有机电致发光材料8-羟基喹啉铝的结构表征

叙述了制备高纯度有机电致发光材料8－羟基喹啉铝（Alq3)的方法；通过X射线衍射谱、核磁共振谱、红外吸收光谱、质谱、X射线光电子发射谱及荧光光谱测试分析，对Alq3的结构和特性进行了表征。标定了Alq3中喹啉环的存在；分析了Alq3中各个H原子的归属、Alq3分子内部金属离子和配位体之间的相互作用以及该螯合物的分子构型。进一步证实Alq3分子中Al-O键为共价键而非离子键。通过X射线衍射谱分析了样品的化学成分；由X射线光电子发射谱分析了Alq3分子中的电子状态和晶体特性。得到了Alq3的荷质比为459.1以及由于金属Al本身的特性，使得在Alq3中Alq2^ 继续裂解为Alq^ 的几率很小。证实了Alq3的荧光发射光谱位于510nm处（绿光范围），光激发位于喹啉环上而不是金属铝离子。与镓、铟螯合物相比，Alq3中铝离子成键共价性弱，极化力较强。     

掺杂8-羟基喹啉铝薄膜的电致发光特性研究

在具有电致发光(EL)的有机整合染料8-羟基喹啉铝(Alq3)中接以染料罗丹明6G(R6G),用真空热蒸发的方法制备器件,获得了峰值波长575nm的黄色直流薄膜电致发光,从而通过掺杂改变了发光颜色.并在Alq3发光层不同区域插入一掺杂薄层(Alq3:R6G),利用其发光波长与未掺杂部分(Alq3)的不同,以此作为“探测层”,通过对器件光谱及电学特性的测量与分析,探讨了有关发光区域,发光机理,界面对发光影响等基本问题.     

8－羟基喹啉稀土螯合物有机薄膜电致发光研究

自1989年C.W.Tang的高性能有机电致发光(Electro-luminescence,即EL)器件工作发表以来[1],有机薄膜EL有可能成为一种新型的大面积平板显示器件.     

掺杂8－羟基喹啉铝薄膜的电致发光特性研究

在具有电致发光（ＥＬ）的有机整合染料８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３）中接以染料罗丹明６Ｇ（Ｒ６Ｇ）,用真空热蒸发的方法制备器件,获得了峰值波长５７５ｎｍ的黄色直流薄膜电致发光,从而通过掺杂改变了发光颜色．并在Ａｌｑ３发光层不同区域插入一掺杂薄层（Ａｌｑ３：Ｒ６Ｇ）,利用其发光波长与未掺杂部分（Ａｌｑ３）的不同,以此作为“探测层”,通过对器件光谱及电学特性的测量与分析,探讨了有关发光区域,发光机理,界面对发光影响等基本问题．     

8-羟基喹啉铝高分子复合物薄膜的瞬态荧光特性与机理

对 8 -羟基喹啉铝 (Alq3)高分子复合物薄膜的的瞬态荧光特性和机理进行了研究 ,发现复合物薄膜的荧光寿命比 Alq3样品的寿命明显缩短 ,荧光峰值波长紫移 ,高分子基质引起的淬灭过程可能是导致复合物薄膜寿命降低的主要原因 ,而 Alq3分子与基质分子间的互作用则引起荧光峰值波长的移动。     

8-羟基喹啉铝在多孔铝中的发光研究

利用多孔铝非常高的孔隙率,将8-羟基喹啉铝(Alq3)镶嵌到多孔铝中,得到Alq3/多孔铝镶嵌膜,研究了不同条件下制备的多孔铝镶嵌膜的荧光光谱。实验表明,Alq3在多孔铝中的发光峰位在490 nm左右,比其在固态粉末状态蓝移了许多。Alq3/多孔铝镶嵌膜的发光特性与多孔铝中嵌入Alq3分子的数量及聚集程度有关。当分子数量较多、聚集程度较大时,发光增强,光谱峰位红移,但聚集程度太大时,易发生荧光猝灭现象。数量较多时,由于Alq3分子大多以范德瓦尔斯力结合,聚体较少,所以峰位移动幅度不大。实验中还发现,Alq3因为处在小孔中,光学性质稳定,荧光光谱带宽超过100 nm,比一般染料大得多,这使Alq3/多孔铝镶嵌膜有可能在固体可调谐激光器方面得到新的应用;同时也为探究Alq3/多孔铝镶嵌膜在电致发光器件中的发光特性奠定了基础,为将其进一步推向实用提供了实验依据。     

