依赖于时间的Jaynes—Cummings模型中的反聚束效应

本文利用友格－库塔法对多个方程组连续进行积分，提出了一种处理依赖于时间的Ｊａｎｅｓ－Ｃｕｍｍｉｎｇｓ模型，描述二能级原子与腔场相互作用的耦合系数依赖于时间的ＪＣＭ的哈密顿量为Ｈ＝１／２ω０σ３＋ω＾＋ａ＾＋ａ＾＋ｇ（ｔ）（σ＋ａ＋σ－ａ）ｈ＝１（１）这里，ｇ（ｔ）选择为时间上的一个脉冲ｇ（ｔ）＝ｇ０ｅｘｐ（－（ｔ－ｔ０）＾２／２ａ＾２），其中ｔ０和ａ分别为脉冲中心和脉冲宽度，ｇ０是一有量纲常数，     

力学一题解

力学一题解此题的已知条件完全由图线上得知．设距波源。＝２ｍ处质点的振动表示式为由图１可知，ｙ１＝Ａ／２，ｖ１＜０，则又，则所以因为ｔ１＝１０９／１２０，ｔ２＝９１／８０，即由图２可知，波长λ＝１６ｍ，波传播速度ｖ＝λ／Ｔ＝３２ｍ·ｓ（－１）当ｘ＝２，...     

对中专物理教材的两点讨论

由黄伟民主编的中专学校规划教材工科各专业通用《物理》（第二版）上册Ｐ５７的例｝↓↑↓↑↑↓｛↓↑↑↓↑↓｝ｈｈ图２用２．０ｓ乙甲Δｈ１用１．０ｓ用３．０ｓ用３．０ｓ用１．０ｓ１ｈΔ甲乙用２．０ｓ图２．１５２－７和Ｐ７６的习题３．１６欠妥．５７页例题：...     

新型钼（钨）—铁—硫簇合物的穆斯堡尔和晶体结构研究

本实验测定了新型钼（钨）－铁－硫簇合物（１）（Ｅｔ４Ｎ）［ＭｏＦｅ２（μ３－Ｓ）２（ＣＯ）８（Ｓ２ＣＮＥｔ２）和（２）（Ｅｔ４Ｎ）［ＷＦｅ２（μ３－Ｓ）２（ＣＯ）８（Ｓ２ＣＮＥｔ２］的穆斯堡尔谱和晶体结构。它们分子中的两个铁原子是等价的，所以都只的一组对称的四极分裂双峰。这个结果与单晶结构分析一致。经计算机拟合后的穆斯堡尔参数（７７Ｋ时）为：对于（１），化学位移δ＝０．０８±０．００４ｍｍ／ｓ，四     

O（^1D）＋H2非绝热碰撞动力学的Ehrenfest模型研究

本采用Ｈ２Ｏ的二个＾１Ａ１态的双值多体项展式（ＤＭＢＥ）势能函数，用Ｅｈｒｅｎｆｅｓｔ模型方法研究了反应（１）Ｏ（＾１Ｄ）＋Ｈ２→ＯＨ和（２）Ｏ（＾１Ｄ）＋Ｈ２→ＯＨ（Ａ＾２∑＾＋）＋Ｈ的非绝热碰撞动力学过程。讨论了电子非绝热跃迁对反应（１）的影响及Ｈ２振动能对反应（２）的促进作用。并求得反应（１）的室温速度常数为０．９４４×１０＾－＾１＾０ｃｍ＾３．ｍｏｌｅｃｕｌｅ＾－＾１．ｓ＾－＾１。     

取代苯胺基亚胺二茂铁类化合物莫斯鲍尔谱及分子光谱研究

本文报道了６种取代苯胺基亚胺二茂铁类化合物Ｒ－Ｎ＝ＣＨ－Ｆｅ（－Ｆｅ为二茂铁基，Ｒ为－Ｃ６Ｈ４Ｘ，（Ｘ＝Ｈ，４－Ｂｒ，４－ＯＨ，２－ＣＨ３，４－ＣＯＯＨ）及４－ＮＨＣ６Ｈ４ＮＯ２）的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱数据，其化学位移分别为（ｍｍ．ｓ＾－１）：０．３２３，０．３３２，０．３３８，０．３２４，０．３１５和０．３１０。其四极矩分裂值分别为（ｍｍ．ｓ＾－１）：２．２６３，２．２８５，２．２８７，２．２１     

核磁共振波谱研究氟化膦配体及其金属配合物的氟谱化学位移

研究了氟化膦类系列配位体（ＧＰＦ２：Ｇ＝Ｆ，Ｅｔ２Ｎ，Ｍｅ２Ｎ，Ｃ５Ｈ１０Ｎ，ｎＰｒＯ，ＰｈＯ，ｎｅｏＰｎＯ，２，５ｄｉＭｅＰｈ，ｉｓｏＰｒ，ｅｔｃ．）及其与金属镍（０）铜（Ｉ）钼（０）金（Ｉ）形成的配合物的核磁共振氟谱化学位移的定量分子建模，发现了其中的一些有用规律．     

