激光分子束外延

激光分子束外延是在传统分子束外延和普通激光淀积技术基础上发展起来的一种最新制备薄膜和人工超晶格方法。本文介绍了激光分子束外延的工作原理，与传统分子束外延和普通激光淀积技术的区别，主要特点和发展现状，并对其前景进行了简要的评价。     

激光技术在分子束外延中的应用

激光具有波长选择范围宽，强度高和方向性好等优点，已在许多科学技术领域发挥了重要的作用。近年来，激光又被用于分子束外延（ＭＢＥ）技术中，并取得了很大进展。本文论述了在ＭＢＥ薄膜生长中，激光气体离化原位分子束组分监测，激光溅射产生外延分子束源以及这些新技术在材料生长中的应用。     

超声分子束激光光谱学

超声分子束激光光谱学是近年来才发展起来的新的激光光谱学分支。它主要研究超声分子束的产生及束中过冷分子的亚多普勒与无多普勒的高分辨率光谱。     

超声分子束激光光谱学

本文阐述原子束和分子束技术的发展,着重讨论超声分子束技术,超声分子束激光光谱学的特点及其发展趋向。最后简要介绍超声分子束荧光光谱、重元素同位素低温光谱、多光子电离光谱和超声分子束CARS光谱。     

分子束外延技术

分子束外延(简称 MBE)设备是一种控制晶体生长的装置。现在,用 MBE 技术可以制备在自然界不存在的某些晶体。目前研究时采用该技术最多的材料是砷化镓(GaAs)、砷化铝(GaAl)和它们的混晶镓铝砷(GaAlAs)。在用 MBE 技术研究的材料中它们约占70%,其余的30%为硅(Si)、砷化铟(InAs)、铟镓砷(InGaAs)、碳化硅(SiC)、磷化铟(InP)、磷化镓(GaP)、碲镉汞(CdHgTe)等材料.     

激光分子束外延制备氧化物薄膜研究

激光分子束外延（LaserMBE）集PLD方法的制膜特点和传统MBE的超高真空精确控制原子尺度外延生长的原位实时监控为一体，不仅可以生长通常的半导体超晶格材料，尤其适于制备多元素、高熔点、复杂层次结构，如超导体、光学晶体、铁电体、田电体、铁磁体以及有机高分子等薄膜，同时还能进行其相应的激光与物质相互作用和成膜过程的物理、化学等方面的基础研究．激光分子束外延是近几年才出现，具有重要学术意义和广泛的应用前景，现正在发展和完善的一种高精密新型制膜技术．经过两年多的多方合作与共同努力，由物理所牵头与沈阳科仪研制中…     

激光辅助金属电沉积与无电沉积机理比较

本文介绍了激光增强金属电沉积与诱导金属无电沉积机理,比较了两种机理的区别与联系,简要说明了激光辅助金属沉积的特点和应用。     

CdSeTe分子束外延技术研究

对HgCdTe红外探测器CdSe_xTe_1-x衬底材料的分子束外延生长条件、组分调整等进行了简单介绍。生长条件包括生长结构(主要有CdSe_xTe_1-x/CdTe/ZnTe/Si、CdSe_xTe_1-x/ZnTe/GaAs等)、生长温度(300℃左右)、生长厚度(5μm左右)等。组分调整包括分析Se组分随(J_Se+J_Te)/J_Cd和J_Se/(J_Se+J_Te)的变化。J_Se/(J_Se+J_Te)值较小时,Se组分较难融入外延层;J_Se/(J_Se+J_Te)值较大时,Se组分增长较迅速。同时,若J_Se/(J_Se+J_Te)值较小,则Se组分增长趋势...     

分子束外延技术的新进展

科学院半导体研究所利用国产的分子束外延(MBE)设备,继制备成功具有国际水平的高纯N型GaAs单晶薄膜之后,新近,又研制出高迁移率的选择掺杂AlGaAs/GaAs异质结,并对这种异质结的二维电子气物理性质进行了研究,观测到了它在4.2K下著名的Shubnikov-de-Hass振荡和量子化霍尔“平台”效应。     

