四方相BaTiO_3及BaTiO_3：Ce的拉曼散射特性研究

四方相ＢａＴｉＯ＿３及ＢａＴｉＯ＿３：Ｃｅ的拉曼散射特性研究王瑞敏，赵铁男，刘竟青，朱恪，朱镛，吴星，林筠（中国科学院物理研究所北京１０００８０）（陕西师范大学物理系西安７１００６２）（中国地质大学北京１０００８１）本文报道了在室温下ＢａＴｉＯ＿３及...     

BaTiO3半导体陶瓷从PTC特性向边界层电容效应过渡问题探讨晶界势垒模型的应用

对作者提出的晶界势垒模型作定量分析．由理论模型得到的结果定量解释了ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷从ＰＴＣ特性向边界层电容效应过渡的有关现象；由此对ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷边界层电容器和ＰＴＣ电阻器的性能作出了设计，设计值明显优于目前的实验值；对提高器件性能的方法作了探讨，提出了相应的措施．本文的结果为ＢａＴｉＯ３半导体陶瓷器件的设计、生产和性能提高提供了理论基础     

Study of the Frog-legs Phase Conjugator in BaTiO_3

Ｓｔｕｄｙ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｆｒｏｇ－ｌｅｇｓ　Ｐｈａｓｅ　Ｃｏｎｊｕｇａｔｏｒ　ｉｎ　ＢａＴｉＯ_３ＳｔｕｄｙｏｆｔｈｅＦｒｏｇ－ｌｅｇｓＰｈａｓｅＣｏｎｊｕｇａｔｏｒｉｎＢａＴｉＯ_３￥ＷＡＮＧＬｉｊｕｎ；ＷＡＮＧＪｉａｙｏｕ；ＧＵＯＳｉｊｉ（Ｄｅｐ...     

水热条件下钛酸钡晶粒生长基元模型研究(Ⅱ)生长基元稳定能计算及晶粒的成核与生长

报道了ＢａＴｉＯ３晶粒生长基元稳定能计算的结果，并以此说明了水热条件下ＢａＴｉＯ３晶粒成核及生长过程     

相方相BaTiO3及BaTiO3：Ge的拉曼散射特性研究

本文报道了在室温下ＢａＴｉＯｅ及ＴｉＯ３：Ｃｅ的拉曼谱的特点，着重讨论了前向散射配置下两个Ａ１（ＴＯ）模（位于２７５ｃｍ＾－１和５１６ｃｍ＾－１左右）出现在Ａ１（ＴＯ）谱中的原因，通过设计特别的前向散射实验得到了此配置下由于晶体出射两对入射光的反射造成的背向散射的强度。在ＢａＴｉＯ３的前向散射谱中扣除了背向散射面对人入射光的反射造成的背向散射的强度。在ＢａＴｉＯ３的前向散射谱中扣除了背向散射信号后     

晶体压致非晶化的拉曼散射研究

本文主要介绍压致非晶化研究的进展，其中包括我们对β—ＢａＢ＿２Ｏ＿４，ＬｉＢ＿３Ｏ＿５，Ｐｂ＿５Ｇｅ＿３Ｏ＿１１和Ｌｉ＿２Ｇｅ＿７Ｏ＿（１５）的拉曼散射研究结果。综述了压致非晶的结构特征，压致非晶转变机制和重新晶化过程。     

ZnO－Bi＿（2）O＿（3）－Sb＿（2）O＿（3）－BaO系陶瓷的晶界相与抗退降性能

在通常的ＺｎＯ－Ｂｉ＿２Ｏ＿３－Ｓｂ＿２Ｏ＿３系电压敏陶瓷中，加入能构成压敏特性的钡添加剂，发现除已知的Ｂｉ＿２Ｏ＿３和Ｚｎ＿２．３３Ｓｂ＿０．６７Ｏ＿４晶界相以外，还出现新的晶界相，分析表明是固溶有微量其它成分的偏锑酸钡（ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６）晶相。同时还发现，ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６相是热稳定的，它对改善压敏陶瓷的退降性能起重要作用。通过控制各种添加剂的含量，使晶界相Ｂｉ＿２Ｏ＿３，Ｚｎ＿２．３３Ｓｂ＿０．６７Ｏ＿４和ＢａＳｂ＿２Ｏ＿６之间的数量有适当比例时，压敏陶瓷在长期电负荷作用下和脉冲大电流作用下的抗退降能力都有显著的提高，特别可贵的是反向Ｖ—Ｉ特性的退阵有很大的改善。     

四方相BaTiO_3及BaTiO_3∶Ce的拉曼散射特性研究

本文报道了在室温下ＢａＴｉＯ３及ＢａＴｉＯ３：Ｃｅ的拉曼谱的特点，着重讨论了前向散射配置下两个１Ｉ（ＴＯ）模（位于２７５ｃｍ－１和５１６ｃｍ－１左右）出现在Ａ１（ＴＯ）谱中的原因。通过设计特别的前向散射实验得到了此配置下由于晶体出射面对入射光的反射造成的背向散射的强度。在ＢａＴｉＯ３的前向散射谱中扣除了背向散射信号后，两个宽峰基本减掉，而掺Ｃｅ后经同样扣除背向散射信号两宽峰却依然很强。这样便证明了它们在前向散射中的出现与杂质有关系。在ＢａＴｉＯ３扣除背向散射后的谱中，还首次观察到一个位于４９２ｃｍ－１的峰。掺Ｃｅ后晶体的吸收曲线有很大变化，本文还讨论了吸收对散射强度的影响。     

反斯托克斯拉曼光谱在BaTiO_3铁电相变研究中的应用

从理论上讨论了一阶和二阶斯托克斯与反斯托克斯拉曼散射截面的温度依赖关系;在２９３Ｋ至４０１Ｋ的温度范围内,测量了ＢａＴｉＯ３单晶斯托克斯和反斯托克斯过程的偏振拉曼光谱;通过对ＢａＴｉＯ３单晶斯托克斯和反斯托克斯拉曼光谱的综合分析,证实在Ｘ（ＺＺ）Ｙ几何配置下测量到的位于２７５和５１４ｃｍ－１处的强峰为一阶拉曼光谱。此结果支持了ＢａＴｉＯ３铁电相变机制的有序—无序模型。     

BaSn＿（1－x）Sb＿xO＿（3－δ）和Ba＿（1－y）La＿ySnO＿（3－δ）的导电机制

测量了ＢａＳｎ＿（１－ｘ）Ｓｂ＿ｘＯ＿（３－δ）和Ｂａ＿（１－ｙ）Ｌａ＿ｙＳｎＯ＿（３－δ）样品的低温电阻率和磁化率．实验结果表明，在较低温度区域，两类样品的导电机制均是传导电子的范围可变跳跃。而在较高温度区域，ＢａＳｎ＿（１－ｘ）Ｓｂ＿ｘＯ＿（３－δ）样品的电导主要是电子从定域态到扩展态的跃迁所贡献，Ｂａ＿（１－ｙ）Ｌａ＿ｙＳｎＯ＿（３－δ）样品的电导则可能来源于电子的最近邻跳跃。