电沉积多晶CuInSe_2薄膜的光电化学——Ⅰ.CuInSe_2薄膜的电沉积

研究了含Cu~(2+),In~(3+),HSeO_2~+等离子的酸性电解液中CuInSe_2的电沉积过程.对电沉积条件进行了优化选择,对电沉积机理进行了探讨.对钛基底上的沉积膜的物性和结构分析表明,沉积膜的结晶性良好,颗粒均匀而连续,为多晶黄铜矿型结构.在多硫氧化还原电对液中,用这种沉积膜制成的光电化学电池具有明显的光响应.     

脉冲激光沉积纳米TiO2薄膜电极的现场光电化学

在O3 /O2 气氛中采用 35 5nm激光烧蚀金属钛靶的反应性沉积薄膜方法 ,成功地在镀ITO膜的玻璃基片上制备了纳米锐钛矿相TiO2 薄膜电极 .用循环伏安法研究了在Li/TiO2 电池中TiO2 薄膜电极的电化学嵌入Li离子的行为 .由现场快速紫外可见吸收光谱实时监测TiO2 薄膜电极的显色特性 ,在波长 42 0和 6 5 0nm附近出现 2个明显的吸收峰 ,并发现TiO2 薄膜电极的吸收谱的涨落过程与Li离子的嵌入和脱嵌过程具有相关性与可逆性 ,表明该纳米TiO2 薄膜电极具有高质量的光电化学性能 .     

Cu(SCN)2-水系电沉积制备CuSCN薄膜

Cu(SCN)2-水系电沉积制备CuSCN薄膜;p-CuSCN薄膜;电化学沉积;EDTA     

电沉积银铟硒薄膜的(光)电化学特性研究

银铟硒是继铜铟硒之后新发展起来的另一种能源、信息功能材料，它的禁带宽度Ｅｇ＝１．２０ｅＶ，更接近于光电转换效率最高的太阳能电池所应具有的能隙值［１］，因此具有广泛的应用前景．早在六十年代，前苏联就对银铟硒的物理性质及电子特性有过报道．目前有关光电化学电池（ＰＥＣ）所利用的银铟硒薄膜材料的制备大多是采用大晶粒熔融生长法［２，３］．８０年代，ＲａｖｉｅｎｄｒａＰ．Ｔ．Ｋ．Ｓｈａｒａｍａ［４］曾报道应用电沉积法制作ｐ＿ＡｇＩｎＳｅ２／ＣｄＳ液结太阳能电池，但真正利用电化学沉积制备银铟硒的报道不多，由电…     

电沉积制备p型CuInSe_2薄膜

CuInSe_2化合物半导体的禁带宽度适中,是一种较理想的光电转换材料,有关它的研究已有报导.本文用电沉积法初步制得ρ-CuInSe_2薄膜,并观察到有光电效应.此法设备及工艺简单,具有发展前途. 用0.5cm~2钛片或镍片作基底.钛片在12ml HNO_3(比重1.4),3mlHF(40%),15ml蒸馏水组成的侵蚀液中在60—80℃下侵蚀4分钟;镍片在0.3NHNO_3中浸15分钟.皆用水洗净后待用. 将200ml所需浓度的InCl_3溶液分成两份,一份中加5滴NH_4OH和适量CuCI,另一份中     

AgInSe~2薄膜的电沉积及其上的光电化学振荡行为

采用电沉积方法得到了AgInSe~2薄膜, 并研究了它的一些光电性质。发现在其上阴极还原H~2O~2时会产生周期性的电化学振荡现象, 且该振荡行为有效地受外界斩光频率控制, 这将可能发展成为光电传感器。     

硫脲及其衍生物对铜阴极电沉积影响的电化学研究

铜的电解精炼中硫脲是一种重要的有机添加剂,它对铜阴极电沉积质量的影响已早有报道［１,４］,但硫脲及其衍生物对铜阴极电沉积过程的影响尚未见报道．为此,我们采用线性电位扫描法、循环伏安法、ＸＲＤ测试技术,研究了在铜电解液中分别添加硫脲、丙烯基硫脲或苯基硫脲等,对阴极铜沉积过程及其电化学参数ｉ０,αｎ,Ｉｄ产生的影响,实验采用的电解温度及铜、酸含量均以电解铜实际生产的条件给定．１　实　验采用三电极体系,阴、阳极均由含铜９９．９８％的纯铜片制备,面积１×１ｃｍ２,参比电极为饱和硫酸亚汞电极．电解前用１～…     

电化学沉积制备半导体CuInSe2薄膜

本文报道恒电位法在pH为1.35的Cu₂SO₄、SeO₂、In₂(SO₄)₃溶液中,在Ti电极上电化学沉积制备CuInSe₂纳米薄膜.研究络合剂柠檬酸和酒石酸对制备CuInSe₂纳米薄膜的影响.扫描电子显微镜(SEM)结果表明,加入络合剂后,电化学沉积的薄膜表面颗粒分布更均匀、致密.X射线衍射(XRD)分析显示,制备的CuInSe₂薄膜是黄铜矿和闪锌矿相的混和物,添加柠檬酸和酒石酸后,衍射峰增强,晶形变好.制备的薄膜颗粒尺寸大小在250nm左右,造成粒度增大的原因是由于颗粒的团聚作用.     

InGaAs薄膜电共沉积研究

本文应用优化工艺条件的电共沉积方法 ,制备发射光近于 1.3～ 1.5μm波长的InGaAs薄膜 .用能谱分析仪进行薄膜成分分析 ;分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率 ,同时也测量了薄膜的V I特性、导电类型及其表面形貌 .     

