铁电铌酸锶钡薄膜的结构特性研究

采用溶胶凝胶法在Si(001)基片上制备铁电铌酸锶钡薄膜,使用X射线衍射、摇摆曲线、扫描电子显微镜、喇曼散射光谱等测试手段研究薄膜的微结构与薄膜厚度之间的关系,制备的薄膜厚度可达到5μm.实验发现,随着薄膜厚度的增加,SBN60和SBN75薄膜在(001)方向的优先取向性越来越好.随着膜层的增加,处于底层的膜层能够起到缓冲层的作用,以逐渐改善薄膜与基片之间的晶格失配,从而使得晶体的结晶取向性越来越好.     

铌酸锶钡薄膜的微结构与电光性能的研究

本文叙述了使用溶胶凝胶法在MgO(0 0 1)的衬底上制备铌酸锶钡薄膜的过程 ,膜层厚度可达 5 μm。通过X射线衍射、摇摆曲线、扫描、拉曼散射光谱等方法研究了薄膜的微结构性能 ,实验发现 ,铌酸锶钡薄膜具有了较好的 (0 0 1)方向的优先取向性能 ,并且随着薄膜厚度的增加 ,其晶体取向性也会随之不断改进。熔石英的透明衬底上生长的SBN薄膜具有较大的电致双折射效应 ,其有效电光系数能够高达 6 6 2× 10 -11m/V。     

以MgO为缓冲层的硅基铌酸锶钡薄膜取向特性与其波导结构的设计研究

采用溶胶－凝胶法在Si(100)基片上制备出择优取向的MgO薄膜,随后在其上生长出具有择优取向的铌酸锶钡铁电薄膜.实验发现,MgO缓冲层的应用可以大大提高SBN薄膜的择优取向性能.同时,用五层对称理想波导耦合模理论,以SBN为波导层,分析了波导损耗与厚度的关系. 通过对计算出的理想结果与实际相结合,以及对SBN在生长过程工艺与损耗关系的研究,制备出高质量、低损耗的SBN薄膜,为其在电光波导调制器等微系统中的应用打下良好的基础.     

掺杂N的浓度对SiC薄膜的光敏特性影响

在热丝化学汽相沉积（HFCVD）法制备SiC薄膜过程中，研究不同的N掺杂下制备样品的光敏特性．对薄膜在室温和较高温度（410℃）下进行光敏特性测试，结果表明，薄膜的制备工艺参量对其光敏特性有较大影响；较高温度下其敏感特性和室温下测试的结果大体一致；在合适条件下制备的薄膜对不同波长的光有较好的敏感特性．可以看出，SiC薄膜在研究高温光敏器件领域具有很好的应用前景．     

高择优取向硅基含钾铌酸锶钡（K:SBN）薄膜的制备与性能

采用NbCl5作为先驱物，利用溶胶-凝胶法在Si(100)衬底上成功获得高度择优取向的铁电铌酸锶钡(SBN)薄膜.与用Nb(OC2H5)5作为先驱物的SBN薄膜相比，NbCl5配制的薄膜前驱溶液中含有一定数量的K离子.K离子的含量对SBN薄膜取向的影响存在一个最优值.二次离子质谱测试发现，K离子对SBN晶胞的溶入和对Si衬底的渗透能够同时使SBN晶胞和Si晶胞产生微小扭曲，从而起到调整薄膜与衬底的匹配关系，并最终促使SBN薄膜c轴高度择优取向的生长.测试了薄膜的光学特性. 关键词： 铌酸锶钡 溶胶-凝胶方法 择优取向     

Sr0.61Ba0.39Nb2O6薄膜的电光特性

用激光脉冲沉积(PLD)法在MgO(001)衬底上成功地生长、制备出了外延Sr_0.61Ba_0.39Nb₂O₆(SBN61)电光薄膜;通过SBN61电光薄膜椭偏光谱测量的分析研究,得到了SBN61电光薄膜的光学常数;通过电致双折射方法对生长在(001)MgO衬底上的SBN61薄膜的电光性能进行了测量研究,发现SBN61电光薄膜电致双折射的变化Δn与所加电场E成平方关系,其二次电光系数R=0.21×10^-16(m/V)²。     

Ca2+掺杂铌酸锶钡晶体的光折射变化特性研究

基于Ca2+掺杂铌酸锶钡晶体的透射特性,探讨了Ca2+在晶体中的电子行为机制,分析了Ca2+掺杂而引起的光致折射率变化特性.采用Michelson干涉装置测得了样品折射率随时间变化的特性曲线.实验结果分析表明,适当的ca2+掺杂可以有效改善铌酸锶钡晶体的光折射特性.     

