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用固态烧结法合成了新化合物Ca2FeWO6. 用差热分析和X射线物相分析等方法,研究了新化合物Ca2FeWO6的相变,证明该化合物在(706±5)℃存在一级位移型相变.低温相α-Ca2FeWO6,属正交晶系,空间群为Pmm2,室温时点阵常数为:a=0.770 5l nm,b=0.542 42 nm和c=0.551 08 nm。测量密度为Dm=6.04g/cm3,单位晶胞内具有2个化学式量.高温相β-Ca2FeWO6,属立方晶系,空问群为Fm3m,在750℃时的点阵常数为a=0.780 8 nm,z=4.计算密度为Dx=5.802 g/cm3.并用X射线多晶法分别测定了α-Ca2FeWO6和β-Ca2FeWO6的晶体结构.详细地阐明了相变机理. 相似文献
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用固态烧结法合成了新化合物Sr2FeWO6。用差示扫描量热法(DSC)、X射线物相分析及点阵常数的精确测定等方法研究了新化合物Sr2FeWO6的相变,证明该化合物在(360±5)℃存在一级位移型相变。低温相α-Sr2FeWO6,属四方晶系,空间群为I4/m,室温时点阵常数a=5.5702A,c=7.9094A。测量密度Dm=6.93g/cm~3,单位晶胞内具有2个化学式量。高温相β-Sr2FeWO6,属立方晶系,空间群为Fm3m,在400℃时的点阵常数a=7.939A,z=4。计算密度D=6.780g/cm3。 相似文献
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本文用差热分析、X射线物相分析及点阵常数的精确测定等方法,研究了新化合物——Sr2CdWO6的相变,证明该化合物在807℃±5℃存在一级位移型相变.低温相a-Sr2CdWO6属正交晶系,空间群为Pmm2,室温时点阵常数为a=8.1673,b=5.7436,c=5.8188.测量密度Dm=7.01g/cm3,单位晶胞内具有2个化学式量.高温相β-Sr2CdWO6属于立方晶系,空间群为Fm3m,在860℃时的点阵常数为a=8.201,z=4.本文还用X射线多晶衍射方法分别测定了上述a-Sr2CdWO6和β-Sr2CdWO6的晶体结构,并研究了相交机理和畸交度. 相似文献
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本文用差热分析、X射线物相分析及点阵常数的精确测定等方法,研究了新化合物Sr2CaWO6的相变,证明该化合物在860℃±5℃存在一一级位移型相变。低温相α-Sr2CaWO6属正交晶系,空间群为Pmm2,室温时点阵常数为a=8.2033,b=5.7676,c=5.8489。测量密度Dm=5.981克/厘米3,单位晶胞内具有2个化学式量。高温相β-Sr2CaWO6属于立方晶系,空间群为Fm3m,在900℃时的点阵常数为a=8.308,2=4. 本文还用X射线多晶衍射方法分别测定了上述a-Sr2CaWO6及β-Sr2CaWO6的晶体结构,并讨论了结构的特征及相交的可能性。 相似文献
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本文用X射线粉末衍射和电子衍射的方法,研究了Ce-Fe-B合金中的富B相Ce1+εFe4B4的晶体结构,发现该化合物具有一种罕见的晶体结构——烟囱-梯子型的一维成分无公度结构,是由两套亚结构即Fe-B亚结构和Ce亚结构所组成,两套亚结构都具有四方对称性,其点阵常数α值相同。Ce1+εFe4B4在室温的点阵常数α=0.7068 nm,cFe-B=0.3902 nm,cCe=0.3440 nm。在950℃粉末淬炼后的点阵常数α=0.7065nm,cFe-B=0.3887 nm,cCe=0.3563 nm。Fe-B亚结构的空间群为P42/ncm,Ce亚结构的空间群为I4/mmm。 相似文献
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本文使用金刚石对顶砧装置,红宝石压标,采用背向散射的方法,分别测量了室温下Bi2Ti4O11在不加传压介质,传压介质为凡士林油及体积比为16:3:1的甲醇、乙醇和水的混合溶液3种情况下的高压Raman光谱.实验结果表明:常压下频率为38cm-1的谱线对传压介质的传压性能反应很敏感,随着静水压传压性能的提高,该谱线的强度、线宽、在相变压力点的频率值及它随压力的频移速率都出现了明显差异,其相变压力显著降低.本文初步讨论了发生在Bi2Ti4O11中相变的机制. 相似文献
