂量迅速增加.另外,薄钝化的二极管光电流衰减最小,同时暗电流增加最显著.     

表面和界面效应对纳米晶粒尺寸的影响

应用热力学方法，讨论了非晶晶化法制取纳米晶体时所得最小晶粒与晶化温度的关系．发现当退火温度为物体熔点的1／2时，可制得最小晶粒，而在此温度下，过冷液体与晶体之间的Gibbs自由能之差达到最大值．考虑到样品较薄时较为明显的表面效应，计算了金属样品厚度对晶粒最小尺寸的影响．结果表明，晶粒的最小限度不仅受晶化过程中自由能差的影响，还与晶体厚度有关．样品厚度越小，对生成的最小晶粒尺寸影响越大．     

电子辐照MgAl2O4透明陶瓷诱导缺陷退火行为的研究

作者用能量为 1.7MeV、束流强度 0 .7μA·cm-2 、总注量 6 .3× 10 16cm-2 的电子 ,辐照处理镁铝尖晶石透明陶瓷 ,并对辐照后的样品进行等时退火 ,利用UV VIS和PAT测试表明 ,经电子辐照处理的样品在2 37nm和 370nm处产生主要是由F心及V型色心引起的吸收带 .通过退火可以消除由F心及V型色心引起的吸收峰 ,但消除F心的消除温度要高于V型色心 ,且在退火过程中形成F聚集心 ,F聚集心随F心聚集的增加将使其峰位向紫外移动     

电子辐照高阻NTD硅中缺陷的退火特性

本文研究了高阻（８０－１１０Ω．ｃｍ）ＮＴＤ－ＦＺ－Ｓｉ－Ｐ＾＋ｎ结中经电子辐照缺陷态在真空条件下的等时,等温退火特性,获得了５个缺陷能级,结果表明其中,Ｅ３,Ｅ４,能级是主要的复合中心。     

热处理对电子辐照硅中多稳态缺陷的影响

利用深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）对电子辐照区熔硅中多稳态缺陷进行研究的结果表明，经２ｈ１０００℃温度退火后，观测到在Ｅｃ－０．４４ｅＶ能级中的多稳组态由４０％减少到１０％左右。这一实验结果为稳态缺陷不是Ｐｓ－Ｃｉ结构，而是Ｅ中心自身在晶场应力下显示稳态特性的设相提供了有说服力的证明。     

10 MeV高能电子辐照对4H-SiC晶体结构和电学性质的影响

本文研究了10 MeV电子辐照对4H-SiC的晶体结构和电学性能的影响.X射线衍射和拉曼光谱分析结果表明:1.29×1019、2.60×1019和3.90×1019 cm-2的电子辐照剂量对样品的晶体结构和晶型无显著影响,剂量达到5.20×1019 cm-2后,样品内部会产生轻微的晶格畸变.通过非接触式电阻测量仪分析样...     

电子辐照直拉硅退火后辐照施主行为的研究

利用多种实验手段对电子辐照直拉硅退火过程中辐照缺陷的施主效应进行了研究,同时探讨了不同辐照剂量、初始氧含量以及预处理对辐照施主形成的影响．实验结果表明,电子辐照直拉硅后其电阻率迅速增加,低温退火即可恢复真实值;辐照施主是氧施主一缺陷的复合体,其激活温度在750℃左右,低温预处理有助于辐照施主的异质形核．     

材料结晶度对纳米羟基磷灰石表面性能和溶解性能的影响

采用化学共沉淀法合成不同结晶度的纳米羟基磷灰石（ nHAP）粉体,作为对比,用固相法合成体相羟基磷灰石（bulk-HAP）。利用红外光谱（IR）、透射电镜（TEM）或扫描电镜（SEM）以及粉末X射线衍射法（XRD）对羟基磷灰石（ HAP）样品的形貌、晶体结构进行表征。利用溶解实验探索 HAP结晶度与其溶解性能的关系。结果表明,结晶度越小样品的粒径越小,nHAP结晶度明显小于体相HAP的。此外,在恒定 pH（2～7）条件下,nHAP的结晶度越小溶解性能越好,从而能释放出越多的磷酸根,进而表现出越强的反应性能。     