Eu_2（DBM）_64，4＇－BIPY的合成、光谱及铕（Ⅲ）格位

合成了配合物Ｅｕ２（ＤＢＭ）６４，４＇－ＢＩＰＹ．ＩＲ和Ｒａｍａｎ光谱都证实了配合物的生成．７７Ｋ下激光激发高分辨激发光谱和离光光谱表明配合物存在５Ｄ０能级能量差别为１５ｃｍ－１的两种Ｅｕ（Ⅲ）格位，两种Ｅｕ（Ⅲ）离子均不位于对称中心．由５Ｄ０→７Ｆ０、１、２跃迁荧光光谱峰数判断，两种Ｅｕ（Ⅲ）格位的区域对称性均为Ｃ１或Ｃ２或Ｃ２．两种格位Ｅｕ（Ⅲ）离子的发光寿命分别为０．３７ｍｓ和０．３２ｍｓ．     

取代环戊二烯基铬,钼或钨羰基物和有机铁硫砷簇合物UV—VIS…

通过对三种类型十个有机族合物在十种有机溶剂中紫外－可见光谱的测试及计算机辅助处理，得到了族合物在一些溶剂中ＵＶ－ＶＩＳ谱ＣＴ带的ｖｍａｘ／ｃｍ＾－１和溶剂极性参数（ｎ＾２－１）／（２ｎ＾２＋１），Ｚ值之间存在着好的性关系，其相关系分别到了０．９８４－０．９９０。本文还对ＣＴ带的ｖ／ｃｍ＾－１和（ｎ＾２－１）／（２ｎ＾２＋），Ｅｔ（３０）进行了二元线性回归处理，得到了更好的线性关系，相关系数为０．９     

力学一题

力学一题图１为平面简谐波距波源２ｍ处质点的振动随时间变化的函数曲线，即该质点的ｙ－ｔ图线；图２是这列简谐波ｔ＝１／５ｓ的波形图线，即该时刻的ｙ－ｘ图线．根据这两条函数图线上所给出的数据，确定这列平面简谐波的表示式．（天津师范专科学校物理系胡建俊）力学...     

电子波的群速与相速

电子波的群速与相速董庆祥（北京电子科技学院，北京１０００３９）（收稿日期：１９９６—１０—３１）我们首先回顾一下群速与相速这两个概念．在经典波动中，振幅均为Ａ，频率为ω１、ω２的两列简谐波，ｙ１＝Ａｃｏｓ（ω１ｔ－ｋ１ｘ）；ｙ２＝Ａｃｏｓ（ω２ｔ－ｋ...     

双、单摆振动示波装置

双、单摆振动示波装置宋燕盛，孙铁军（吉林工学院长春１３００２１）１实验装置整个实验装置如图１所示：ａ液体槽；ｂ、ｃ极板；ｄ单摆；ｅ策动源；ｆ电源、控制器；ｓ示波器；ｔ框架．２电路原理电路原理如图２所示．将带有中间抽头的直流电源与两极板相连接，单摆（准...     

随机电报过程引起的光失相的计算

本文计算了红宝石中Ａｌ核自旋跳变引起的Ｒ１［４Ａ２（Ｓ＝－３／２）→２Ｅ（Ｓ＝－１／２）］回波衰减．用随机电报过程描述每个Ａｌ核自旋（ｉ）跳变引起Ｃｒ共振频率的起伏Δｉ，这个过程对光子回波衰减的贡献〈Ｅｉ（ｔ２１）〉可以用解析式表示．首先计算核自旋（ｉ）跳变的总速率Ｗｉ及它引起的Δｉ，求出〈Ｅｉ（ｔ２１）〉．设对Ｃｒ光失相起主要贡献的每个Ａｌ核自旋跳变近似是独立的，所以总的回波强度是所有Ａｌ引起的〈Ｅｉ（ｔ）２１〉的乘积．计算得到非指数的回波衰减，以Ｉ＝Ｉ０ｅｘｐ〔－（４ｔ／ｔｍ）ｘ〕拟合，ｘ＝２．５６，ｔｍ＝５０．６μｓ，与实验及计算机模拟的结果一致     

Effects of Atomic Centre-of-mass Motion in T-C Model

ＥｆｅｃｔｓｏｆＡｔｏｍｉｃＣｅｎｔｒｅｏｆｍａｓＭｏｔｉｏｎｉｎＴＣＭｏｄｅｌＸ．Ｘ．Ｙｉ１，３）Ｔ．Ｊｉｎｇ２）Ｊ．Ｃ．Ｓｕ３）（１）ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＴｈｅｏｒｅｔｉｃａｌＰｈｙｓｉｃｓ，ＮｏｒｔｈｅａｓｔＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉ...     

