Zn2 SiO4:Mn,Cd磷光体的长余辉特性

高温固相法合成Zn2SiO4：1．2％Mn,5％Cd长余辉磷光体,对样品进行了X射线衍射分析、光谱分析以及余辉衰减特性测量。分析结果表明,在1050℃下烧结3h的硅酸锌产物为单相。Zn2SiO4：1．2％Mn,5％CdK余辉磷光体在243nm或260nm激发下,发射光谱最大峰值位于521nm处,其色坐标x=0．2301,Y=0．69150在254nm紫外光激发5min后样品的余辉发光在暗室里可持续观察的时间约为1h,与Zn2SiO4：1．2％Mn磷光体比较,显示了更好的余辉特性。     

ZnS:Eu2+的长余辉发光

Eu2+的5d能级在许多晶体中都低于其4f能级的最低激发态(6P7/2),因此发光呈带状光谱,且发射波长随基质变化很大。由于5L→4f是容许跃迁,所以发光的衰减很快,通常在μs数量级,出人意料的是ZnS:Eu的发光尽管也是Eu2+的5d→4f跃迁,但衰减却极慢,达几十分钟的数量级。弛豫曲线的分析表明,这种长的弛豫是电子陷阱造成的。     

β-Zn3(PO4)2∶Mn2+,B3+长余辉发光材料的性能

采用高温固相法分别合成了β-Zn3(PO4)2∶Mn2 和不同HBO3含量的β-Zn3(PO4)2∶Mn2 ,B3 红色长余辉材料。XRD结果表明,HBO3的加入对于β-Zn3(PO4)2物相的形成和结晶温度并没有显著影响。从不同样品的激发和发射光谱可以看出,HBO3的加入并没有改变其激发和发射光谱位置,而对其强度有一定影响。对于Zn2.85(P1-x/2O4)2∶Mn20. 15,Bx3 来说,当B3 加入量为x=0.05时发光强度最强;而对其余辉衰减光谱来说,HBO3的加入明显提高了材料的余辉性能,并且当B3 加入量为x=0.1时余辉性能最强,这是由于B3 的不等价取代增加了材料中的陷阱而导致的结果。     

钙钛矿CaSnO3∶Pr^3＋磷光体的发光特性

采用高温固相法合成了一种Pr3 离子激活的钙钛矿结构氧化物CaSnO3磷光体。测定了该磷光体的XRD、光致发光光谱、长余辉发射光谱以及长余辉衰减曲线,研究了该磷光体的热释发光。研究结果表明,CaSnO3∶Pr3 磷光体具有较好的长余辉特性,进一步深入研究有望开发出一种具有实用价值的新型长余辉发光材料。     

(Eu2+,Nd3+)∶CaAl2O4的长余辉发光及机理的研究

采用高温固相反应法制备了Eu^2 ∶CaAl2O4、（Eu^2 ,Nd^3 )∶CaAl2O4，等系列材料。测量了其激发、发射光谱及余辉衰减曲线。分析了掺杂稀土离子对长余辉发光的作用。并对其发光机理进行了深入地探讨。     

MAl2O4：Eu^2＋,RE^3＋,长余辉发光性质的研究

研究鳞石英结构碱土铝酸盐ＭＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ＾２＋,ＲＥ＾＋（Ｍ＝Ｍｇ,Ｃａ,Ｓｒ,Ｂａ：ＲＥ＝Ｙ,Ｌａ,Ｃｅ,Ｐｒ,Ｎｄ,Ｓｍ,Ｇｄ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｈｏ,Ｅｒ,Ｔｂ,Ｄｙ,Ｈｏ,Ｅｒ,Ｔｍ,Ｙｍ,Ｙｂ,Ｌｕ）的荧光及长余辉发光性质。其发光由Ｅｕ＾２＋的４ｆ－５ｄ跃迁产生。ＲＥ＾３＋作为辅助激离子,提供合适的陷阱能级。即使用ＲＥ＾３＋的特性波长激发,在ＭＡｌ２Ｏ４：Ｅｕ＾３＋的发光中也观察不到ＲＥ＾３     

ZnGa2O4长余辉发光特性的研究

以ZnO和Ga2O3为原料,采用高温固相法,在不同温度和原料配比下合成了ZnGa2O4。用254 nm的紫外灯照射样品后,发现存在余辉发光,有505和690 nm两个余辉峰,且余辉峰相对强度受原料配比和烧结温度等制备条件的影响。ZnO不足和温度较高时505 nm峰相对强度较高,ZnO过量和温度较低时690nm峰相对强度较高。讨论了余辉峰的来源,认为505 nm峰来源于结构中Ga^3＋替代了部分Zn^2＋后相对变形八面体中Ga^3＋的^2EA→^4A2能级间跃迁;而690 nm峰起源于晶格中出现氧空位V0^＊后变形八面体中氧空位向其周围的O^2-的V0^＊→O^2-跃迁。解释了余辉峰相对强度受制备条件影响的原因：温度较高时ZnO较多挥发导致不足,而ZnO不足会使结构中出现Zn^2＋空位,从而多余的的Ga^3＋出现在这些空位上,其^2EA到^4A2能级间跃迁使505 nm发射占优;而温度较低时ZnO挥发较少,由于ZnO相对Ga2O3氧不足,可形成更多的O空位,有利于690 nm发射占优,这与余辉峰来源的讨论相符合。     

