La0.5Sr0.5CoO3薄膜的外延生长及其电性能的研究 *

系统研究了在LaAlO₃ ,SrTiO₃ 和MgO衬底上、在不同的温度条件下利用脉冲激光法制备的La_0.5Sr_0.5CoO₃薄膜的外延生长和电输运特性 ,测定了薄膜的电阻 温度关系 .研究表明薄膜的电输运性质对其外延结构具有密切的依赖性 ,外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征 ;在LaAlO3 衬底上在700℃左右外延生长的薄膜具有最佳的性能 ;探讨了这一薄膜的外延生长与其电输运性能的关系及其机理 .     

非线性延时微分系统中通向湍态的途径

本文采用奇异摄动方法分析了延时微分系统从准周期态向完全混沌态过渡时的动力学行为.结果表明,在混沌带的合并点存在着吸引子危机窗口.这些窗口的临界值和宽度都随该系统中不同的线性模式规律性地变化,从而导致在进入湍态(即完全混沌态)之前发生基频的谐波分岔,即ω₀→3ω₀→5ω₀→…→(2k_m+1)ω₀,并出现回滞行为。作者认为这种从准周期态到高次谐波分岔最后进入混沌的方式是延时微分系统中通向湍态的重要途径。     

晶化导向剂作用下NaY沸石晶化过程的研究

本文在晶化导向剂的作用下,研究了NaY沸石的晶核形成和晶体成长过程。在55°—100℃的温度区间内,计算了该沸石的晶核形成和晶体成长的表观活化能。研究了NaA沸石在NaY沸石的晶化条件下转变为NaY沸石的重新晶化——转晶过程。其过程可表示为: 无定形硅酸铝凝胶 NaA→NaY NaA→Nay并发现当凝胶晶化几乎完全时,NaA沸石才开始重新晶化。由扫描电子显微镜观察和转晶动力学曲线表明,其机理包括NaA沸石晶体表面的“降阶”和溶解过程。NaY沸石的晶核形成和晶体成长是直接发生在NaA沸石的晶体表面。     

D+1维零温和有限温度sine-Gordon场论的最佳展开

借助于最佳展开技术,我们研究了零温和有限温度下的D+1维量子sine-Gordon(sG)场论.当动量切断Λ→∞时,1+1维和2+1维的理论是有限的.在Τ→0时,我们得到的温度有关的Coleman相变条件回到众所周知的结果:对于1+1维,g_cr²=8π,而对于2+1维,g_cr²=16π/m_RO.特别地,当Τ→∞时,1+1维和2+1维的g_cr²都趋于零.不存在一个临界温度使Φ=0真空成为不稳定真空.在3+1维情况,若g²有限且Λ→∞,则理论是平凡的.对于3+1维的sG模型,根本不存在非平凡的“Precarious"相.而对于“Autonomous"相,其有效势与经典势有相同形式以及有限温度效应仅对这个相的无穷小部分有贡献.     

有外磁场的二维Ising模型在T>Tc的能量-自旋关联函数

在标度极限下,即T→T_c+,H→0,R→∞,同时h=const·H|T—T_c|~(-15/8)固定,且很小,而r=R|T-T_c|固定,且很大时,我们研究了外磁场很小时 Ising模型的能量-自旋关联函数<σM₁,N₁^σM₁,N₂^εM₃N₃>.用集团展开方法得到其h²级与K⁰(nr)及K₁(nr)有关的领头和次领头项。     

非晶薄膜相变的渗流行为

本文报道了Ni-Mo,Ni-Al及AuTi非晶薄膜合金中由离子束诱导形成的渗流结构。实验结果表明渗流集团的形成与非晶结构相变密切相关。渗流集团的几何特征满足标度关系:M∞R^D。实验所获得的标度指数为D=1.88±0.07(Ni-Mo系统);D=1.90±0.02(Ni-Al及Au-Ti系统)。Ni-Mo系统的电学参量满足标度关系:σ∞(T—T_o)^-τ,指数τ=0.12±0.03.本文还讨论了渗流集团在薄膜中形成的机理。     

La0.5Sr0.5CoO3薄膜的外延生长及其电性能的研究

系统研究了在LaAlO3,SrTiO3和MgO衬底上、在不同的温度条件下利用脉冲激光法制备的La0.5Sr0.5CoO3薄膜的外延生长和电输运特性,测定了薄膜的电阻-温度关系.研究表明薄膜的电输运性质对其外延结构具有密切的依赖性,外延生长的薄膜具有低的电阻率和金属性导电特征;在LaAlO3衬底上在700℃左右外延生长的薄膜具有最佳的性能;探讨了这一薄膜的外延生长与其电输运性能的关系及其机理.     

