解理面预处理方法对二次外延的影响

利用超晶格解理面方法制备定位生长的InAs量子线.首先以分子束外延技术在OaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs超晶格,然后将样品取出外延系统进行解理,对解理面进行预处理之后在(110)解理面上进行二次外延.实验结果显示超晶格解理面的预处理方法对二次外延有重大影响,其中择优腐蚀比自然氧化更有利于量子线的定位生长,过高温度的脱氧除气会导致解理面的GaAs部分出现坑状结构,表明(110)面上的Ga原子容易脱附.同时,Ga原子在(110)面上的迁移长度比较大,原子的择优扩散方向为[001]方向.     

侧向外延一维量子线截面样品制备技术

侧向外延一维量子线截面样品制备技术陈弘，张　云（中国科学院物理研究所，北京１０００８０）分子束外延技术的巨大发展，推动了一维量子线的实验和理论研究。一维量子线有很多独特的物理特性，如量子Ｈａｌｌ效应、迁移率调制、边界散射、荧光的各向异性等。制备一维量...     

分子束外延研究进展

简要介绍了用分子束外延（ＭＢＥ）技术制备二维电子气结构、量子线、最子点及高指数衬底表面ＭＢＥ生长等方面的研究进展。     

分子束外延研究进展

简要介绍了用分子束外延（ＭＢＥ）技术制备二维电子气结构、量子线、量子点及高指数衬底表面ＭＢＥ生长等方面的研究进展     

分子束外延高质量GaAs-AlGaAs量子阱结构

利用国产分子束外延设备研制出高质量GaAs-AlGaAs量子阱结构材料.经光荧光测量分析,其n=1的电子-重空穴自由激子复合发光的谱线很窄,半峰宽仅1.2MeV(阱宽141A,温度10.5K),表明量子阱阱宽和异质结界面平整度的起伏小于一个单原于层.样品从低温到室温都能保持激子发光特性.     

分子束外延生长CdTe/HgCdTe非对称多量子阱

分子束外延生长CdTe/HgCdTe非对称多量子阱,用反射高能电子衍射监测生长过程,并用x射线衍射测定其结构参数。通过对吸收光谱的研究并结合包络函数计算,发现该结构子带吸收很强,吸收限在9～11μm。     

GaAs(100)同质外延表面相变的动态过程研究

本文叙述了用CCD系统对MBE生长中RHEED图案强度变化进行实时监测，通过（00）级条纹的RHEED强度分析，直接给出了不同生长条件下表面相变的动态过程，得到了从C（4×4）到α（2×4）的连续相变过程，进一步给出了不同条件下的表面化学配比情况．     

用分子束外延在多孔硅衬底上外延单晶硅来实现SOI结构

用 HF溶液对单晶Si片进行阳极化处理,形成多孔 Si.将多孔Si衬底放入超高真空室在小剂量的Si原子束辐照下进行加热处理,在较低温度下(725—750℃)获得了清洁有序的表面.用分子束外延在多孔Si上生长了1-2μm的单晶Si膜,其卢瑟福背散射沟道产额极小X_(min)<3％,表明外延膜的单晶性能良好.SOI结构已通过随后的侧向氧化多孔Si层获得.     

应变补偿InGaAs/InAlAs量子级联激光器

利用应变补偿的方法研制出激射波长 λ≈ 3.5— 3.7μm的量子级联激光器 .条宽 2 0 μm,腔长 1 .6mm的 Inx Ga1- x As/Iny Al1- y As量子级联激光器已实现室温准连续激射 .在最大输出功率处的准连续激射可持续 30 min以上 .     

Optical Properties of MQW Optical Waveguides in Electroabsorption MQW Modulator

ＯｐｔｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＭＱＷＯｐｔｉｃａｌＷａｖｅｇｕｉｄｅｓｉｎＥｌｅｃｔｒｏａｂｓｏｒｐｔｉｏｎＭＱＷＭｏｄｕｌａｔｏｒＹｉＺｈｏｕＹａｎｇＹｕＹｉｘｉｎＣｈｅｎ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＯｐｔｉｃｓ＆ＰｈｏｔｏｎｉｃｓＤｅｐａｒ...     

