国产实芯炭电阻RS-11的低温性能

在2—30K温度范围内,测量了国产RS-11实芯炭电阻的电阻-温度曲线,其室温阻值分别为200欧、100欧、50欧、10欧.结果表明:国产实芯炭电阻可以在这个温区内作低温温度计,其4.2 K时的重复性优于0.1K,长时间(5天内)浸泡于液氦中的稳定性优于20mK.     

内预冷顺磁盐绝热去磁装置和国产RS-11型实芯碳电阻的极低温电阻特性

本文描述了一套内预冷顺磁盐绝热去磁装置,达到的最低温度为65mK,从136mK升温到156mK的时间为3小时,平均升温速度为7mK/小时。用这套装置测量了国产RS-11型实芯碳电阻的极低温电阻-温度特性,结果表明,不同室温名义阻值的RS-11型碳电阻可作为不同极低温温区的电阻温度计使用。     

内预冷顺磁盐绝热去磁装置和国产RS-11型实芯碳电阻的极低温电阻特性

本文描述了一套内预冷顺磁盐绝热去磁装置,达到的最低温度为65mK,从136mK升温到156mK的时间为3小时,平均升温速度为7mK/小时。用这套装置测量了国产RS-11型实芯碳电阻的极低温电阻-温度特性,结果表明,不同室温名义阻值的RS-11型碳电阻可作为不同极低温温区的电阻温度计使用。     

渗碳陶瓷低温温度传感器磁致电阻效应研究

通过对渗碳陶瓷低温温度传感器在0—16T磁场环境、2—320K温区的磁致电阻效应研究,以及与Cernox磁效应的对比分析,得到以下实验结果:在2—10K,渗碳陶瓷磁效应变化比较明显,随温度的降低而升高,随场强近似正系数线性变化,且温度越低,变化率越大;在2—10K,渗碳陶瓷由磁阻引起的误差为负误差,且场强越高,误差越大,误差随温度出现了近似V字形的变化,在7K处误差到达了最高值,16T、7K处的误差为-0.877K;在2—14K,渗碳陶瓷磁效应明显比CX-1050大,在50—300K渗碳陶瓷磁效应比CX-1050小。     

强磁场下锗电阻温度传感器的磁致电阻效应研究

以锗温度传感器GR-1400-AA为研究对象,研究了其在0～16 T磁场下、2～100K温区内的磁致电阻效应。结果表明:在2～20K温区,GR-1400-AA磁效应随温度的升高急剧降低,且场强越高磁效应的变化率越大;在20～100K温区,磁效应随温度的升高趋于平缓;GR-1400-AA磁效应随场强的升高而升高,且温度越低,磁效应的变化率越高,2.1K、16T处的磁效应为2120.3%;GR-1400-AA由磁阻引起的测量温差随温度的升高而升高,随场强的增大而增大,且全为负温差,在6K、2T处和16T、100K处的测量温差分别为-0.24K、-60.4K。不推荐应用在磁场环境下。     

强磁场下Pt电阻温度传感器的磁致电阻效应研究

以Pt电阻温度传感器(Pt-111)为研究对象,研究了其在0～16T磁场下、4.2～300K温区内的磁致电阻效应.结果表明:Pt-111在0～16T场强、4.2～77K温区内,磁效应随场强的增加和温度的降低而明显升高,77～300K温区内温度计受磁场的影响较小,其中在16T下,4.2K和300K处的磁效应分别为48.2%和1.07%;在4.2-77K温区,Pt-111由磁阻引起的测量误差场强的升高和温度的降低而明显升高,在16T、4.2K处和16T、77K处的温度测量误差分别为18.3K和1.69K.Pt-111不推荐应用在77K以下的磁场环境.     

强磁场下Cernox^TM温度传感器的磁致电阻效应研究

以Cernox-1070温度传感器为研究对象,研究了其在磁场强度0-16 T和4.2-300K温区下的磁致电阻效应.实验结果表明：CX-1070温度传感器受磁场的影响较小,在16T、4.2-300K的磁效应值为-0.19-2.38%,产生的最大测量误差为0.11K;15-50K温区为磁效应最低的温度区间,在50-300...     

氧化物超导体的磁致电阻特性

对 YBa_2Cu_3O_(7-δ)块状烧结样品的磁致电阻效应进行了研究,发现磁致电阻曲线都具有反常回线,即磁阻变化超前于外加静磁场 H 的变化.对反常回线的微观机制作了定性解释.一些样品的磁阻随磁场变化时,表现出明显的无周期跳跃,对此采用弱耦合颗粒环路模型作了定性分析.一些样品的磁阻曲线上出现量级为10~2Oe 的周期结构,并用约瑟夫森弱连接的超导量子衍射作了半定量分析,估算弱连接结的宽为0.3μ.     