孔雀绿对电子辐照响应研究

一种以聚乙烯醇缩聚物为基质,以多芳氨基甲烷类化合物(隐色孔雀绿)为染色物质和卤代物为协同剂制成的辐射变色膜.经电子辐照后其颜色由无色透明变为绿色.辐照后吸收光谱显示其最强吸收峰出现在629 nm附近.研究表明：吸光度响应与电子注量成线性关系,电子能量和分次辐照对其有明显影响,在某注量率范围内吸光度存在辐照后效应,24 h后趋于稳定,且膜厚与响应成正相关性.该体系辐射变色膜可作为电子束的辐照变色薄膜剂量计.     

电子辐照MgAl2O4透明陶瓷诱导缺陷退火行为的研究

作者用能量为1.7MeV、束流强度0.7μA*cm-2、总注量6.3×1016cm-2的电子,辐照处理镁铝尖晶石透明陶瓷,并对辐照后的样品进行等时退火,利用UV-VIS和PAT测试表明,经电子辐照处理的样品在237nm和370nm处产生主要是由F心及V型色心引起的吸收带.通过退火可以消除由F心及V型色心引起的吸收峰,但消除F心的消除温度要高于V型色心,且在退火过程中形成F聚集心,F聚集心随F心聚集的增加将使其峰位向紫外移动.     

辐照金刚石的电子顺磁共振

对不同类型的金刚石辐照前后的电子顺磁共振波谱进行了研究．结果表明,人工辐照能使不同类型的金刚石产生类似的具顺磁性的中心（电子－空穴心）,但在相同辐照条件下辐照金刚石时,其顺磁中心浓度并不一致,该浓度与金刚石中杂质氮类型和含量以及金刚石的质量有关．该研究为金刚石辐照改色条件的控制指明了方向．     

电子辐照对SiC功率MOSFET器件动态特性的影响机理

针对SiC功率场效应晶体管在太空、核工业等高能粒子辐照环境下应用时的老化失效问题,以1 200 V SiC MOSFET器件为对象,研究了电子辐照对SiC MOSFET器件动态特性影响及机理。在10 MeV电子束下对SiC MOSFET器件进行200 kGy剂量的辐照;然后,采用双脉冲测试电路对SiC MOSFET器件进行开关测试,并提取开关速度以及开关瞬态能量损耗等参数;接着对器件进行静态特性测试得到器件的阈值电压、栅极电阻、寄生电容等参数;最后,对比辐照与未辐照器件动态和静态特性参数变化分析电子辐照对SiC MOSFET器件动态特性影响机理。分析结果表明：在漏极电压800 V、漏极电流15 A、栅极外接电阻200Ω的测试条件下,辐照后器件开启延迟时间减小11.6 ns,开启瞬态能量损耗减小0.18μJ,关断延迟时间增大48.4 ns,关断瞬态能量损耗增大0.11μJ。结合器件静态特性参数分析发现：辐照后氧化层中正固定电荷增加7.14×10¹¹ cm^-2,器件阈值电压减小1.5 V;电子辐照在氧化层中电离产生电子空穴对,氧化层陷阱捕获空穴形...     

电子束辐照对二氧化锡纳米晶生长的影响

通过溶胶凝胶法制备二氧化锡纳米晶,然后利用电子束辐照技术对其进行辐照。与未辐照样品对比表明:辐照样品的结晶性更好,比表面积比未辐照样品明显提高,辐照剂量为1 400kGy,辐照样品的比表面积近2倍于未辐照样品。同时发现辐照样品在538和680cm-1出现了新的拉曼峰。研究结果表明:电子束辐照技术对二氧化锡纳米晶成核和量子点生长是一种重要手段。