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介绍了低温低噪声放大器使用的HEMT(高迁移率晶体管)器件噪声模型的建立,对HEMT用S参数和噪声参数讲行仿直,获取适合的模型.给出了实例,放大器在低温10K工作,增益≥30dB,噪声温度≤4K. 相似文献
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介绍了后级放大器的设计方法,放大器要求在1GHz带宽内增益平坦度≤±0.3dB,功率输出1dB压缩点≥8dBm.文中介绍应用ADS软件进行了电路设计和仿真,电路制版后装配调试.测试结果和仿真进行比较,指标满足设计要求. 相似文献
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介绍了8~9GHz极低噪声低温放大器的研制。在≤15K的工作温度下,实测放大器的主要性能指标如下:等效噪声温度≤7.9K;增益>31dB,带内起伏≤1dB;输入反射损耗<-21dB;输出反射损耗<-23dB。它的研制成功,实现了深空探测、天文观测等X波段宽带低温接收机的核心器件国产化。 相似文献
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