电子束辐照烟气脱硫脱氮反应器中的剂量分布的模拟计算

采用Monte-Carlo程序EGSnrcMP对能量为0.8 MeV的电子束辐照烟气脱硫脱硝反应器中的剂量分布进行了模拟计算,将计算的结果运用MATLAB 数学分析软件进行了数据处理,对能量为0.5 MeV的电子束辐照烟气脱硫脱硝反应器中的剂量分布进行了模拟计算,并与文献中实验测量值进行了比较。结果表明：采用EGSnrcMP程序计算所得到的剂量与实验结果吻合。     

电子束辐照烟气脱硫工程防腐研究

烟气脱硫装置通常运行在恶劣的腐蚀环境中，设备腐蚀情况非常严重。设备的腐蚀不仅严重影响装置的稳定运行，缩短了设备的使用寿命，而且增加了维修和运行费用。因此，解决烟气脱硫设备的腐蚀问题就成为保证烟气脱硫装置稳定运行、降低脱硫成本的重要课题。中国工程物理研究院环保中心于1999年11月建成电子束氨法烟气脱硫工业中试装置并投入运行，烟气处理量为3000～12000Nm^3／h，并在北京京丰热电有限责任公司建设电子束氨法烟气脱硫示范工程。但是，该技术工业化还处于起步阶段，尤其是烟气管道和设备的防腐还没有太多成功经验可以借鉴。     

电子束脱除SO2和NOx的概述

综述了电子束脱硫脱氮的原理、特点和发展．中国成都电厂的电子束脱硫脱氮装置的运行，标志着我国工业应用阶段的开始.Removal SO 2 and NO x by electron beam is reviewed. Its basic procedure is described. The electron beam method has many advantages compared to chemical one. The first industrial facility in China has been built in Chengdu Electric Power Plant and it is ruming successfully.     

基于PLC不稳定烟气脱硫控制系统的设计

针对脱硫的工况特点,设计了一种基于PLC的智能化高效烟气脱硫控制系统。该系统通过监控烟气管道中的温度、流量、颗粒浓度等动态拟合出实时二氧化硫的流量,经分析后及时输出控制指令,进而有效的控制脱硫装置的运行状况,提高脱硫效率,降低了成本。系统以西门子PLC作为脱硫装置控制核心,以紫金桥监控软件为上位机组态软件,通过实际的生产运行,系统的脱硫效率达到了96.2%,,且该系统具有良好的稳定性和实用性。     

燃煤烟气中的CO2和NO对中温烟气脱硫的作用

本文利用实验室规模的循环流化床烟气脱硫实验装置研究了200-400℃范围内的中温干法烟气脱硫过程,并通过对脱硫产物的各种分析,揭示了烟气中CO2及NO对脱硫过程的影响规律及机理。 CO2对脱硫过程有抑制作用,尤其在反应温度大于300℃后,其作用已经不可忽视;NO对脱硫过程有促进作用,但是效果随温度的升高而减小,至350℃以上基本消失,这种促进作用主要是通过生成中间产物Ca(NO3)2而减少CaCO3、CaSO3的生成量来实现的,同时NO的参与也会改善反应的气相扩散条件。     

一种半干法烟气脱硫灰利用的新工艺

半干法烟气脱硫灰所含的大量亚硫酸钙导致脱硫灰处置和利用困难,制约了半干法烟气脱硫技术的推广.本文提出一种半干法烟气脱硫灰热分解制取高浓度二氧化硫联产氧化钙的的新方法.通过文献调研结合某电厂脱硫灰的热重特性,确定本工艺中关键反应的特征温度.针对新工艺的技术难点提出解决方案即采用高温固体热载体作为脱硫灰分解热源,脱硫灰两级...     

