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本研究探索了一种电泳选域组装碳纳米管发射器到正栅极结构的衬底中作为三极管结构的场发射显示阴极的工艺.在这个工艺中,悬浊液中的碳纳米管在施加于栅极电极和阴极电极的电压的作用下移向并淀积到三极管结构的衬底中.同时,这个栅极电极的正电压能够排斥悬浊的碳纳米管,使栅极电极不吸附碳纳米管.实验结果表明,碳纳米管选域组装到栅极孔洞中去,并且每一个孔洞中碳纳米管具有相同的组装密度.该工艺成本低、可实现大面积阴极的制备,是一种在制备三极管型碳纳米管场发射显示阴极中可供选择的工艺. 相似文献
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提高碳纳米管阴极膜场发射特性的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过研究多步印刷制备的多层碳纳米管(CNTs)厚膜的场发射性能,发现开启电场随印刷次数增加而增加,二次印刷膜具有最好的场发射特性。微观特性研究表明,两步印刷制作的CNTs膜在热处理后界面间形成了良好的匹配结构,且底层膜与基底接触面积增加,从而增加了膜层导电性和形成欧姆接触的几率,并且提高了平均场增强因子。四种不同成分的CNTs膜一致显示两步印刷显著提高了CNTs阴极膜的场发射电流及发光均匀性。 相似文献
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针对丝网印刷碳纳米管(CNT)阴极,提出用电解液法进行表面后处理,有效改善碳纳米管阴极场发射特性.利用扫描电子显微镜表征电解液法处理前后CNT阴极表面形貌变化,并对处理前后CNT阴极进行场发射特性测试.结果表明,电解液法处理后有更多的CNT伸出有机浆料表面,开启电场从2.4 V/μm降低到1.4 V/μm,同样面积的薄膜(印制面积为1 cm×1 cm)在3.0 V/μm场强下的发射电流由100μA提高到了1 800μA,说明电解液处理对于提高薄膜的场发射特性有明显作用.该方法在碳纳米管场发射显示器的制作中具有很好的实际应用价值. 相似文献
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针对丝网印刷碳纳米管阴极,提出电流法进行表面后处理,有效改善碳纳米管阴极场发射特性.利用扫描电子显微镜表征电流法处理前后CNTs阴极表面形貌变化,并对处理前后CNTs阴极进行场发射特性测试.结果表明,电流法处理后CNTs阴极表面残留有机物被破坏,开启电场从2.4 V/μm降低到1.6 V/μm,同样面积的薄膜(印制面积为1 cm×1 cm)在2.6 V/μm场强下的发射电流由30 μA提高到了800 μA,说明电流处理对于提高薄膜的场发射特性有明显作用.该方法在碳纳米管场发射显示器的制作中具有很好的实际应用价值. 相似文献
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提出了一种新型阴极结构使发射电子束会聚以减小像素。用ANSYS软件模拟凹面阴极CNT-FED的发射过程。将凹面阴极发射与平面阴极发射进行比较,并对影响会聚的重要参数进行研究。试验结果表明,凹面阴极发射电子束会聚明显。随着凹面曲率逐渐变大,电子束会聚增强,阳极光斑半径逐渐减小。进一步增大凹面曲率,电子束发生交叉,光斑半径逐渐变大。适当的参数组合可使电子束会聚在阳极上很小的区域内,自会聚阴极可用于低功耗CNT-FED的设计。 相似文献
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在不同表面宏观电场下对定向生长于镍片上的碳纳米管膜的场致发射电流密度进行了测定,被测样品是在作者提供的纯镍基片上由美国Xintek公司加工,测试条件为:发射窗口直径3mm,平行板电极系统极间的距离0.4~1.0mm,可微调,测试电压0~1000V。在相同实验条件下,多次测量电场强度与发射电流密度的关系及其稳定性。在距离不变及中等工作电压的情况下,测定了样品连续工作及反复间断工作时场致发射电流的稳定性。将测量结果分别与美国公司公布的资料及作者两年前对西安交通大学所提供的硅基片碳纳米管所做的测定结果进行了对比,依据对本次样品的测量数据建立了相应的j-E关系曲线的数学拟合函数表达式,为用本次样品设计制造碳纳米管冷阴极X线管做了准备。 相似文献
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电泳沉积纳米金刚石涂层场发射阴极工艺研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用电泳沉积(EPD)制备薄膜的方法,在金属钛片上均匀地涂覆纳米金刚石涂层,经真空热处理,制成场发射阴极.该文主要研究了不同的电泳液配方、电泳电压及电泳时间对涂层制备的影响.实验结果表明,粘度系数较大的电泳液及较低的电泳电压下适当延长电泳时间有利于改善涂层的均匀性和致密性;典型样品开启电场为5.5 V/μm,在20 V/μm场强下的电流密度达到169 μA/cm~2.发光测试表明,发光点密度较大且均匀分布,发光稳定,亮度较高.用X-射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的成份及形貌进行了分析,结合其场发射测试结果,解释了样品性能的差异和变化. 相似文献
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碳纳米管场致发射结构的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
碳纳米管以其特有的电学性质而成为一种优良的冷阴极材料。在场致发射器件中,真空度是决定发射稳定性的一个重要因素。如果碳纳米管阴极附近的真空度太低,将产生打火、气体电离、离子回轰阴极等问题,将导致阴极发射电流的迅速衰减。本文通过对基于碳纳米管冷阴极的二极管和三极管的场发射特性的实验,分挤了残余气体压强与外加电压、发射体工作时间的关系以及碳纳米管阵列的I-E曲线,利用这些结果可以优化碳纳米管场致发射结构的设计。 相似文献
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类金刚石薄膜冷阴极场发射研究进展 总被引:1,自引:0,他引:1
类金刚石薄膜具有负电子亲和势且易制备,作为冷阴极场发射材料在平板显示领域有潜在的应用价值而引起了人们的极大兴趣。本文对近年来国内外有关类金刚石薄膜制备方法,场发射实验与机理的研究现状进行了综述。 相似文献