液相电化学沉积类金刚石薄膜的研究进展

采用电化学沉积法开展液相中类金刚石薄膜的制备工艺和理论的研究,对于完善类金刚石薄膜的合成技术,开拓类金刚石薄膜的应用领域,具有很重要的理论意义和实用价值。本文概述了液相电沉积技术的基本原理和方法,重点从四个方面介绍了电化学方法制备类金刚石薄膜的研究进展,总结了该方法所制备样品的性能,并对可能的反应机制作了综合性的阐述,最后对液相电沉积类金刚石薄膜的发展前景进行了展望。     

溶胶-凝胶法制备掺杂二氧化钛薄膜及其光电性能研究

运用溶胶-凝胶法制备玻璃、陶瓷材料,具有低温、均匀、高纯、溶液铸塑等独特的优点,已引起科研人员的极大兴趣^[1]。二氧化钛是一种具有良好的光学性能的半导体材料,并已被广泛地研究。     

柠檬酸钠辅助光化学合成Cu2-xSe纳米晶

近年来,纳米颗粒由于具有许多独特的物理、化学性能而引起人们的高度重视。硒化铜纳米晶也因其组成多样性且能广泛应用于太阳能电池,超离子导体等领域而成为学术界的研究热点之一。目前,已有多种方法用于制备硒化铜纳米晶。例如,钱逸泰研究小组用溶剂热法及γ射线法制备了多     

利用二氧化钛簿膜光催化降解废水(英文)

主要研究了在ＴｉＯ２薄膜上光催化降解有机磷废水。结果表明,镀膜基片不同、光催化时间不同、ＴｉＯ２晶型不同均对降解速率有影响。感兴趣的是可以利用太阳紫外光降解有机磷废水。     

CdSe_xTe_(1-x)薄膜的光电化学研究

用涂敷法制备了Cdse_xTe_(1-x)薄膜电极0.8>x>0.4,其组成和结构用X射线衍射及X射线荧光光谱进行分析。对薄膜电极的光电化学性能,转换效率,能隙与x的依赖关系进行了研究。通过烧结工艺的改进,获得光电转换效率高于12％的薄膜电极。     

制备条件对二氧化钛薄膜性能的影响(英文)

用低压化学气相沉积法制备ＴｉＯ２薄膜。研究表明,水的分压、沉积温度、基片材料均对沉积速率有影响。在硅片上镀膜,沉积温度相同而退火温度不同,则薄膜结构亦不同。当退火温度高于８５℃时,薄膜为纯金红石薄膜。     

Electrodeposition of Thin Cu–Cd–Se Film Layers

The formation of ternary Cu–Cd–Se thin film layers on a polycrystalline Pt electrode during the voltammetric scanning is examined. A sulfuric acid matrix containing selenious acid and uncomplexed Cu²⁺ and Cd²⁺ ions is used in all the cases. The growth kinetics is monitored by cyclic voltammetric measurements. The composition and structure are analyzed by XRD and ex situ Auger electron spectroscopy techniques. An underlying electrodeposition mechanism is proposed for the ternary system formation. It is shown that the growth process has a multistage character. Cu–Cd–Se film layers up to 2.5 m are obtained on a polycrystalline Pt cathode by potentiostatic electrolysis at E = 0.05 V (SHE). The chemical composition of the obtained layer is 39.1, 10.6, and 50.3 at. % Cu, Cd, and Se, respectively.     

聚ε-己内酯薄膜的受限结晶行为研究

利用原子力显微镜(AFM)系统地研究了聚ε-己内酯(PCL)在物理受限空间,即在薄膜、超薄膜中的结晶行为.结果表明,PCL的结晶形态与薄膜的厚度有关.当薄膜的厚度大于2Rg(Rg为回转半径)时,高分子结晶形态呈现球晶;当厚度介于Rg~2Rg之间时,高分子结晶生成枝蔓或树枝状结构;当厚度小于Rg时,其结晶形态为“岛”状结构.讨论了结晶温度、分子量与基底等对高分子结晶形态的影响.PCL在薄膜中的结晶是一个扩散控制的动力学过程,其生长机理可以用有限扩散凝聚(DLA)来解释.     

PHOTOELECTROCHEMISTRY OF ELECTRODEPOSITED POLYCRYSTALLINE CuInSe_2 THIN FILMS (Ⅰ)——ELECTRODEPOSITION OF CuInSe_2 FILMS

Electrodeposition of CulnSe, was investigated in acidic solutions containing Cu~(2+), In~(3+) and HSeO_2~+ ions. The electrodeposition condition was optimized with the aim of obtaining uniform thin films on titanium substrate. The mechanism of the electrodeposition process is discussed. Structure analysis of the deposited film shows a typical polycrystalline chalcopyrite structure, good crystallinity and homogeneous dispersion. The photoelectrochemical cells made of these kinds of deposited films in polysulfide redox solution give distinct photoresponse.     

纳米TiO2复合薄膜光催化降解甲基橙的研究

本文通过Sol-Gel工艺在载玻片表面、多孔陶瓷表面及玻璃纤维表面制得了均匀透明的纳米TiO₂复合薄膜,以甲基橙为研究对象,紫外灯为光源,研究了甲基橙初始浓度、光照时间、催化剂载体比表面、初始溶液的pH值对甲基橙降解率的影响,并比较了半导体耦合薄膜的光催化降解能力.研究结果表明:SnO₂-TiO₂复合膜相对于其它耦合膜及金属(La)掺杂膜有较高的降解率.