电子束泵浦氩中高能电子分布的理论计算

 改进了文献中报导的Boltzmann基本方程。与Boltzmann基本方程相比，改进后的Boltzmann方程更全面地描述了电子与基态氩原子碰撞的物理过程，并能计算出整个能量区间的电子分布。利用Boltzmann基本方程和改进的Boltzmann方程，对电子束泵浦氩中能量大于氩原子第一激发态能量(11.56eV)的高能电子分布函数进行了理论计算。计算中，选取了电子碰撞氩的微分电离截面和激发截面的解析表达式。对计算所得的稳态电子分布函数以及达到稳态分布所需的特征时间进行了分析和讨论。     

用反差确定电子束曝光剂量与刻蚀深度的关系

为了精确地确定电子束曝光剂量与刻蚀深度间的关系,根据抗蚀剂的灵敏度曲线,采用反差经验公式来确定剂量与刻蚀深度间的关系。选用正性抗蚀剂PMMA进行曝光实验,将计算值进行曲线拟合,得到的关系曲线与实验结果基本相符。当剂量在20~35 μC/cm2间时,实验值与计算值间的差值最小,说明当剂量在此范围内时该方法能够更加精确地确定剂量与刻蚀深度间的关系。采用该方法节省了实验时间,提高了刻蚀效率。     

液态水中重离子径向剂量分布的计算

根据建立的重离子径迹结构Monte Carlo计算模型,计算了重离子在液态水介质中的径向剂量分布和最大作用范围,计算结果同实验或其它δ射线理论计算值进行了比较,其目的在于建立细胞损伤强度和损伤范围与重离子参量之间的关系,从理论上探索重离子生物效应的机理.     

电子束泵浦氩中高能电子分布的理论计算

改进了文献中报导的Boltzmann基本方程。与Boltzmann基本方程相比,改进后的Boltzmann方程更全面地描述了电子与基态氩原子碰撞的物理过程,并能计算出整个能量区间的电子分布。利用Boltzmann基本方程和改进的Boltzmann方程,对电子束泵浦氩中能量大于氩原子第一激发态能量(11.56eV)的高能电子分布函数进行了理论计算。计算中,选取了电子碰撞氩的微分电离截面和激发截面的解析表达式。对计算所得的稳态电子分布函数以及达到稳态分布所需的特征时间进行了分析和讨论。     

电子束发散角的直接测量技术模拟研究

切伦科夫辐射是一种方向性极好的辐射,其辐射能量发射方向严格地与带电粒子的运动方向相关,辐射光携带了带电粒子的方向信息,利用这种特性可以进行电子束发散角及其分布的测量。在基于切伦科夫辐射原理的基础上,考虑电子与物质作用时的多重库仑散射、电离等效应,进行了电子束发散角测量的蒙特卡罗数值模拟程序的建模工作,并完成了理想电子束及具有发散角分布的电子束的测量技术模拟工作。大量模拟结果显示,这种测量方法是可行的,具有对电子束发散角分布进行直接测量的能力,并且其测量系统结构简单。     

Monte Carlo方法研究低能电子束曝光沉积能分布规律

建立一个描述低能电子在多元多层介质中散射的物理模型,运用MonteCarlo方法模拟低能电子在靶体胶衬底中的复杂散射过程,在此基础上通过大量计算研究入射束能、胶层厚度、衬底材料等不同曝光条件对抗蚀剂沉积能密度分布的影响,获得沉积能分布规律:适量的低束能、薄胶层、低原子序数衬底可以使前散射电子对胶中沉积能密度分布的贡献增大、背散射电子的贡献减小,从而提高曝光分辨率. 关键词： 电子束曝光 MonteCarlo方法 低能电子散射 能量沉积     

铝中气泡在电子束辐照下的异常放热现象

在室温下,利用离子加速器对纯铝透射样品分别注入He⁺,Ne⁺和Ar⁺三种惰性气体离子,通过透射电子显微镜原位观察分析了纯铝中三种气体气泡在电子束辐照下形貌及电子衍射花样的变化.实验表明,在200 keV电子束辐照下,三种惰性气体气泡均会合并长大,亮度逐渐增强,最终破裂,气泡内部产生许多约几个纳米的黑色斑点衬度像,选区电子衍射花样由单晶斑点衍射花样变为多晶衍射环.这一现象的原因可能是气泡在电子束辐照过程中发生了放热反应,使气泡附近铝熔化后再结晶产生多晶,从而在电子衍射花样中观察到了多晶衍射环.然而,氦气泡在80 keV电子束辐照下氦气泡形貌和选区电子衍射花样保持不变,辐照后衍射花样中无多晶衍射环产生;氦氩混合气体气泡在200 keV电子束辐照下气泡形貌和选区电子衍射花样同样保持不变;这可能与电子束能量和气泡内气体压力有关.     