方兴未艾的磁致电阻研究

 我们知道,在金属中散射作用是电阻产生的主要原因,这包括杂质散射和晶格热运动引起的电声子互作用。根据动量定理,电子在时间间隔△t内受到电场E的作用而产生的定向漂移速度.     

强磁场下氧化钌温度传感器的磁致电阻效应研究

以氧化钌温度传感器(RX-202A)为研究对象,研究了其在0¹6 T磁场下、216 T磁场下、2⁴0 K温区内的磁致电阻效应。结果表明:RX-202A的磁效应随场强的升高而升高,随温度呈波动变化,在低温区先由正效应转变为负效应,后又随温度的升高而逐渐降低,并逐渐趋于0,RX-202A在2.1 K、16T处的磁效应为0.83;RX-202A由磁效应引起的测量误差随温度呈波动变化,在2.240 K温区内的磁致电阻效应。结果表明:RX-202A的磁效应随场强的升高而升高,随温度呈波动变化,在低温区先由正效应转变为负效应,后又随温度的升高而逐渐降低,并逐渐趋于0,RX-202A在2.1 K、16T处的磁效应为0.83;RX-202A由磁效应引起的测量误差随温度呈波动变化,在2.2¹0K温区随场强的变化差别较小,在1010K温区随场强的变化差别较小,在10³8K温区随场强的增大而增大,RX-202A在2.2K、16T处,38K、16T处产生的温度测量误差分别为-0.099K和0.364K。     

渗碳玻璃低温温度计在液氦温度下磁致电阻的研究

渗碳玻璃低温电阻温度计具有碳膜电阻低温温度计灵敏度高、制作简单、电阻与温度呈单调变化的关系等优点,而没有碳膜电阻低温温度计重复性差,不能经受热循环的缺点,是一种比较优良的低温测温器件.国外已有商品出售. 我们研制了这种低温温度计[1],虽然结构还不够完善,经过多次测试,在液氦沸点温度测温的重复性在±5毫度以内.为了考查这种温度计在强磁场下的使用情况,我们进行了磁阻实验。 一、实验过程 在本实验中所采用的渗碳玻璃温度计是No 520,605,905,904.其中 No 520是标定过、并进行过He4沸点复现性实验的[1].它们是按下面叙述的方法…     

磁致旋光效应的发现

介绍了莫里奇尼和赫谢耳探索磁和光相互作用方面的工作,回顾了法拉第发现磁致旋光效应的历程;分析了法拉第捕捉科学前沿与哲学思考相结合的研究特点,以及法拉第在研究工作中的顽强毅力与创新精神.     

磁光玻璃磁致旋光效应的研究

介绍磁致旋光效应和磁光玻璃磁致旋光效应的机理。对ZF1、ZF6磁光玻璃的磁致旋光效应分别进行了实验研究，给出偏振面旋转角与磁感应强度的关系．计算出波长不变情况下不同磁感应强度的费尔德常数。对实验数据进行了处理．并与理论预期值进行了比较．发现理论值与实验结果符合得较好。     

电致电阻效应及其机理研究

在简单的金属/金属氧化物/金属三明治结构中,研究发现施加电压能够改变器件的电阻,而且这种改变是持久的且是可逆的。     

磁致旋光效应的电动力学解释

磁致旋光效应是对各向同性的介质施加外磁场,从而使其获得旋光性质的现象.本文将光视为电磁波,采用电动力学的方法,从施加外磁场的各向同性介质中的电子运动方程入手,分析磁场带来的变化,进而得到相对介电张量,之后结合麦克斯韦方程组解出本征态.该方法只需利用简洁的电动力学知识,便可以严格地导出磁致旋光体系的本征态必为右旋和左旋偏振态.相比传统方法,此推导能够使相关学习者更清晰地从本征值问题的角度理解磁致旋光效应的来源.     

磁光晶体Bi-YIG的磁致退偏效应

建立了磁光晶体磁致偏振特性测试系统。对Bi YIG晶体样品在大范围磁场下的退偏现象进行了测试。结果表明,达到磁饱和或接近磁饱和时,Bi YIG晶体的偏振性能最优;达到磁饱和后,随着磁场的增强,出现了磁致退偏效应。根据实验结果分析了磁致退偏效应的产生机理,并说明了磁致圆二向色性及磁致线双折射是产生退偏的原因。     

法拉第磁致旋光效应及应用

本文简介了法拉第磁致旋光效应的物理学基础，以及由此原理研制的在自动化工程中常用的两种器件：磁光调制器、磁光隔离器。