异质结能带边不连续性的第一性原理计算

本文根据异质结界面两侧的平均键能相互“对齐”的研究结果,以平均键能作为参考能级,采用改进计算效率的LMTO-ASA能带从头计算方法,计算了10种异质结的价带边不连续ΔE_v值,所得结果与更严格的第一性原理的界面自洽计算的结果非常一致,而且计算量比界面自洽方法要小得多,便于在中型计算机条件下推广应用.     

ZnO及其缺陷的电子结构

利用全势线性Muffin-tin轨道（FP-LMTO）理论方法,计算了ZnO及其几种本征点缺陷的电子结构.计算的结果表明,ZnO中的Zn3d电子对其成键起重要作用. O2p与Zn3d的轨道杂化使价带变宽,带隙变小.Zn空位和O填隙分别在价带顶0.3和0.4 eV处产生浅受主能级.而Zn填隙在导带底0.5 eV处产生浅施主能级.但O空位则在导带底1.3 eV处产生深施主能级.根据以上结果,证明了Zn填隙是引起ZnO本征n型导电性的主要原因.     

低维C_(60)系统电子结构的研究

本文利用X射线和紫外光电子能谱研究了金属锡衬底上沉积的C_(60)薄膜的电子结构,对于亚单层的C_(60)薄膜,来自C_(60)价带顶部占有的分子轨道(π_(5u和π_(4g))的两个价带峰的宽度与固体C_(60)的谱相比增加了0.3eV,实验结果的分析表明:电子在上述两个π带中的公有化运动是很弱的,固体C_(60)应该被看作是强相关的电子体系,对于厚度接近一个单层的C_(60)薄膜,C 1s芯能级谱的结果表明在低于C 1s主峰22eV处出现了一个很宽的能量损失峰,实验表明该峰可能是来自二维C_(60)薄膜的等离子体损失峰,固体C_(60)中位于C 1s主峰以下28eV处的等离子体损失峰只是在C_(60)薄膜的覆盖度大于两个单层之后才被观察到,这表明上述损失峰并非来自单个C_(60)分子而是来自固体C_(60)。     

深能级电子(空穴)的热发射与振动熵

本文详细探讨了振动熵的改变量△S_a在深能级电子(空穴)热发射问题中的作用。导出了任意温度下△S_a的一般表示式。针对△S_a=0△S_a=P△S_cv两种重要情况,指出了由热发射率和俘获截面求得的热发射激活能的物理意义和求深能级有关参量的方法。用本理论分析了硅中金受主能级电子与空穴的热发射,由于它发射空穴时△S_a≌0,就焓的改变量而言,金受主能级钉扎在价带上。     

(h)性质的一个新刻画（英文）

本文利用广义Kato性质诱导的谱集,研究了Weyl定理的一种新变形,称其为(h)性质,并证明了(h)性质如何根据该谱集性质得到.同时给出了直和算子T⊕S满足(h)性质的条件.此外,利用该诱导谱集研究了Banach空间上的有界算子T在与T交换的幂有限秩算子扰动下的(h)性质稳定性.     

K3C60单晶膜的同步辐射光电子谱研究

在C60单晶(111)解理面上制备出厚度约30 nm的K3C60单晶膜.利用同步辐射光源,在低温下(约150 K)测量了样品法向发射的角分辨光电子谱.观察到K3C60导带和价带明显的色散.导带的光电子谱峰可清晰分辨出4个子峰,这些子峰的最大色散超过0.5 eV,并且色散曲线与K3C60的一维无序晶体结构模型下的能带理论基本吻合,只是子带间隔差异较大.     

两端固定n根系列连接的Timoshenko梁在连接点加控制的镇定问题

文章研究两端固定n根系列连接的Timoshen]K0梁系统的镇定问题,假设该系统在连接点处剪切力和弯曲力矩是连续的,而横向位移和旋转角度是不连续的.在连接点处设置控制器,观测节点处的力,通过补偿器补偿后反馈回系统,构成闭环系统.通过对系统的矩阵化处理,对算子谱采用渐近分析的技巧,证明得到该闭环系统是渐近稳定的.并利用算子谱的分布等性质,在一定条件下得到了闭环系统的Riesz基性质,从而系统满足谱确定增长条件.     

金刚石膜压阻效应的理论研究

在Fuchs-Sondheimer薄膜理论（F-S理论）和修正的价带分裂模型的基础上,考虑晶格散射、杂质散射和表面散射,通过求解弛豫近似下的Boltzmann方程,利用并联电阻模型从理论上研究了p-型异质外延金刚石膜的压阻效应,给出了压阻效应的计算表达式. 从理论上得到了和实验一致的压阻效应的主要特性. 提出了应力作用下分裂带间距变化的模型,对大应力时饱和压阻的理论和实验误差给出了合理解释.     

一类基于Wolfe线搜索下的谱共轭梯度法

在已有文献β■的基础上得到了一个新的谱共轭参数,从而构造了一个新的谱共轭梯度法.并且新方法的搜索方向不需要任何线性搜索条件而自动下降.利用标准Wolfe线搜索,在一般假设条件下,验证了该方法是全局收敛的.     

硫的高电离态离子激发光谱的测量

在兰州重离子加速器研究装置(HIRFL)上 ,利用束-箔光谱方法测量了波长在19～40nm范围的硫元素高电离态离子光谱 ,实验上观测到了30多条离子谱线 .这些谱线是SⅩ-SⅩⅤ高电离态离子激发能级发射的 ,其中5条为新观测到的谱线 ,尚未见到报道 .本实验结果与其他实验和理论进行了比较 .     