掺杂N的浓度对SiC薄膜的光敏特性影响(英文)

在热丝化学汽相沉积(HFCVD)法制备SiC薄膜过程中,研究不同的N掺杂下制备样品的光敏特性.对薄膜在室温和较高温度(410℃)下进行光敏特性测试,结果表明,薄膜的制备工艺参量对其光敏特性有较大影响;较高温度下其敏感特性和室温下测试的结果大体一致;在合适条件下制备的薄膜对不同波长的光有较好的敏感特性.可以看出,SiC薄膜在研究高温光敏器件领域具有很好的应用前景.     

铁电钾钠铌酸锶钡薄膜电光性能的研究

采用溶胶-凝胶法在氧化镁单晶衬底上制备了符合化学计量比的完全填充型铁电钾钠铌酸锶钡(KNSBN)薄膜，通过X射线衍射，摇摆曲线，X射线Φ扫描，扫描电子显微镜等方法研究了薄膜的微结构，采用Adachi法研究了薄膜的电光特性. 实验发现，KNSBN薄膜在氧化镁(001)单晶衬底上沿c轴外延生长，K⁺，Na⁺的引入有效地提高了薄膜的横向电光系数r₅₁. 成分为K_0.2Na_0.2Sr_0.24Ba_0.56Nb₂O₆, K_0.2Na_0.2Sr_0.6Ba_0.2Nb₂O₆, K_0.2Na_0.2Sr_0.72Ba_0.08Nb₂O₆的三种KNSBN薄膜的r₅₁值分别为108.52pm/V, 119.98pm/V, 126.96pm/V，r₅₁的数值随Sr²⁺含量增加而增大. 关键词： 横向电光系数 钾钠铌酸锶钡 外延生长     

低电场下LiNbO3薄膜在非晶衬底上的取向生长

报道了外加低电场和衬底温度对脉冲激光淀积法制备的LiNbO₃薄膜取向的影响.在衬底温度为600℃和外加电场为7V/cm的条件下，在石英玻璃等非晶态衬底上获得了完全(001)取向的LiNbO₃薄膜.在对具有自发极化的LiNbO₃在电场作用下成核生长机制和温度对LiNbO₃自发极化强度的影响进行分析的基础上，给出了低电场诱导铁电薄膜取向生长的物理依据. 关键词：     

Ba_(1-x)Sr_xTiO_3相结构的拉曼光谱研究

本文测定了不同Sr含量的钛酸锶钡(Ba1-xSrxTiO3)纳米晶的拉曼光谱,发现了随着Sr含量的增加,517cm-1[E(TO)与A1(TO)]光学声子模劈裂为双峰和相对低频声子模向低频漂移,而相对高频声子模向高频漂移现象。当x=0.4时,软模解冻,Ba1-xSrxTiO3铁电相不能维持而呈现顺电相结构。     

长余辉发光粉Ba1-xCaxAl2O4:Eu2+, RE3+的发光特性及光谱分析

采用高温固相法制备了长余辉发光粉Ba1-xCaxAl2O4:Eu^2 ,RE^3 (RE^3 =Dy^3 ,Nd^3 ),测量了其发射光谱、激发光谱、余辉衰减光谱和热释光谱,分析了其发光特性。在紫外线的激发下样品的发射波长随着x的变化而变化,x从0到0．6的范围变化时,发射波长相应地从498nm减小到440nm,当x大于0．6以后,波长保持440nm不再变化。通过XRD光谱对其结构进行了分析,得出Ca离子在BaAl2O4基质中有极限溶解度x0=0．4,当x大于0．4时,基质结构中出现杂相。通过热释光谱,对基质中的陷阱情况进行了分析,解释了由于x值的不同而造成的余辉时间长短的差异。     

Bi4-xLax Ti3O12-SrBi4-y Lay Ti4O15共生结构铁电材料拉曼光谱研究

在常温下 ,对La掺杂共生结构铁电陶瓷Bi4 -xLaxTi3O1 2 _SrBi4 -yLayTi4 O1 5[BLT_SBLT(x y) ,x y =0 0 0 ,0 2 5 ,0 5 0 ,0 75 ,1 0 0 ,1 2 5 ,1 5 0 ]进行了拉曼光谱研究 .结果表明 ,在掺杂量低于 0 5 0时 ,La只取代类钙钛矿层中的Bi,当掺杂量高于 0 5 0后 ,部分La开始进入 (Bi2 O2 ) 2 层 .La取代 (Bi2 O2 ) 2 层中的部分Bi以后 ,(Bi2 O2 ) 2 层结构发生变化 ,原有的绝缘层和空间电荷库的作用减弱 ,导致材料剩余极化下降 .La掺杂量增至 1 5 0时 ,样品出现弛豫铁电性 ,这与 30cm- 1 以下模的软化相对应 ,说明La掺杂可引起材料的结构相变     

