极端远紫外光刻技术

半导体器件与集成电路的不断小型化要求特征尺寸越来越小 ,极端远紫外光刻是 5种下一代光刻技术候选者之一 ,它的目标是瞄准 70纳米及 70纳米以下的特征尺寸光刻。本文从极端远紫外光源、极端远紫外光学系统、反射掩模、光刻胶、光刻机等方面对极端远紫外光刻技术进行了分析论述 ,并且对它的应用前景进行了简要分析     

远紫外光刻的进展

<正> 在为获取越来越小的特征尺寸的持续进军中,镜头设计者、步进机制造者和工艺师们必须处理好三个参数,即镜头数值孔径、照明波长和工艺的关系。这三个参数的关系由瑞利分辨率公式给出: 分辨率:K_1λ/NA式中K_1是一个取决于工艺的比例常数,λ是波长,NA是数值孔径。较高的分辨率,即较小的特征尺寸可用加大数值孔径,缩短曝光波长或改进工艺来实现减小K_1值。     

远紫外光刻现状及未来

本文主要过评了光学光刻技术在由0．35μmat艺向0．25μm工艺阶段转移的技术革命中所面临的挑战，以及远紫外光刻所处的地位，现状及今后的发展趋势。     

远紫外光刻现状及未来

简要评述光学光刻技术由０３５μｍ工艺向０２５μｍ工艺转移中所面临的挑战，及远紫外光刻技术在器件制造中的地位、现状及发展趋势     

远紫外光刻技术的发展趋势及进展

至今光刻技术仍是工业用来制作集成电路的优先应用技术.过去光刻的分辨率是靠减小曝光波长和增大透镜的数值孔径来改善的(R=k_1λ/NA).近年来,这种趋势仍然如此.最新介绍的用于批量生产的NA248nm步进/扫描系统及实验生产用的第一代全视场193nm步进/扫描系统可证实这一点.然而,传统的光刻技术不仅变得极其困难、成本高(透镜像差控制.CaF_2材料等问题),而且也不能满足SLA图(半导体集成电路布线图)飞速发展的需要,因为SLA图要求对最小特证尺寸做较快的定标和相应线宽控制.曝光方法的改进再也不能满足行程图的要求.而低的K_1成像和亚波长成像在光刻领域已成为人门争相议论的话题.对于光刻技术来说,分辨率和线宽控制都是人们要努力解决的问题.本文评论了扩展248nm光刻极限的各种方法,讨论了高NA光学元件的作用,以及     

远紫外光刻技术领域CD控制的温度计量方法

从化学增强型抗蚀剂（ＣＡＲ）到抗反射涂层（ＡＲＣ），远紫外（ＤＵＶ）光刻技术需要特殊的温度条件。本文阐述了解决这些问题的方案，讨论了监控及分析生产用抗蚀剂处理设备温度性能的技术；同时说明了检查测试热循环过程中实际的圆片热测量和掩模温度的现场监控。     

双面光刻技术

普通的光刻技术是在硅片的一面利用光刻胶的保护作用,对SiO_2进行选择性化学腐蚀,从而在SiO_2层上得到与光刻掩模版相应的图形.双面光刻技术则是在硅片的上下两面同时刻蚀对准的图形,我厂在将单面光刻机改装成双面光刻机上已做出样片,并能投入小批量的     

极紫外光刻研制进展

25年前，运算能力相当于今天的笔记本电脑的计算机，其硬件可要装满一间房子，其穿孔卡载满一卡车。自那时以来，计算机已变得小巧得多，而且运算能力越来越强。这主要归功于光刻技术的进步。光刻基本上是一种照像技术，可将越来越多的部件装入计算机芯片内。将光导向一块掩模板（其上有集成电路图案），并将图案成像到有光敏光致抗蚀剂的半导体芯片上。产生电路的部件愈来愈小，便需要使用越来越短的光波长。现有的光刻技术使用深紫外波段的光，其波长约为248nm，在芯片上印出150~120nm尺寸的部件。在未来几年，制造商计划制造100~70nm部件…     

极紫外光刻光源

分析了极紫外光刻技术作为下一代光刻技术的首选技术目前飞速发展阶段的状况,表明欧、美、日、俄等国家和地区在该领域集中了大量的人力、物力的目标是将光刻精度提高到50nm.指出了极紫外光源是极紫外光刻的核心设备,目前的主要研究方向是提高能量转换效率和输出功率,提高系统各部分的寿命,降低成本等.     