原子层分子束外延技术

本文概述了Ⅲ-Ⅴ族化合物分子束外延的新进展——原子层分子束外延（ALMBE）。介绍了它的基本原理、生长方法和应用。     

磁场辅助激光沉积类金刚石膜初探

提出了磁场辅助激光沉积类金刚石（DLC）膜技术,在硅基底附近添加磁力线向基底收拢的磁场,用以迫使侧向飞行的离子向基底靠拢并参与成膜。由于离子向基底的集中,使其在膜层中含量大幅上升,间接地减少了大颗粒的比例,因此,与无磁场条件下制备的DLC膜相比,引入磁场不仅提高了DLC膜的沉积速率,而且提高了其机械硬度;更重要的是,间接地证明了激光对靶材离化的高效性,为脉冲激光沉积（PLD）结合磁过滤技术提供了可行性的依据。     

超声辅助钛合金激光沉积成形试验研究

借鉴超声振动在铸造、焊接、熔覆等领域中的作用,将超声振动引入钛合金激光沉积成形系统中,利用超声作用细化晶粒,均匀组织成分,减小试件的残余应力,从而解决成形件变形开裂的难题。针对成形系统的结构特点,搭建了超声振动系统,进行了超声振动辅助钛合金沉积成形试验。通过观察沉积试件的微观组织和对试件残余应力的测试,发现超声振动使试件熔覆层中的晶粒得到细化,使功能梯度材料试件中的TiC硬质相弥散均匀;并且能够减小试件的残余应力。测试结果表明超声空化或机械效应可以打碎由初生枝晶交错连接形成的固态结晶网,从而细化了晶粒,同时使继续结晶时熔体得到补充,减小了枝晶间产生的拉应力;另外超声波在熔池中的搅拌声流将使硬质相运动到熔池各处,使之分布更为均匀,在一定程度上减少了相与相之间凝固收缩应力的不同而产生的凝固应力。     

基于光纤激光组束的激光推进技术

介绍了激光推进技术的原理及其优势,重点分析了激光推进光源的选择.光纤激光器通过激光组束技术可达到10 kW量级的输出功率,并且具有传统TEA脉冲CO2激光器不可比拟的优势,是激光推进光源的理想选择.     

分子束薄膜淀积

引言砷化镓的宽禁带和高电子迁移率原则上适用于高频和高温器件的多样性。这些器件的大多数,诸如注入激光器、电光学相调制器、光阴极和转移电子振荡器都需要多薄层结构。分子束外延(MBE)提供了生长具有可控电学和物理学特性的薄单晶砷化镓的可能性,     

分子束外延

二、引言在现代的科学技术中,随着微波器件、光电器件和光通讯的发展,特别是集成光学的提出,近几年新发展起来一种新的晶体生长技术一分子束外延(MBE)。分子束外延与气相外延(VPE)和液相外延(LPE)不同。它是在超高真空下(10~(10)乇)进行生长,加之装有一些控制设备和分析仪器,可以精确地控制结晶生长,同时还可以进行现场观察和研究结晶生长过程,又能精确地控制生长薄膜的均匀性和厚度,并能进行多种掺杂。用MBE能生长数埃至几个微米厚的高质量单晶薄膜,而用VPE和LPE目前都难以达到。由于上述特点,MBE特别适用于微波器件、光电器件和集成光路的研制,它是一种较为复杂的综合性先进技术。MBE是在蒸发工艺基础上发展起来的。然而MBE作为晶体生长技术是1969年由贝尔实验室J.R.Arthur和A.Y.Cho等人提出的,当时MBE还不完善,但是它的发展速度是相当快的。特别是最近几年,在基础理论和应用方面的研究都很活跃,MBE日     

分子束外延法制造的激光双异质结

对使用分子束外延法制造激光器双异质结方面的研究工作进行了评述。比较了用分子束外延法和液相外延法制成的注入式激光器的性能，评价了使用分子束外延法制造较高质量的该类器件的成就和前途。     

InSb薄膜分子束外延技术研究

InSb材料由于其优异的光电性能,一直是军事领域重要的红外探测器材料。而高温工作是InSb发展的一个重要方向,开发分子束外延InSb材料是实现高温工作的基础。本文采用分子束外延工艺生长获得了高质量的InSb薄膜,通过金相显微镜、X射线双晶衍射仪、原子力显微镜、SEM和EDX等检测手段对InSb外延膜进行表面缺陷、晶体质量表征和分析,并采用标准的InSb器件工艺制备128×128焦平面探测器芯片进行材料的验证,结果表明该材料性能可以满足制备高性能器件的要求。