映射z→λexp(z)(λ>e-1)的结构不稳定性

已知当λ>e^-1时映射z→λexp(z)的Julia集合是全平面。本文证明了:对于任意给定的λ>e^-1,存在一个复数序列λ_i^*∈C,使得λ_i^*→λ(l→∞)且映射z→λ_i^*exp(z)的Julia集合不是全平面。由此推出映射z→λexp(z)(λ>e^-1的结构不稳定性。     

Amenability,Poincaré级数算子与Teichmüller距离

设Y→X为双曲型Riemann曲面X的覆盖映射,它诱导了X与Y的Teichmller空间之间的一个映射T(X)→T(Y),得到了i)覆盖Y→X为amenable的充分必要条件是诱导映射T(X)→T(Y)对于Teichmller度量为整体等距;ii)诱导映射T(X)→T(Y)为收缩的充分必要条件是对于任意的[μ]∈T(X),都有||_[μ]||<1,其中_[μ]为Poincar级数算子;iii)诱导映射T(X)→T(Y)在T(X)上不是一致收缩的.     

在Chiral Color模型中轴胶子及其参予的纯规范介子新过程

本文在Technicolor框架下构造了一个无反常的Chiral Color模型,按规范群SU(3)_cl×SU(3)_cl×SU(2)_L×U(1)_Y规范手征低能有效拉氏量和Wess-Zumino项,获得:(1)轴胶子质量M_A>170GeV,排除了轻轴胶子存在的可能性;(2)轴胶子参与的一切可能的纯规范介子顶点,其中单喷注事例g_A→gZ⁰,Z~0→vv,e⁺e^-和γ——喷注事例g_A→gγ是与标准模型不同的主要预言。     

低能电子与N2分子碰撞的振动共振激发微分散射截面 *

用经作者改进后的振动密耦合散射方法和基于量子力学从头计算的静电、交换、与极化散射作用势研究了低能电子与N₂ 分子的振动激发共振微分散射截面 .由于充分考虑了高角动量和分子高对称性对散射过程的贡献 ,所得到的 ( 0→ 2 ,0→ 3,0→ 4)振动激发微分散射截面与实验结果符合得很好 ,获得了实验测得的散射共振位置和振动共振多峰结构.     

外延单晶La2/3Ca1/3MnO3-δ薄膜中磁电阻的磁场依赖关系

采用直流磁控溅射法在NdGaO₃ ( 110 )衬底上制备了La_2/3Ca_1/3MnO_3-δ外延单晶薄膜 .在 0～8T的磁场范围内测量了不同温区下的磁电阻随磁场的变化关系 .结果表明 ,ρ(H )遵循以下规律 :当温度高于居里温度T_C 时 ,ρ(H ) =1α(T) + β(T)H² ;当T <Tc时,ρ(H ) =ρ0(T ) +1A(T)+B(T)exp(H/C(T));而当温度远低于居里温度时,ρ(H ) =1σ(T) + ν(T)H。表明负巨磁电阻的产生主要起因于磁场引起的电导率的增加。     

在盐的水溶液中非电解质的活度系数的研究术——Ⅷ.间硝基苯甲酸在不同温度的盐水溶液中的溶度

在15°、25°、35°和45℃下测定间硝基苯甲酸在不同浓度的LiCl、NaCl、KCl、LiBr、NaBr、KBr、SrCl_2和BaCl₂的水溶液中的溶度。算出该酸的未离解分子在盐溶液中的活度系数γ_n它们在25℃下从盐溶液迁移到纯水溶液的克分子标准熵交化△S°。计算结果:△S°>0,△S°/m_s=常数,即△S°和盐浓度m_s成正比;△S°/m_s的次序是BaCl₂>SrCl₂>KBr>NaBr>KCl>LiBr>NaCl>LiCl,表明对具有同离子的盐,△S°/m_s随反电荷离子的价和晶体半径的增加而上升。用Frank和Evans的离子破坏水的结构来解释这些现象。从log f_u(f_u是体积克分子标度的该酸分子的活度系数)对C_s的图,得出盐析次序如下:SrCl₂>BaCl₂>LiCl>Nacl>LiBr>NaBr>KCl>KBr。用”局部水解”的假说解释这个次序。从log γ_u对t°的图发现KBr对该酸分子的盐析有一个转换温度,约为30℃;30℃以上是盐析,以下是盐溶。若用log f_u对t°的图,转换温度变为≈23℃。总结出一个该酸分子在纯水中的组成和绝对温度关系的经验公式;有效范围是15—45℃。最后算出该酸在四个温度的微分溶解热。     

强不变原理中的最佳速度

设{X_n}为i.i.d.r.v.s.,EX₁=0,EX₁~2=1,S_n=sum from i=1 to n(X_i),H(x)>0 (x≥0)为非降连续函数,对某γ>0和x₀>0,当x≥x₀时,x^-2-γH(x)非降,x^-1logH(x)非增,且x^-1logH(x)→0(x→∞),则有一标准Wiener过程{W(t),t≥0},使得 S_n-W(n)=O(invH(n))a.s.(n→∞)的充分必要条件是:对任何t>0有EH(t|X₁|)<∞.     