固溶体半导体ZnS1-xTex(0≤x≤1)多晶薄膜的制备及特性研究

ZnS1-xTex是制作短波长光波段光电子器件和紫外探测器的理想材料。本文介绍了ZnS1-xTex多晶薄膜的真空蒸镀制备情况，并用原子力显微镜、X射线衍射仪、能量色散谱仪、紫外．可见分光光度计、荧光光谱分析仪等对制备的多晶薄膜的性质进行了测试和分析，发现该多晶薄膜保持了单晶薄膜的紫外吸收、光致发光等良好特性。     

MgxZn1-xO薄膜的光致发光性能研究

用溶胶-凝胶旋涂的方法在Si(100)衬底上成功制备了MgxZn1-xO薄膜.通过对样品的X射线衍射花样进行分析,发现制得的样品都有明显的C轴取向.掺入Mg后C轴参数逐渐变小,这表明Mg离子进入了ZnO晶格.随着镁的掺入,其光致发光谱中的紫外发射峰的峰位发生明显蓝移,从3.28eV线性地变化到3.45eV.值得注意的是,掺入镁离子后,薄膜的紫外发光和可见发光的强度都显著高于ZnO.     

C(膜)/Si(SiO2)(纳米微粒)/C(膜) 的光致发光性质研究

用直流辉光溅射法结合真空镀膜法制备出了一种“多层三明治结构”的光致发光材料—C(膜 ) /Si(SiO2 ) (纳米微粒 ) /C(膜 )夹层膜 ,然后分别在 40 0、6 5 0和 75 0℃退火 1h .在波长为 2 5 0nm的紫外光激发下 ,刚制备出来未经退火处理的样品具有一个在 398nm (3.12eV)处的紫光宽带PL1峰 .在 6 5 0℃退火后 ,又出现了一个在 36 0nm (3.44eV)附近的PL2 峰 .PL1和PL2 峰形状和峰位与退火温度和激发波长无关 ,但强度却与退火温度和激发波长密切相关 .结合形态结构分析可知 ,紫光PL1峰可用量子限制 -发光中心 (QC LCs)模型进行解释 :即光激发发生在SiO2 微粒内部 ,而光发射源于SiO2 与Si界面上的缺陷中心 .紫外荧光PL2 峰则源自SiC内部的电子 空穴复合发光     

Optical study of Ba(Mn_xTi_(1-x)O_3) thin films by spectroscopic ellipsometry

Stoichiometric Ba(Mn_xTi_(1-x)O_3) (BMT)thin films with various values of x were deposited on Si(111)substrates by the sol-gel technique.The influence of Mn content on the optical properties was studied by spectroscopic ellipsometry(SE)in the UV–Vis–NIR region.By fitting the measured ellipsometric parameter(Ψand)with a four-phase model(air/BMT+voids/BMT/Si(111)),the key optical constants of the thin films have been obtained.It was found that the refractive index n and the extinction coefficient k increase with increasing Mn content due to the increase in the packing density.Furthermore,a strong dependence of the optical band gap Egon Mn/Ti ratios in the deposited films was observed,and it was inferred that the energy level of conduction bands decreases with increasing Mn content.     

LPCVD Si基转换生长3C-SiC薄膜的光学性质初探

本文采用LPCVD技术在高温条件下, 利用甲烷和氢气混合气体作为碳源, 在n-Si(111)衬底上制备3C-SiC薄膜。通过XRD、XPS、SEM、FT-IR和PL研究发现: 温度对3C-SiC薄膜的形貌和晶体质量有较大的影响, 并且生长温度对3C-SiC薄膜的780 cm-1左右的FT-IR反射峰强度影响非常大; 在室温测试条件下, 3C-SiC薄膜有较强的蓝光波段的荧光峰。     

Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜的合成

利用真空反应蒸发技术,在氧分压约为8.5×10-2Pa、衬底温度为400℃条件下蒸发高纯度的铟、锡和铜,在玻璃衬底上制备出Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜.研究了蒸发源材料质量比不同的样品的薄膜结构、透过率、薄膜的方块电阻和电阻率与温度的关系.实验结果表明,Sn1-x(In1-yCuy)xO透明导电薄膜具有优良的光电特性,而且制备出的Sn1-x(In1-yCuy)xO薄膜中In的含量大大减少,可以成为ITO薄膜的潜在替代材料.     

石英衬底阳极氧化铝膜的制备及其光致发光的研究

报道了用15wt％H2SO4为电解液,在恒温0℃,40V电压条件下制备阳极氧化铝膜,用原子力显微镜观察其形貌,表明在简单条件下在石英衬底上制备了致密的氧化铝微晶膜。研究了不同电压条件下制备的氧化铝膜的常温光致发光,并监测了其激发光谱,发现其常温光致发光相对强度和发射峰位置与阳极氧化电压关系密切,有相对强度变小和发射峰位置红移的趋势,在40V电压条件下出现了356nm新的发射峰,而其不同的发射峰激发光谱都为210nm,说明其来源存在关联。详细分析了40V电压下的阳极氧化铝膜中出现的356,386nm近紫外发射,并认为其发光来源于与F心和F^ 心有关的氧缺陷。