多孔铝镶嵌8-羟基喹啉铝荧光光谱研究

利用多孔铝非常高的孔隙率,将8羟基喹啉铝(Alq3)镶嵌到多孔铝中,得到多孔铝Alq3镶嵌膜.研究了镶嵌膜的荧光光谱,并与Alq3在溶液状态下的荧光光谱进行比较,发现其荧光光谱与Alq3在乙醇溶液中的光谱相似,呈现单分子的发光特征,并且光谱线形更加对称.实验表明,多孔介质有机镶嵌膜有可能成为进一步发展Alq3在电致发光器件方面应用的新途径. 关键词： 多孔铝 8-羟基喹啉铝 光致发光光谱     

以金刚石薄膜为空穴传导层的有机薄膜电致发光

以在半透明金膜上生长的微晶金刚石薄膜作为空穴传导层，得到了以８－羟基喹啉铝（Ａｌｑ３）为发光材料的有机薄膜的电致发光，对器件的电流－电压特性，电压－亮度特性进行了测量，并计算了量子效率，结果表明，该器件具有较高的量子效率及较小的工作电流，从能带图出发，对结果进行了分析。     

8-羟基喹啉合镁作为发光层的明亮电致发光器件

以氯化镁与8 羟基喹啉反应合成了8 羟基喹啉合镁配合物,用元素分析、热重分析和红外吸收光谱分析确定了其组成为Mg(C9H7NO)2·2H2O。结果表明,该配合物是热稳定性高、升华性好、光致发光性能优良的蓝绿色发光材料;以该配合物作为发光层和电子传输层,用真空镀膜法得到了结构为ITO/TPD/Mgq2/Al的明亮的蓝 绿色电致发光器件。     

聚乙烯基咔唑与8-羟基喹啉铝混合体系的荧光衰减

报道了8－羟基喹啉铝和聚乙烯基咔唑薄膜及其混合体系膜的荧光衰减特性。聚乙烯基咔唑／8－羟基喹啉铝重量比100：4的混合膜在波长540nm和460nm处的荧光衰减时间分别为6．47ns和8．5ns。重量比100：10混合膜在波长540nm和460nm处的荧光衰减时间分别为5．5ns和7．9ns。上述两波长对应8－羟基喹啉铝和聚乙烯基咔唑分子荧光发射。混合体系的荧光寿命仅为8－羟基喹啉铝分子荧光的40％，同时也低于聚乙烯基咔唑14ns的荧光寿命。荧光寿命的减少反映出两种分子之间存在较强的相互作用或形成了分子复合体。     

沉积温度对含氢非晶碳膜电学性质的影响

用苯作为源气体,使用微波电子回旋共振(ECR)等离子体气相沉积法在不同温度下制备了含 氢非晶碳薄膜,研究了沉积温度对薄膜的直流电阻率、击穿场强的影响,发现它们与沉积速 率密切相关.测量了薄膜的含氢量与Raman谱,利用Angus等人提出的随机共价网络模型对结果 作了分析. 关键词： 非晶碳薄膜 ECR等离子体化学气相沉积 直流电阻     

八-羟基喹啉铝薄膜光致发光的厚度依赖性质

通过原位测量对八-羟基喹啉铝薄膜(Alq_3)光致发光的厚度依赖性质进行了研究.在 Alq_3向玻璃衬底沉积的初始阶段,Alq_3光致发光谱峰发生了显著红移,此后谱峰随着 Alq_3厚度的增加红移变缓并趋于饱和.Alq_3薄膜厚度从2nm 逐渐变化到500nm 时,Alq_3谱峰位总红移约为12nm.这种 Alq_3薄膜沉积的初始阶段 Alq_3谱峰的显著红移可归因于二维激子向三维激子态的转变.同时,由于激子同衬底的相互作用所引起的非辐射衰变,在 Alq_3沉积的初始阶段 Alq_3光致发光谱峰的强度呈现不同的变化,随后该谱峰的强度随 Alq_3薄膜厚度的增加而快速增加,并在薄膜厚度较大时,趋向于饱和.     