1．55μm InGaAsP／InP应变量子阱激光器的LP－MOCVD生长

本文首次报导了生长温度为５５０℃，以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机物气相沉积（ＬＦＭＯＣＶＤ〕技术，高质量１．６２ｕｍ和１．３ｕｍＩｎＧａＡｓＰ及Ｉｎ０．５７Ｇａ０．４３Ａｓ０．９８Ｐ０．０４／Ｉｎ０．７３Ｇａ０．２７Ａｓ０．６Ｐ０．４量子阶结构的生长，并给出了１．５５ｕｍＧａＡｓＰ／ＩｎＰ分别限制应变量子阱结构激光器的生长条件，激光器于室温下脉冲激射，其阈值电流密度为２．４ｋＡ／ｃｍ２。     

Eu2（DBM）6 4,4‘—BIPY的合成,光谱及铕（Ⅲ）格位

合成了配合物Ｅｕ２（ＤＢＭ）６４，６｀－ＢＩＰＹ，ＩＲ和Ｒａｍａｎ光谱都证实了配合物的生成，７７Ｋ正派激发高分辨激光激发光谱和荧光光谱表明配合物存在＾５Ｄ０能级能量差别为１５ｃｍ＾－１的两种Ｅｕ（Ⅲ）格位，两种Ｅｕ（Ⅲ）离子均不位于对称中心，由＾５Ｄ０→＾７Ｄ０．１，２跃迁荧光光谱峰数判断，两种Ｅｕ（Ⅲ）格位的区域对称性均为Ｃ１或Ｃ２或Ｃ，两种格位Ｅｕ（Ⅲ）离子的发光寿命分别为０．３７ｍｓ和０．３     

低压－金属有机物汽相外延生长的Ga＿（1－x）In＿xAs／InP激光器中深能级的研究

应用深能级瞬态谱（ＤＬＴｓ）技术详细研究低压－金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）生长的Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ／Ｉｎｐ量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的ＤＬＴＳ表明，在宽接触激光器的ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层里观察到Ｈ１（Ｅ＿ｖ＋０．０９ｅＶ）和Ｅ１（Ｅ＿ｃ－０．３５ｅＶ）陷阱，它们可能分别与样品生长过程中扩散到ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层的Ｚｎ和材料本身的原生缺陷有关。而条形激光器的ｉ－Ｇａ＿（０．４７）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｓ有源层的Ｈ２（Ｅ＿ｖ＋０．１１ｅＶ）和Ｅ２（Ｅ＿ｖ－０．４２ｅＶ）陷阱则可能是Ｈ１和Ｅ１与质子轰击引起的损伤相互作用的产物。     

氢化—AFS法测定青藏高原中草药中的微量砷,锑,硒和汞

本文研究了氢化物发生无色散原子荧光法测定青藏高原中草药中的微量砷，锑，硒和汞的方法，在选定的最佳工作条件下，１４种干扰元素的含量低于允许存在量，不影响测定，检出限（μｇ／ｍＬ）为：Ａｓ１．３，Ｓｂ０．３９，Ｓｅ０．２４，Ｈｇ０．４４，９次测定的相对标准偏差（％）的为Ａｓ２．４～４．２Ｓｂ２．５～５．６，Ｓｅ３．１～５．０，Ｈｇ３．８～５．９。４个元素的回收率为９４．７～１０５．４％本方法简便，快速     

谈振动图象和波动图象的区别及联系

谈振动图象和波动图象的区别及联系曹福堂（湖北宜昌市机电工程学校４４３１１１）对于振动图象和波动图象，许多初学者易于混淆，难于分辨，笔者试图作一比较．１区别及联系２举例如图所示是一列简谐波在ｔ＝０时刻的波形图．设波速ｖ＝６ｃｍ／ｓ，方向向右．问①：此时...     

Cs3Cu2I5晶体薄膜吸收谱的研究

本文测定了Ｃｓ３Ｃｕ２ Ｉ５ 晶体薄膜在室温及液氮温度下的吸收谱,并依此计算出该材料的激子参数,即激子束缚能ΔＥ（１）ｅｘ ＝ （０．５３±０．０７）ｅＶ,激子半径ａｅｘ ＝ ０．３２６ ｎｍ ,禁带宽度Ｅｇ ＝ （５．００±０．０７）ｅＶ。在谱分析的基础上,论证了Ｃｓ３Ｃｕ２Ｉ５ 的电子和激子激发定域在该晶体的ＣｕＩ亚晶格之中,同时,揭示了在低温下Ｃｓｘ Ｃｕ１－ ｘ Ｉ系列化合物的第一激子峰位置随其摩尔组分变化的规律。