硼注入砷化镓的电子阻止本领

由文献上R_p的实验数据,用相对校正法和我们编制的LSS方程数值求解程序,算得B⁺→GaAs的电子阻止本领为NS_e(E)=12.4E^0.605,以及B⁺→GaAs的射程统计参数R_p,△R_p和R⊥。 关键词：     

正偏离Bragg定律的二元化合物靶中离子射程参数研究

研究了正偏离Bragg定律,即计算S_e(E)值高于实测S_e(E)的二元系化合物靶的离子射程特性。文中应用“regular”观点引入了“双原子模型”,在二元化合物靶的射程计算中,不仅考虑相同“原子对”对离子的阻止本领S₁₁(E),S₂₂(E),而且考虑不同“原子对”对离子的阻止本领S₁₂(E),S₂₁(E)。文中还应用Berthelot关系,使S₁₂(E)=S₂₁(E)=(S₁₁(E)·S₂₂(E))^1/2,则二元系靶的阻止本领及总的射程为NS(E)=1/2[(N₁S₁₁(E))^1/2+(N₂S₂₂(E)^1/2)]², R=4/a[x-A₁(arctg(2x+f)/△^1/2-arctg(f/△^1/2))-B₁(ln(x+g)²/g²·e/(x²+fx+e)) -b/2 ln(x²+fx+e/e)。这里X=E^1/2,E为离子注入能量,所有其它常数是与离子和靶的质量、原子序数有关的常数。结合文献[1]提出的R与R_p,R_p与△R_p的关系式,可计算得正偏离系统的投影射程R_p及其偏差量△R_p。并对各关系式的物理意义作了阐明。 关键词：     

合金三元和四元系无定形靶中离子射程研究

本文应用Vagard定律,由二元系投影射程R_p的线性组合计算合金三元或四元系R_p。计算的H⁺→GaAlAs,InAs,InGaAs,Be⁺→GaInSb和InAsSb,以及B⁺→Cd_0.2Hg_0.8Te多元系合金靶的R_p,与文献报道的实测值或计算值甚为符合。此外,还计算了H⁺→GaInAsP,GaAlAsSb和 关键词：     

Mo-SiO2-C3H6催化反应体系的ESR动态表征

文章考察了Mo-SiO₂催化剂体系在丙烯歧化反应过程中的动态ESR波谱,发现在催化歧化反应过程中有两种Mo⁵⁺顺磁中心,一种为扰动八面体配位,g_||=1.89,g_⊥=1.94;另一种为扰动四棱锥配位,g_||=1.86,g_⊥=1.95。测得同位素^95,97Mo⁵⁺的各向异性超精细耦合常数A_||=90.3×10^-4cm^-1,A_⊥=44.8×10^-4cm^-1;观测到反应产生的积炭信号,g≈2.0O₂;氧阴离子自由基信号g₁=2.018,g₂=2.011,g₃=2.005。用LCAO-MO理论对上述Mo⁵⁺的ESR波谱进行计算,求得分子轨道系数,发现并总结出△g_||/△g_⊥与△g成直线关系,并建议用△g_||/△g_⊥=4(△E(B₂→E))/(△E(B₂→B₁)(β₁/ε)²之比值作为衡量C_4v扰动程度的尺度。     

四角或三角畸变立方晶场中(3d)1过渡金属离子的劈裂因子

对四角或三角畸变立方晶场中的(3d)¹离子,在已有的静电晶场理论的基础上,采用“集团模型”,进一步引入Γ_∥, Γ_⊥及K_∥, K_⊥,R_∥, R_⊥,并考虑E_g混入T_2g,导出适用于四角或三角畸变立方晶场各种可能情况的g_∥, g_⊥公式。讨论了g_∥, g 关键词：     

化合物和合金中离子投影射程分布矩的计算(Ⅱ)——轻离子(Z1≤10)的射程分布矩

本文根据离子在固体材料中电子阻止截面的实验资料,给出了低能Li⁺,Be⁺,B⁺,C⁺,N⁺,O⁺,F⁺,Ne⁺等离子在固体中电子阻止截面S_e的经验公式。这些经验公式既能够很好地反映电子阻止本领的Z₁和Z₂振荡、又能正确地给出S_e随离子能量E的变化关系。用这种以实验为基础的S_e经验公式和符合于WHB势的核散射函数,计数了从H⁺到Ne⁺十种轻离子在非晶Al₂O₃,SiO₂,20/25/Nb不锈钢,LiNbO₃和UO₂等材料中的投影射程分布的一次至三次矩。将计算值与近几年的实验测量及其他人的计算结果进行了比较,在低能端,我们计算的平均投影射程R_p与实验符合得更好。 关键词：     

YAlO3:Nd3+的子能级R1和R2的热移位

实验测定了YAlO₃:Nd³⁺的子能级R₁,R₂的热移位值。研究了单声子项中积分主值的行为,并计入光频支项对子能级热移位的贡献。用包含Raman项、单声子顶、光频支项的公式拟合计算子能级R₁,R₂的热移位,拟合计算值与实验值符合得很好。 关键词：     