镶嵌于多孔硅微腔中8-羟基喹啉铝的窄峰发射

利用浸渍法将8羟基喹啉铝(Alq₃)镶嵌到多孔硅微腔中,制备了多孔硅微腔—Alq₃镶嵌膜,研究了多孔硅微腔对镶嵌其中的Alq₃自发发射的微腔效应,观察到了光谱窄化、发光强度增强等现象。镶嵌于多孔硅微腔中的Alq₃荧光光谱的半峰全宽只有15nm,而非微腔样品,即镶嵌于普通的单层多孔硅中Alq₃荧光谱半峰全宽在85nm以上。并且有微腔时Alq₃发光强度比没有微腔时Alq₃发光强度增强一个数量级。随机改变微腔中Bragg反射镜高折射率层的几何厚度可使高反射区展宽,从而更加有效地抑制了多孔硅本身的发光模,使发光色度更纯,但由于峰值透射率减小,导致共振峰强度有所减小。多孔硅微腔有机镶嵌膜有可能成为进一步发展Alq₃在电致发光器件方面应用的一条新途径。     

研究快讯 用分步注入法改善SOI—SIMNI薄膜材料的电学性能

采用常规方法和分步注入法制备SOI－SIMNI（Silicon on Insulator-Separation by Implantation of Nitrogen）薄膜材料,用液氦低温霍耳效应进行了分析测量,测量结果表明：分步注入法制备得到的样品具有低的薄层电阻R□和较高的载流子迁移率,实验证明用分步注入法可以明显改善SIMNI薄膜材料的电学性能,对实验结果和机理进行了解释。     

Vibration spectroscopic study of the interaction of tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq3) with potassium

The interaction between Alq₃ and potassium was studied by using Raman and infrared spectroscopies. Infrared reflection absorption spectroscopy (IRRAS) spectra of Alq₃ films show significant changes after potassium deposition, such as the appearance of new bands and changes in relative intensity. Surface-enhanced Raman scattering (SERS) spectra obtained using the 413.1 nm line of a Kr⁺ laser reveal similar changes. Changes are even more obvious when the 530.9 nm line was used for excitation. Changes in the SERS for excitation with the 413.1 nm line are less obvious due to a strong photoluminescence. The vibrational pattern of potassium-doped Alq₃ cannot be explained by the formation of radical anion by simple charge transfer, indicating the excess electron is not delocalized over the molecule. The observed spectral change suggests that the potassium atom interacts with both nitrogen and oxygen atoms of Alq₃ molecule.     

高导热高电绝缘AlN的微结构及低温热特性分析

本从低温微结构工程学的观点，比较A1N中加入Sm2O3、Dy2O3、Sm2O3-Dy2O3稀土烧结助剂的热导率、第二相铝酸盐的变化，探讨了铝空位和氧影响A1N的热导性,从A1N的热导率与微结构的比较表明微结构的区别可能是铝酸盐相形成品间液相润湿粉体性质的差异，但这种差异不能影响烧结行为，因此热导率和微结构之间不能建立清晰的相关性,实验装置以C—M制冷机为冷源，用低温多路数据采集系统测量了A1N—5wt％Sm2O3-Dy2O3材料在低温30K—160K的热导率，在本实验温区其热导率随温度升高而增大，实验表明该材料可以作为高温超导直接冷却要求的高导热高电绝缘器件材料。     

纳米银粒子复合膜的制备及光学性质测量

本文介绍了一种制备纳米复合薄膜的简易方法.以银胶为纳米粒子的来源,将银粒子渗入明胶基质中,成功地制备出纳米银粒子明胶复合膜及染料(FS,Rh6G)包覆纳米银粒子的复合膜.并报道了所制备的复合膜的电镜(TEM)、吸收谱和荧光光谱测量结果.     

聚（2，5－二丁氧基对苯乙炔）电致发光性能的研究

本文对以聚（２，５－二丁氧基对苯乙炔）为发光层的聚合物电致发光二极管的电致发光性能和影响其性能的因素进行了研究．其发光峰值波长为５９０ｕｍ，起亮电压为１２Ｖ，最大亮度可达１１２ｃｄ／ｍ２．热处理温度和时间影响其发光强度和峰值波长，一般以２００℃，真空处理３．５ｈ为宜．还原气氛（Ｎ２＋Ｈ２）下的热处理有利于电致发光性能的提高．器件在空气中具有一定的使用寿命．其量子效率可达０．１６％光子／电子．并研究了器件制备工艺对性能的影响，初步探讨了聚合物电致发光机理．     

各向同性纳米结构Fe-Pt薄膜的结构和磁性

采用直流溅射和热处理技术制备了两个各向同性的纳米结构Fe-Pt永磁合金薄膜系列,并研究了它们的结构和磁性.研究表明,在富Fe双相纳米结构Fe-Pt永磁合金薄膜中,仅由硬磁的FePt相与软磁的Fe₃Pt相组成;在同一系列中,随Fe层厚度的增加,饱和磁极化强度和剩磁明显增大.由Kelly-Henkel图研究指出,在上述Fe-Pt纳米结构永磁合金薄膜中,磁相互作用主要由近邻纳米晶粒间的铁磁交换相互作用控制. 关键词： 磁性薄膜 纳米结构 矫顽力