左截断相依数据下条件分位数的双核局部线性估计

本文在左截断相依数据下,利用局部线性估计的方法,先提出了条件分布函数的双核估计;然后利用该估计导出了条件分位数的双核局部线性估计,并建立了这些估计的渐近正态性结果;最后,通过模拟显示该估计在偏移和边界点调节上要比一般的核估计更好.     

Banach空间一类奇异脉冲微分方程边值问题的正解

讨论了Banach空间中一类具有奇异性脉冲微分方程的边值问题,利用M(o|¨)nch不动点定理,在与相应的线性算子谱半径有关的条件下,获得了该边值问题正解的存在性.     

在存在高浓度深能级情况下确定各深能级分布的理论与实践

本文是对在多个深能级情况下求分布的理论的改进.原来的理论不适用于在Fermi能级与所研究深能级之间存在浓度与载流子浓度可以比拟的深能级的情况,也不适用于待研究深能级位于禁带中央附近的情况.本工作克服了这些限制,使原有理论适用于更普遍的情况.对于质子注入直拉硅,在存在高浓度氧空位E(0.15)的条件下,求出了双空位第二受主能级E(0.22)的分布,并与不考虑E(0.15)的条件下求出的E(0.22)的分布作了对比.     

152Dy超变形转动带角动量的确定与能谱的计算

利用观测到的¹⁵²Dy超变形(SD)转动带内的19条γ射线能量以及转动谱的吴-曾公式,确切定出SD带内已测出的20条能级中最低能级的自旋为25h,而不是文献[1]中所建议的22h.这样,计算出的SD带能级与实验惊人地符合.与文献[1,2]不同,由此得出的动力学转动惯量J²     

具广义非线性源的波动方程的高能爆破

研究一类具广义非线性源的非线性波动方程的初边值问题在高初始能级状态下解的有限时间爆破.利用经典的凹函数方法找到了导致该问题具任意正初始能级的解有限时间爆破的初值.     

等离子体X射线吸收谱研究

计算高温高密等离子体吸收谱的理论方法;该方法基于相对论原子理论,可以计算任何单元素以及多元素等离子体的谱分辨X射线吸收谱;应用了量子数亏损理论,可以减少计算量. 利用该方法计算有机材料C_１０Ｈ_１６Ｏ_５等离子体的吸收谱,计算结果与实验符合良好.通过理论计算与实验相比较,可对惯性约束核聚变(ICF)等离子体进行诊断分析;不但可判断等离子体的温度和密度,还可提供等离子体内各电离度能级布居等重要物理参数. 同时经过有关“标准实验”验证的理论计算方法将是提供ICF“精密”辐射参数的重要基础.     

分子束外延生长多层异质结构的离子沟道研究

本文用分子束外延方法(MBE)先在Si(111)方向上生长CaF₂薄膜,再在CaF₂层上外延淀积一定厚度的Si或Ge膜,形成Si/CaFa/Si(111)或Ge/CaF₂/Si(111)等异质多层结构,然后用Rutherford背散射和离子沟道方法分析薄膜生长特性,发现在CaF_2薄膜上淀积的Si层是由两种类型的微晶构成的,其方向分别与衬底Si方向相同或与衬底表面垂直方向转180°,表明最上层的Si膜(或Ge膜)可能是A型和B型两种取向的混合。在Si/CaF₂/Si(111)结构中,各个沟道的最小产额均比CaF₂/Si(111)的情形高许多,因为最上层的Si膜是A型和B型两种取向混合且为李生的。CaF₂<110>(<114>)非法向轴相对于衬底Si<114>(<110>)轴的偏离表明CaF₂界面区域存在应力。当CaF₂/Si(111)上外延生长Ge薄膜时,同时存在上述A和B两种取向类型微晶的混合,但以B成份为主,因此,仍然形成质量很好的Ge/CaF₂/Si(111)多层异质结构.但是,由于Ge和CaF₂之间晶格常数失配量要比Si和CaF₂之间大得多,所以,Ge和CaF₂界面处的Ge区域内存在着相当严重的无序。     

InAlAs/InGaAs/InP异质结构的X射线双晶衍射研究

本文应用X射线双晶衍射技术结合X射线衍射动力学理论的计算模拟,研究了MBE生长的InGaAs/InAlAs/InP异质结结构材料的外延层生长条件与层厚、成分的关系,X射线双晶衍射形貌图表明:衬底和外延膜存在位错和沉淀物等缺陷,衬底的不完美性直接影响外延膜的质量,文中还应用X射线衍射动力学理论对所观察到的沉淀物衬度进行解释,指出沉淀物周围点阵受张应变场。     

基于不对称需求信息的数量折扣设计

通过建立数量折扣设计优化模型,利用委托代理理论分别分析了完全和不完全需求信息条件下,商品供应商如何为一群异质的零售商制定价格政策,实现其中望利润的最大化.在完全需求信息条件下,单一价格就能使供应商实现利润最大化;而在需求信息为不对称条件下,逆向选择使单一价格失效,此时,数量折扣是一种能够有效增加零售商订货量的激励方式.     

Pr6Fe13Ge磁结构的M(o)ssbauer谱和中子衍射

通过磁性测量、M(o)ssbauer谱和中子衍射研究了室温下Pr6Fe13Ge的磁结构.磁性原子集中分布在z=0和z=1/2镜面的两侧,被z=1/4,3/4处的非磁性原子分割成M(磁性)/NM(非磁性)/M(磁性)排列的三明治结构.磁性层M内磁矩为共线铁磁耦合,磁矩方向少量偏离ab面,形成小的c轴方向的分量;层与层之间,ab面内的磁矩分量为反铁磁耦合,而c轴方向的分量为铁磁耦合.