长余辉发光玻璃研究进展

介绍了长余辉发光玻璃的研究历程与进展，从长余辉发光玻璃的发展过程、发光机理、制备方法和发展现状等方面进行了分析，并对长余辉发光玻璃研究中存在的一些问题和发展方向提出了一些见解。     

红色长余辉材料Zn3(PO4)2∶Mn2+,Ga3+的合成及光谱性质

采用高温固相法合成α、β和γ-Zn3(PO4)2∶Mn2+,Ga3+(ZPMG),XRD分析表明,高温合成过程中淬火条件有利于β相的形成,退火条件有利于γ相的形成.三种磷光粉的激发光谱分别位于246 nm(α)、234nm(β和γ)的宽带谱.α相的发射光谱为位于508 nm的锐线谱,β和γ相的发射光谱均存在两个谱带,分别位于508 nm的绿色光谱区和616 nm的红色光谱区.两种发射均归属为Mn2+的4T1(4G)→6A1g(6S)跃迁,但是由于Mn2+在Zn3(PO4)2结构中的配位数不同,故发光颜色及强度均不同.对于余辉发射,只能观察到红色余辉光谱.     

Y2O2S∶Eu,Mg, Ti,Gd 红色长余辉发光材料的热稳定性

采用高温固相法制备了Y₂O₂S ∶ Eu,Mg,Ti,Gd红色长余辉材料,研究了热处理工艺对材料稳定性的影响。用X射线衍射表征该材料的相组成,用激发光谱、发射光谱、余辉亮度对材料的发光性能进行表征。结果表明:热处理温度在600 ℃以下时,材料的发光性能不变;当热处理温度达到800 ℃时,发光性能缓慢下降;当热处理温度达到1 000 ℃时,主晶相Y₂O₂S变成Y₂O₂SO₄和Y₂O₃,发光性能急剧下降。与铝酸盐及硫化物发光材料相比,Y₂O₂S ∶ Eu,Mg,Ti,Gd红色长余辉材料具有较好的热稳定性。     

纳米纤维状Sr3Al2O5Cl2∶Eu2+, Tm3+的白色长余辉性能

采用高温固相法在800 ℃下制备出系列白色长余辉荧光粉Sr3Al2O5Cl2∶Eu2+, Tm3+,并研究了它们的结构、形貌及发光性能.样品Sr2.91Al2O5Cl2∶0.04Eu2+, 0.05 Tm 3+具有单一晶相和纳米纤维结构.该样品在紫外光激发下表现出两个很强的宽带发射(分别位于~448 nm和~590 nm).它的余辉寿命大约是20 min.利用此种荧光粉所制作出的白光LED器件表现出很强的白光发射.     

长余辉发光粉SrAl2O4∶Eu,Dy在搪瓷涂层中的发光性质

采用高温固相反应法制备了SrA l2O4∶Eu2 ,Dy3 长余辉发光粉,将发光粉掺到以碱金属硼磷酸盐低熔点玻璃熔块为基质的搪瓷釉中,并通过丝网印刷技术涂搪到铝合金基板上,然后烧制成长余辉搪瓷。研究了发光粉的加入量、釉层厚度、烧成温度、烧成时间等搪瓷工艺的各个环节对搪瓷余辉性能的影响,制得性能稳定的长余辉涂层,余辉时间长达12 h以上。这种发光搪瓷涂层可用于制作广告牌、交通标牌、建筑物标示牌等,在许多领域具有广阔的应用前景。     

(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn~(2+)的荧光以及长余辉发光性能

采用高温固相法制备了一系列(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn~(2+)(0≤x≤0.25)绿色荧光粉,并研究了Mg离子对(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn~(2+)的结构、荧光以及长余辉发光性能的影响。Mg离子取代Zn进入Zn_2GeO_4晶格,形成(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4固溶体,并产生了晶格畸变。光谱分析结果表明,样品中位于533 nm的绿色荧光源于Mn~(2+)的~4T_1(~4G)→~6A_1(~6S)跃迁。随着Mg离子浓度的增加,(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn~(2+)样品的激发光谱出现了蓝移现象,说明Mg离子进入到Zn_2GeO_4晶格中对其晶格结构产生了影响,导致(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4的带宽发生改变。发射光谱则表明Mg离子进入Zn_2GeO_4晶格引起Mn~(2+)的~4T_1(~4G)→~6A_1(~6S)跃迁绿色荧光发光强度的增强。Zn_2GeO_4基质中的氧空位缺陷陷阱深度由于基质带宽的变化而变深,样品具有良好的长余辉发光效果。通过热释光谱分析研究了材料中缺陷陷阱的特征,进一步证实了(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4中缺陷陷阱深度发生改变。根据光谱分析结果给出了(Zn_(1-x),Mg_x)_2GeO_4∶Mn~(2+)中荧光与余辉发光的产生机理。     