GaAs（331）A衬底上分子束外延生长自组织InAs纳米结构形貌演化机制

采用分子束外延方法在GaAs(331)A高指数衬底上制备自对齐InAs量子线(QWR)或者三维(3D)岛状结构。InAs量子线(QWR)选择性生长在GaAs层的台阶边缘。通过原子力显微镜(AFM)仔细研究了InAs纳米微结构的表面形貌,发现不同的生长条件如衬底温度、生长速率和InAs层厚度等,对InAs表面形貌有很大的影响。低温更容易导致线状纳米微结构的形成,而高温更利于3D岛状结构形成。表面形貌的转变归结于表面能同应变能之间的竞争。     

束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷

研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷，发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关。采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察，并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析。并设计了两个实验：其一，在CdTe／GaAs衬底上，低温下用Hg源照射20min，再在其上继续高温生长CdTe；其二，在CdTe／GaAs衬底上，一直用Hg源照射下高温生长CdTe。两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷，采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察，通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较，我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质。     

GaAs基上的InAs量子环制备

在分子束外延系统中,利用3nmGaAs薄盖层将InAs自组装量子点部分覆盖,然后在500°C以及As2气氛中退火一分钟,制成纳米尺度的InAs量子环。这一形成敏感地依赖于退火时的生长条件和生长InAs自组装量子点时的淀积量。InAs在GaAs表面的扩散以及同时发生的In-Ga互混控制着InAs量子环的形成。     

束源杂质引发的MBE HgCdTe表面缺陷

研究了利用GaAs作为衬底的HgCdTe MBE薄膜的表面缺陷，发现其中一类缺陷与Hg源中杂质有关。采用SEM对这类缺陷进行正面和横截面的观察，并采用EDX对其正面和横截面进行成分分析。并设计了两个实验：其一，在CdTe／GaAs衬底上，低温下用Hg源照射20min，再在其上继续高温生长CdTe；其二，在CdTe／GaAs衬底上，一直用Hg源照射下高温生长CdTe。两个实验后CdTe表面都出现与HgCdTe表面相比在形状和分布上类似的表面缺陷，采用光学显微镜和SEM对CdTe表面缺陷进行了观察，通过CdTe表面缺陷和HgCdTe表面缺陷的比较，我们证实了这类表面缺陷的成核起源于Hg源中杂质。     

InP基多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列的结构和光学性质

在InP（001）衬底上使用分子束外延技术自组织生长了多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列结构。根据对透射电镜和光致发光谱结果的分析，认为引入与InP衬底晶格匹配的InAlGaAs缓冲层可以获得较大的InAs量子点结构，而InAlGaAs层的表面特性对InAs量子点的结构及光学性质有很大影响。对InP基InAlGaAs缓冲层上自组织量子点的形核和演化机制进行了探讨，提出量子点的演化过程表现为量子点的合并长大并伴随着自身的徙动，以获得能量最优的分布状态。     

GaAs/AlGaAs量子级联激光器自脉动动力学

利用步进扫描时间分辨傅里叶变换红外光谱,研究了波长9.76μm GaAs/AlGaAs量子级联激光器的准连续波激射谱.在驱动电流周期内,时间上堆叠的发射谱能够观察到明显的光强自脉动现象.有源区中的自加热积累大大影响了电子的驰豫和输运性质.热引起的在注入区较高子能级中占据的载流子由于这些子能级与下一注入区的连续态形成共振条件而泄露,而耦合阱有源区中第四子能级的存在加快了这个过程.周期性破坏和恢复的共振条件所引起的载流子泄露在很大程度上导致了时域堆叠光谱的自脉动.     

Self-Pulsation Dynamics in GaAs/AIGaAs Quantum Cascade Lasers

Quasi-continuous wave lasing spectra of GaAs/A1GaAs quantum cascade lasers emitting at 9.76μm arecharacterized by step.scan time.resolved Fourier transform infrared spectroscopy.Pronounced self·pulsation instacked emission spectra is observed in the driving current duration.Self·heating accumulation in the active regionaffects the electron relaxation and transport greatly.Thermally-induced carrier occupation of the higher sublevelsin an injector can leak out through a resonant condition with the continuum states above the next injector,whichwill be facilitated by the fourth sublevel of the coupled quantum wells active region.The leaking process arisingfrom the periodic breaking and recovering of resonant tunneling accounts for the physical mechanism of the selfpulsedeffect in stacked emission spectra.