掺铒碲酸盐玻璃中的浓度猝灭机理研究

测试了掺铒碲酸盐玻璃在不同掺杂浓度下的荧光特性.根据Dexter能量转移理论计算了Er3+在碲酸盐玻璃中发生浓度猝灭的临界距离R₀及Er³⁺间相 互作用参 数C_Er-Er，并与其他基质玻璃中C_Er-Er数值进行了比较.最后建立 了Er³⁺基于OH^-作为猝灭中心下碲酸盐玻璃中的浓度猝灭模型. 关键词： 浓度猝灭模型 能量转移 碲酸盐玻璃 3+')" href="#">Er³⁺     

KCdF3晶体中Cr3+-Li+中心局域结构研究

利用零场分裂参量与晶体结构之间的定量关系,研究了双掺杂晶体KCdF₃:Cr³⁺,Li⁺的局域结构。指出,对于KCdF₃:Cr³⁺,Li⁺晶体,四角晶场的形成包含两个方面:(1)由于电荷补偿而产生的等效电荷形成的四角对称晶场;(2)Cr³⁺的局域结构发生晶格畸变而产生的四角对称晶场。事实上,当Cr³⁺和Li⁺掺入KCdF₃晶体时,Cr³⁺代替了Cd²⁺离子;由于Cr³⁺离子与Cd²⁺离子的半径不同、电荷不同、质量不同,导致Cr³⁺的局域结构发生晶格畸变,由此而产生四角对称晶场;由于电荷补偿,Li⁺离子取代了[001]方向与Cr³⁺离子邻近的Cd²⁺离子,由此产生的等效电荷而形成的四角晶场。这样,Cr³⁺的局域结构由O_h对称变为C_4v点对称。文中建立了ZFS参量和晶体结构之间的定量关系。在考虑晶格畸变和等效电荷的基础上,研究了KCdF₃:Cr³⁺,Li⁺晶体的ZFS参量,理论结果和实验符合很好。得到了F^-离子向中心离子分别移动为ΔR₁=0.00268nm,ΔR₂=0.001nm,ΔR₃=0.00165nm。     

Cq+(q=1-4)与He,Ne,Ar碰撞的电子损失截面测量与研究

在中能区测量了C^q+(q=1-4)与He,Ne,Ar气体原子碰撞的电子损失截面,计算分析了入射离子损失两个电子与一个电子的总截面比 R₂₁. 单反应道分析无法完全解释所有实验结果,必须同时考虑入射离子的电子损失、电子俘获和靶原子电离各种出射道间的耦合作用. 对于不同靶原子的碰撞,入射离子损失一个电子和两个电子的速度阈值可以由屏蔽和反屏蔽理论解释. 然而,该理论不能完全解释截面比 R₂₁ 关键词： 离子-原子碰撞 截面 电子损失     

无定形靶中离子注入的R,Rp,△Rp的理论计算

本文在Thomas-Fermi势能基础上,导出了全射程R的解析解:R=2/a[E^1/2-A₁(arctg(2E^1/2-f)/△^1/2+arctg f/△^1/2)+B₁ln((E^1/2-f)²)/(E-fE^1/2+d) ·d/f²],其中A₁,B₁,f,d和△均为与离子及靶的质量、原子序数有关的常数。结合导出的η=R/(R_p)(R_p指投影射程)比值的双曲线函数关系 η=F(μ)[A₂(μ)+(B₂(μ))/(ε^1/2+C)],和ω=R_p/△R_p(△R_p指投影射程的标准偏差)比值的线性关系ω=A₃(μ)ε^1/21/2+B₃(μ),可简便而又准确地计算R,△R_p,R_p.这里F(μ),A₂(μ),B₂(μ), B₃(μ)和A₃(μ)为μ的代数函数,μ为离子与靶的质量比,C是经验常数.并对η等关系式的物理意义作了讨论。上述公式的计算结果与Gibbons的数值解结果及有关实验结果作了比较,表明可用于元素半导体如Si、二元化合物如GaAs以及三元化合物如SiO₂等;既对较轻离子适用,也对重离子适用,具有一定的普适范围。     