长余辉荧光粉发光特性的测试及实用装置

讨论了影响长余辉发光粉特性的主要因素。介绍了测试其发光特性的基本要求。在此基础上描述了一种测试长余辉荧光粉的新装置。它使用模拟D45光源作为激发光源，使用一台自动量程光度计来测量长余辉荧光粉亮度。从激发源到样品的激发光，以及从样品到光度计的发射光均由光纤进行传导。激发光通过耦合在二光纤中间的电动快门实施控制。装置的工作由计算机控制。需要特别指出的是装置可以在正常照明条件下工作。实测表明装置的设计非常巧妙和实用。     

Zn2SiO4∶Mn2+发光材料的低温合成及其发光性能

采用水热合成工艺低温制备了Mn2+掺杂的Zn2SiO4发光材料,采用X射线衍射(X-ray diffraetion,XRD)、扫描电子显微镜(Scanning electron microscope,SEM)对样品的结构和形貌进行观察,并以此分析了水热过程中Zn2SiO4的形成机制.采用吸收光谱、荧光光谱对其光吸收及光...     

钙钛矿CaSnO3:Pr3+磷光体的发光特性

采用高温固相法合成了一种Pr3 离子激活的钙钛矿结构氧化物CaSnO3磷光体.测定了该磷光体的XRD、光致发光光谱、长余辉发射光谱以及长余辉衰减曲线,研究了该磷光体的热释发光.研究结果表明,CaSnO3:Pr3 磷光体具有较好的长余辉特性,进一步深入研究有望开发出一种具有实用价值的新型长余辉发光材料.     

红色长余辉材料Mg_2SiO_4∶Dy~(3+),Mn~(2+)的制备及发光特性

用高温固相法制备了长余辉发光材料Mg2SiO4∶Dy3 ,Mn2 ,对这种材料的红色长余辉性质进行了研究。对以不同掺杂浓度单掺杂Mn2 、单掺杂Dy3 以及双掺杂Dy3 ,Mn2 的Mg2SiO4体系,通过在紫外激发下的发射光谱及其激发光谱的研究,确认了在双掺杂体系中,峰值为660 nm的发光带对应着Mn2 的4T1(4G)→6A1(6S)跃迁,Mn2 为主要发光中心。Mn2 的660 nm发射的激发谱分布很宽,样品在近紫外和可见光区都有良好的吸收,长波边可达600 nm,是这种材料的一个显著优点。还研究了双掺杂体系中Dy3 对Mn2 的660 nm发光带的敏化作用。另外,通过对单掺杂、双掺杂体系热释光曲线的比较,揭示了双掺杂体系中Dy3 的陷阱作用。     

绿色长余辉材料MgAl_2O_4∶Mn~(2+)的合成及其发光特性

采用高温固相法在1350℃下合成了Mn2+掺杂的MgAl2O4发光材料,利用X射线衍射对所合成样品的结构进行了表征。用209nm的紫外灯照射样品后,观察到来自Mn2+的4T1-6A1跃迁的绿色长余辉发光。发光的激发光谱表明:Mn2+-3d组态内存在一系列强的激发峰,分别在279,361,386,427,451nm,同时还有209nm处的Mn-O电荷迁移带,激发该吸收带会产生很强的绿色余辉。测量了余辉的衰减曲线及热释光谱,分析了Mn2+掺杂浓度对样品余辉性质的影响,给出了余辉产生的可能模型。     

Eu,Dy共掺杂SrAl2O4长余辉材料制备新工艺

活化Al-Sr合金粉末水解制备SrAl₂O₄长余辉材料的前驱体,并采用高温固相反应法制备出Eu,Dy共掺杂的SrAl₂O₄长余辉材料,对其微观结构和发光特性进行了研究。实验结果表明:前驱体中Al、Sr元素在微观状态下分布均匀,所制成的长余辉发光材料的发射主峰位于520nm附近,为典型的Eu²⁺离子4f5d-4f的特征发射,初始亮度达到18cd/m²,余辉时间长达46h。     

红色长余辉材料Zn_3(PO_4)_2:Mn~(2+),Ga~(3+)的合成及光谱性质

采用高温固相法合成α、β和γ-Zn3(PO4)2∶Mn2+,Ga3+(ZPMG),XRD分析表明,高温合成过程中淬火条件有利于β相的形成,退火条件有利于γ相的形成。三种磷光粉的激发光谱分别位于246 nm(α)、234nm(β和γ)的宽带谱。α相的发射光谱为位于508 nm的锐线谱,β和γ相的发射光谱均存在两个谱带,分别位于508 nm的绿色光谱区和616 nm的红色光谱区。两种发射均归属为Mn2+的4T1(4G)→6A1g(6S)跃迁,但是由于Mn2+在Zn3(PO4)2结构中的配位数不同,故发光颜色及强度均不同。对于余辉发射,只能观察到红色余辉光谱。