固态vander WaalsC 60膜晶格的Coulomb膨胀

利用扫描隧道显微镜观测到生长在GaAs(0 0 1 ) 2× 4表面上的固态vanderWaals C₆₀ 膜在室温下较之C₆₀ 晶体具有 1 3%的晶格膨胀 .这种膨胀是由从GaAs衬底饱和的As悬挂键上转移到C₆₀分子上的电荷之间的Coulomb作用引起的 .理论计算表明 ,平均约有 1 76个电子转移到每个C₆₀分子上 .有趣的是 ,该固态C₆₀ 膜为 (1 1 0 )取向 ,这明显不同于生长于其他半导体或金属表面上的具有 (1 1 1 )取向的六角密排C₆₀膜 .这种反常取向的薄膜是由GaAs衬底的各向异性产生的一维限制作用导致的 .通过选择不同的衬底 ,可以控制C₆₀薄膜的晶体生长     

外延生长YBa2Cu3O7-x超导薄膜的TEM和SEM研究

本文利用高分辨率透射电子显微镜(TEM)和扫描电子显微镜(SEM)对高J_c外延生长YBa₂Cu₃O_7-x超导薄膜的微观结构进行了观察分析.研究发现,薄膜外延程度的好坏与生长工艺和衬底表面的完整性有直接的关系.实验结果表明(100)SrTiO₃单晶衬底上外延生长YBa₂Cu₃O_7-x超导薄膜中影响临界电流密度J_c的因素主要有界面过渡区、缺陷和不同的外延取代等.     

B-S方程在强耦合非相对论近似下的约化和粲偶素模型

本文讨论B-S方程在强耦合非相对论近似下的约化。所取的相互作用核为G(k)=-1×1G_s(k)+r₄×r₄G_ν(k)+r_μ×r_μG_r^''(k)。在零级近似下约化得到的Schrdinger方程中,组分粒子的有效质量将因标量相互作用的参与而改变。若相互作用的主要部分具有矢量第四分量(γ₄)的变换性质,则组分粒子的有效质量不改变,且对能量和波函数的一级相对论修正也与弱耦合的情形相似。在粲偶素现象学中,解释实验观测到的M1磁跃迁J/ψ→γη_c和E1电跃迁ψ′→γX_J(J=0,1,2)压低现象的一个可能性是粲夸克具有较大的组分质量(M_c～2.2—2.5GeV),因而粲偶素有可能是一个结合能较大的强耦合体系,其相互作用的主要部分应具有矢量第四分量(γ_4)的变换性质。     

分形电极/电解液界面阻抗谱的恒相角特征

分析了离子在交变电场中的行为及其与界面分形结构的关系,得出分形电极/电解液界面的阻抗谱具有恒相角特征的结论,并导出η与分形维数D_s之间的具体关系η=3-D_s以及频率与标度之间的正比关系,这些结果与Liu,Sapoval,Hill和Chu等的计算结果一致,由于这些结果具有普适性,从而确认电极表面的分形结构是恒相角阻抗的物理根源,并为表面与界面分形的研究提供了新的途径。     

高TcYBa2Cu3O7/PrBa2Cu3O7超晶格的微结构分析

利用高分辨透射电子显微镜对高T_c YBa₂Cu₃O₇/PrBa₂Cu₃O₇(以下简称为YBCO/PrBCO)超晶格的微结构进行了系统的观察分析,高分辨电子显微象(HREM)表明YBCO/PrBCO超晶格层与层之间具有清晰的衬度,没有界面互扩散,通过HREM象观察,发现衬底表面的原子台阶和缺陷使薄膜最初1—2个晶胞层中出现层错等缺陷,但这些缺陷并没有向薄膜内部扩展,当薄膜厚度超过几个晶胞层后,其结构趋于完整。另外,在HREM照片上还可看出YBCO/PrBCO超晶格的调制周期存在波动,波动范围相当于一个晶胞层厚度,实验结果表明,利用YBCO/PrBCO超晶格研究CuO₂面的二维超导电性时,临界温度T_c和临界电流密度J_c的变化不仅与二维CuO₂面的失耦程度有关,还会受到各种晶格缺陷的影响,对YBCO/PrBCO超晶格和超薄YBCO膜的输运特性进行理论解释时,必须考虑衬底和晶格缺陷造成的影响。     

Gauss-Markov条件下最小二乘估计的强相合性

设Y_i=x＇_iβ+e_i,1≤i≤n为线性模型,β_n=(β_n1,…,β_np)＇为β=(β₁,…,β_p)＇的最小二乘估计,以u_n记(sum from i=1 to n(x_ix＇_i))的(1,1)元,v_n=u_n^-1.证明了在Ee_i=O且{e_i}满足Gauss-Markov条件时,v_i→∞及sum from i=2 to ∞(v_i^-2(v_i-v_i-1)log~2i<∞)为β_n1强相合的充分条件,且对任何ε_n→0,v_i→∞及sum from i=2 to ∞(ε_iv_i^-2(v_i-v_i-1)log²i<∞)已不再充分.提出了β_n1强相合的一个充要条件,它把β_n1强相合归结为正交随机变量级数的收敛问题.