无扩散相变中界面动力学的唯象理论及其应用

固态相变中相界面或畴界面的平均运动速度V与有效相变驱动力△G＇(相变驱动力△G与相界面运动阻力△G_R之差)之间的关系可表示为V=φ(△G—△G_R)。当有单向变化的外场(场强为ξ,变化速率为ξ)作用于相变系统并能诱导相界面运动时,就会产生母相/新相间的转变。在相变过程中同时叠加一个交变应力时,则可计算得界面动力学关系V=φ(△G—△G_R)与相变过程内耗Q^-1、相关的模量亏损(△M/M)、相变速率dF/dξ、相变应变ε₀间的关系为 [d lnφ(△G-△G_R)/d(△G-△G_R)]= Q^-1ω/n²M(dF/dξ)ξ = (△M/M)ω/nMε₀(dF/dξ)ξ, 以及 (△M/M)/Q^-1=ε₀/n。此处ω为交变应力的圆频率,M为与振动模式有关的弹性模量,n为应力与界面运动的耦合因子。因此,界面动力学关系式的通解为 V = ∑(±n)/(α≠-1) A_α exp{[(△G-△G_R)/△G_α^*]^{α+ 1}/(α+ 1)} +∑(m)/(β₀) A_β[(△G-△G_R)/△G_β^*]^β 此处n,m为正整数。上式中的各项参数可由实验数据确定。此外,(△M/M)/Q^-1的等式还可用于判别相变过程的模量亏损中有无声子模软化的贡献。 关键词：     

NiTi合金中应力诱导的I/C相变及其界面动力学的研究

在改装了的拉力试验机上,以不同的拉伸速率ε(0.79—18×10^-5s^-1)进行加、卸载试验,并用中间扭摆和四端电位法同时测量了Ni-49at％Ti合金丝在应力诱导I/C相变过程的内耗Q^-1、模量M/M₀、电阻率ρ/ρ₀和应力-应变曲线。研究了应力循环和应变速率的影响。在Q^-1-ε曲线上出现Q^-1峰,而在f²-ε曲线上出现与之相对应的模量极小。内耗峰的高度Q_p^-1和模量亏损值均随ε增大而增大。根据界面动力学模型和内耗的实验数据,计算得应力诱导I/C相变过程界面的动力学关系为V=V^*(△G—△G_R)^m,V^*和m为动力学参数,△G_R为相变过程中运动相界面所受的阻力,计算得△G_R≈1cal/mol。讨论了内耗和模量亏损、软模效应之间的关系。 关键词：     

An investigation of range distribution parameters of implanted 19F ions in Au,Ag and Cu noble metals

Depth profiles of fluorine implanted in gold, silver and copper metal have been accurately measured using the ¹⁹F(p,αγ)¹⁶O resonance nuclear reaction at E_R = 872.1 keV. A proper deconvolution calculation method was used to extract the depth profile of fluorine from the experimental excitation yield curves. The range parameters, R_p, ΔR_p, and SK obtained in this work were compared with the theoretical calculations. The comparison shows that for all materials studied here the experimental R_p values are in good agreement with the results obtained by the TRIM96 code, while the experimental range stragglings, ΔR_p, are systematically larger than the TRIM simulation results.     

非晶态超导体的能隙和霍耳系数之间的经验关系

在大量的非过渡金属和合金中,非晶态超导体的能隙2△₀与霍耳系数R_H以及与相应的液态金属霍耳系数R_HL之间存在着一个经验关系:在R_H(或R_HL)=-3.5—-4.0×10^-11m³/AS之间出现一个2△₀最大值。 关键词：     

溅射原子角分布与靶点表面形貌的关联研究

27keV的Ar⁺离子垂直轰击处于不同温度的Cd靶,用捕获膜技术和Rutherford背散射谱仪(RBS)测定溅射原子角分布,并对所有样品的靶点形貌进行扫描电子显微镜(SEM)观察。结果发现,所有的角分布都呈over-cosine形状,但是在极角为0°处实验值与cosine值的偏离△,是不同的,在靶温度为150℃时的偏离△_T小于在室温时的偏离△_R,亦即△_T<△_R,提出一个简单的模型对这种溅射角分布 关键词：     

R1+εFe4B4化合物中游标卡尺结构对称性表示的两种途径

本文从R_1+εFe₄B₄(ε=0.1)的两个亚结构各自的对称性出发,由两种途径对该化合物的游标卡尺结构对称性进行了描述。结果表明:通过建立公度的长周期超结构模型,可以恢复R_p(Fe₄B₄)_q三维空间对称性,并和p,q的奇偶性组合有关。在p,q同为奇数,p为偶数而q为奇数和p为奇数而q为偶数的情况下,其对称性分别由P4₂/n,Pccn 关键词：     

NiTi合金相变过程中界面动力学的内耗研究

本文采用同时测量内耗、模量及电阻的方法,对NiTi合金变温过程中所发生的正、反马氏体相变及可逆I/C相变进行了系统的研究。结果表明,变温马氏体相变及I/C相变过程中内耗均为粘弹性型内耗,是相界面在克服粘滞性阻力而运动时引起的。从界面动力学出发,研究了相变过程中界面的运动动力学行为。由实验数据求得了马氏体相变过程中界面动力学关系的具体表达式为:V=V^*exp(—△G^*/△G—△G_R);相变过程内耗表达式为:Q^-1=(n²)/2·(μ△G^*)/((△G—△G_R)²)·(dF)/(dT)·T/ω;相变阻力△G_R约为10cal/mol的数量级。讨论了相变过程中的“软模”效应。马氏体相变过程中的模量“软化”来自声子模的软化和界面运动引起的附加模量亏损两个方面。 关键词：