精密远紫外光刻中的对准优化

随着芯片特征尺寸的减小 ,光刻成像技术的不断提高 ,而关键尺寸 (ＣＤｓ)的缩小则产生了更为精确的套刻精度。这些套刻精度在已随着工作台技术和对准系统的改进而得到了满足 ,但这些技术的发展还不能与不断提高的套刻精度保持同步 ,因此需要探索控制套刻和对准的新方法。有价值的对准特性信息由曝光设备获得。在片子对准时 ,对片子上的多点位置测量而获得。根据这些测量信息 ,计算出一种对准模型并用于调整曝光图形。之后这种模型再被用于计算曝光过程对准部分的剩余误差 ,并给出对准质量的象征。为满足严格的套刻容差 ,更多的精力应放在这…     

日本极紫外光刻

1.引言由于在过去的几年里人们在极紫外光刻技术发展方面做出了巨大努力,使用极紫外光刻制作0.1μm分辨率的器件的可行性已令人信服地得到证实。人们对今后八年时间内即2004年前制作出0.1μm线宽的指标充满信心。这种线宽要求能够制作出分辨率为0.1μm的图案,并且具有高产量的样机系统。     

极紫外光刻技术

介绍了美国和欧洲在极紫外光刻技术的开发和研究中的进展和发展极紫外光刻的关键技术,展望了EUVL作为下一代候选光刻技术的可能性     

三维微粒紫外光刻技术

最近，麻省理工学院的科研人员实现了三维微粒的紫外光刻，三维微粒在医学诊断和组织工程中有许多应用，如设计成探测器来检测DNA、释放药物及营养物等。这项新技术可以控制粒子的尺寸、形状和构造，设计具有多孔等特性的粒子。应用这种方法可以自由设计粒子，并精确控制其化学性质。     

远紫外光刻

<正> 一、引言传统的半导体光刻工艺所用的光谱波长为350～450毫微米,因为几乎所有以前使用的光致抗蚀剂、光源和照明光学系统在波长低于350毫微米时都不能适应,因此不能用更短的波长。这样,传统波长范围内的衍射效应就成为影响图形最小尺寸、掩模片子间隙容许值和抗蚀剂图形厚-宽比(指抗蚀剂厚度与图形线条宽度之比)的限制因素。为适应微细加工的需要,已研究出诸如 X 射线光刻,电子束投影及电子束直接光刻等方法,但由于这些方法机构复杂,装置价格高及位置对准、掩模制造等问题,要作为实     

极紫外光刻材料研究进展

极紫外光刻是微电子领域有望用于下一代线宽为22nm及以下节点的商用投影光刻技术,光刻材料的性能与工艺是其关键技术之一。为我国开展极紫外光刻材料研究提供参考,综述了最近几年来文献报道的研究成果,介绍了极紫外光刻技术发展历程、现状、光刻特点及对光刻材料的基本要求,总结了极紫外光刻材料的研究领域和具体分类,着重阐述了主要光刻材料的组成、光刻原理,光刻性能所达到的水平和存在的主要问题,最后探讨了极紫外光刻材料未来的主要研究方向。     

微光刻技术的发展

阐述了光刻技术的发展及其分辨极限,对准分子激光光刻技术及其发展作了比较详细的论述。     

远紫外无显影光刻的催化剂及工艺探讨

我们研制成了一种新型催化剂,它是由普通小分子有机化合物(如甲基紫等)和CMPS树脂。一起溶解在一定的溶剂中配制而成。用此催化剂做了远紫外曝光的各种腐蚀特性的实验,获得了满意的结果。     

亚半微光光刻技术的新动向

最近几年中提出了几种用于光学光刻的新方法，包括移相掩模技术，斜向照明，环形照明，FLEX和Super-FLEX等，这些方法提高了光学投影光刻的分辨率，并改善了一定特征尺寸下的焦深，期望它们可以将现有的i线步进机的用途扩展到制造最小特征尺寸的0．3um的半导体器件，本文介绍了这些方法的基本原理，效果和应用状况，并讨论了实用中的关键问题。