共查询到20条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
2.
研究了两种液晶聚合物薄膜的介电性能。结果表明,液晶聚合物的介电常数随频率的增加而缓慢变小,高温下的介电常数较大。介电损耗在一定的温度范围内(室温至350℃)出现峰值,峰值位置随频率的增加向高温方向移动。 相似文献
3.
4.
聚合物薄膜电致 姚器件是当前国际上的一个研究热点,文中利用吸收光谱和荧光光谱研究了聚乙烯咔唑溶液和薄膜中,聚合物分子与染料分子之间的相互作用及其可能的能量传递,结果表明,染料掺杂的聚合物电致发光器件中来自染料的发光不一定源于orster共振能量传递。 相似文献
5.
6.
7.
8.
利用简单的平板波导结构,在掺有机小分子激光染料DCM的聚苯乙烯(PS)薄膜中,采用Nd:YAG的三倍频激光束作泵浦源,在细条状增益区内,在脉冲激发能量为12μJ时,发生了增益窄化现象,在以580nm为中心处出现了光谱半高全宽(FWHM)只有24nm的放大自发发射峰。 相似文献
9.
10.
测量NLO聚合物薄膜材料电光系数的方法 总被引:2,自引:1,他引:1
本文综述了测量非线性光学(NLO)聚合物薄膜材料电光系数的3种常用的方法及原理,并分别给出了典型的实验装置结构图。最后对3种方法的特点作了比较。 相似文献
11.
12.
制备出6~7nm超薄栅NMOSFET。通过对器件性能的研究发现,适当条件下N2O制备的超薄SiOxNy膜比SiO2膜更适合ULSI的应用。 相似文献
13.
用R.F.磁控溅射法在p—Si(100)衬底上沉积Ba0.5Sr0.5TiO3/RuO2异质结,BST薄膜的晶相和表面形貌用XRD和SEM分析,表明在衬底温度为550℃时,薄膜的结晶度高、表面粗糙、晶粒较大.电容器InGa/BST/RuO2的介电特性由ε-V特性和I—V特性描述.薄膜在零偏压下ε=230、tgδ≈0.03.低电场条件下,薄膜的漏电流随电压呈饱和特性,属电子跳跃传导,且通过改善薄膜的结晶度可减小该漏电流.高电场条件下,漏电流符合肖特基发射规律. 相似文献
14.
与时间相关电介质击穿(TDDB)测量是评估厚度小于20nm薄栅介质层质量的重要方法.氧化层击穿前,隧穿电子和空穴在氧化层中或界面附近产生陷阱、界面态,当陷阱密度超过临界平均值 bd时,发生击穿.击穿电量Qbd值表征了介质层的质量.Qbd值及其失效统计分布与测试电流密度、电场强度、温度及氧化层面积等有定量关系.TDDB的早期失效分布可以反映工艺引入的缺陷.TDDB可以直接评估氧化、氮化、清洗、刻蚀等工艺对厚度小于10nm的栅介质质量的影响.它是硅片级评估可靠性和预测EEPROM擦写次数的重要方法. 相似文献
15.
16.
17.
18.
19.
本文以高电场(>11.8MV/cm)恒电流TDDB为手段研究了厚度为7.6、10.3、12.5、14.5nm薄氧化层的击穿统计特性.实验分析表明在加速失效实验中测量击穿电量Qbd的同时,还可以测量击穿时的栅电压增量ΔVbd.因为ΔVbd的统计分布反映了栅介质层中带电陷阱的数量及其位置分布,可以表征栅介质层的质量和均匀性.此外由Qbd和ΔVbd能够较合理地计算临界陷阱密度Nbd.实验结果表明本征击穿时Nbd与测试条件无关而随工艺和介质层厚度变化.同样厚度时Nbd反映不同工艺生成的介质质量.陷阱生成的随机性使Nbd随栅介质厚度减小而下降.氧化层厚度约10nm时Nbd达到氧化层分子密度的1%发生击穿(1020cm-3).Nbd的物理意义清楚,不象Qbd随测试应力条件变化,是薄栅介质层可靠性的较好的定量指标. 相似文献
20.
用特征矩阵法研究了单腔薄膜梳状滤波器的梳状滤波特性,结果表明:当腔两边的薄膜的周期数为6时,单腔薄膜梳状滤波器就有很好的梳状滤波功能;当腔两边的薄膜的厚度增大时,梳状峰的位置向长波方向移动,梳状峰的间距增大,梳状峰的个数减少;当腔的厚度(或折射率)增大时,梳状峰的间距减小,梳状峰的个数增多,特别是当腔的厚度大到一定程度后,单腔薄膜梳状滤波器也能满足密集波分复用的要求。 相似文献