无箔二极管强流电子束空间密度分布初步研究

通过在强磁场条件下, 利用环形刀口石墨阴极（刀口尺寸38~39 mm）开展电子束轰击收集极内表面铜箔和垂直轰击金属靶片实验, 对无箔二极管中电子束的空间密度分布进行了初步研究, 并对其产生原因进行了分析。研究结果表明, 电子束径向分布在37.2~40.2 mm, 存在密度较高区域（38.8~39.4 mm）和密度最大值点（39.2 mm）, 且均偏向于阴极外侧。无箔二极管环形阴极爆炸发射产生电子束的径向密度分布可用偏态分布近似。     

无箔二极管强流电子束空间密度分布初步研究

通过在强磁场条件下,利用环形刀口石墨阴极(刀口尺寸38~39mm)开展电子束轰击收集极内表面铜箔和垂直轰击金属靶片实验,对无箔二极管中电子束的空间密度分布进行了初步研究,并对其产生原因进行了分析。研究结果表明,电子束径向分布在37.2~40.2mm,存在密度较高区域(38.8~39.4mm)和密度最大值点(39.2mm),且均偏向于阴极外侧。无箔二极管环形阴极爆炸发射产生电子束的径向密度分布可用偏态分布近似。     

电子束辐照对聚碳硅烷结构与热解性能的影响

在惰性气氛下,用电子束对聚碳硅烷 (PCS) 进行辐照改性。利用傅里叶变换红外光谱分析、凝胶含量测定以及热重-气相色谱-质谱连用技术对不同剂量改性的PCS进行了分析表征,研究了辐照剂量对PCS结构与热解性能的影响。结果表明,电子束辐照作用使PCS样品中大量SiH键和CH键发生断裂,形成了以SiCSi为骨架的三维网状凝胶产物,当辐照剂量高于3 MGy时,PCS的凝胶化程度随辐照剂量的增加而明显变大。热重分析表明,电子束辐照有利于提高PCS的热稳定性,其初始失重温度和陶瓷化产率都会随辐照剂量的增加而升高,其中,经20 MGy辐照后的PCS样品的陶瓷化产率可达87%。此外,对于400 ℃预处理的PCS样品,在相同吸收剂量下,样品的凝胶质量分数、初始失重温度和最终陶瓷化产率都较未处理的高。     

电子注对谐振腔中TM模式谐振频率和电磁场分布的影响

将电子注视为等离子体柱,从填充等离子体柱的谐振腔的物理模型出发,推导了圆柱腔填充中心电子注时TM0m0模式的特征方程,并重点分析了填充电子注的圆柱腔中TM010模式和TM020模式的谐振频率和电磁场分布随等离子频率的变化情况。研究结果表明,随着电子注的等离子体频率不断增大,谐振频率也不断增大,谐振腔内电场和磁场的分布也随之发生改变。当电子注的等离子体频率超过谐振腔的谐振频率时,谐振腔内的电磁场分布将发生很大的变化,出现了电子注内外电场方向相反和趋肤效应等现象。     

Analysis of microscopic parameters of surface charging in polymer caused by defocused electron beam irradiation

The relationship between microscopic parameters and polymer charging caused by defocused electron beam irradiation is investigated using a dynamic scattering-transport model. The dynamic charging process of an irradiated polymer using a defocused 30 keV electron beam is conducted. In this study, the space charge distribution with a 30 keV non-penetrating e-beam is negative and supported by some existing experimental data. The internal potential is negative, but relatively high near the surface, and it decreases to a maximum negative value at z = 6 μm and finally tend to 0 at the bottom of film. The leakage current and the surface potential behave similarly, and the secondary electron and leakage currents follow the charging equilibrium condition. The surface potential decreases with increasing beam current density, trap concentration, capture cross section, film thickness and electron–hole recombination rate, but with decreasing electron mobility and electron energy. The total charge density increases with increasing beam current density, trap concentration, capture cross section, film thickness and electron–hole recombination rate, but with decreasing electron mobility and electron energy. This study shows a comprehensive analysis of microscopic factors of surface charging characteristics in an electron-based surface microscopy and analysis.