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测量了C60单晶在274K附近的电导率和在150—340K范围内的差分比热,有关在251K附近与sc-fcc一级相交联系的比热曲线中的δ峰已有报道,在274K附近激活能的变化及比热曲线中270—310K的似λ峰表明在251K以上的fcc结构有C60分子的取向相变,考虑到对称性,结合比热峰的似λ性及激活能的进一步分析,我们得出这一新的相变是从存在有C60分子取向有序畴的fcc到C60分子取向无序的fcc的结构转变,C60分子的自由转变温度约为281K。 相似文献
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本文研究了Y替代Ca对Bi2Sr2Ca1-xYxCu2O8+y,超导体晶体结构和电子状态的影响,发现:Y替代Ca后至少使得Bi-O双层中所夹的一层额外的氧原子发生了变化,沿b轴方向的无公度超格子的调制周期从4.7b连续减小到大约为4.0b;并发现当Y完全替代Ca时,则同时存在大约为4b和8b的调制周期.用XPS进一步研究其电子状态变化的结果表明,超导电性的变化不是由于晶体结构的微小变化引起的,而主要是由CuO2层中O2p轨道空穴的逐步填充所致.结果明确表明,对于该替代体系依然是当Cu离子3d轨道存在一个空穴时(3d9态)对应于强关联的反铁磁绝缘体,而当CuO2层中氧离子2p轨道存在额外的空穴时(即3d9L态)对应于超导体. 相似文献
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《中国科学A辑》1989,32(9):937-942
在不同的退火温度下,由空气淬火方法制备出理想正交相和典型四方相的YBa2Cu3O7-δ。单相样品,以及结构介于两者之间的过渡相样品。从X光衍射、电阻温度关系、交流磁化率温度关系等实验结果我们得到了如下结论:(1)样品的结构随着淬火温度的逐渐降低而产生由四方相向正交相的过渡;(2)YBa2Cu3O7-δ四方相直至2.4K都是不超导的;(3)过渡体系样品中超导临界温度的高低依赖于样品结构的正交畸变程度;(4)本文中首次发现了不超导的四方相在100K附近结构相变可能存在的证据;(5)淬火温度较高的样品在高温区(>100K)的电导特性可以用样品中氧缺位的影响加以解释。 相似文献
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利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量. 相似文献
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化合物(Ⅰ)属空间群C2/C,晶胞参数:a=19.618(11)A,b=9.356(4)A,c=15.985(8)A,β=128.84(3)°=4。分子有C_2对称性。 化合物(Ⅱ)属空间群P21/a,晶胞参数:a=8.329(2)A,b=36.509(13)A,c=10.647(4)A,β=96.04(2)°,z=4,Zr—O—Zr非直线型161.1(9)°。Zr—O键有部分双键性质。 在两个化合物中,Ti原子和Zr原子均为d°电子构型。均以四面体取向与二个环戊二烯基环和二个O原子键合。对两个化合物中的M—O键进行了讨论。 相似文献
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用气相控制成核密度法 ,生长出了尺寸可达 5mm的C70单晶 .X射线衍射分析及电子衍射分析结果表明C70单晶在室温下为六方密堆积结构 (hcp)相与少量面心立方结构 (fcc)相共存 .用扫描电子显微镜和光学显微镜观察了C70单晶的生长形貌 ,分析了形成机制 ,探讨了生长条件对C70 单晶生长形态的影响 相似文献
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本文用生成元、关系式构造了任意域K上扭Chevalley单群2B2(K)的泛中心扩张.(域K=GF(23)除外)当域K为GF(25)的代数扩域时,证明了2B2(K)的Schur乘子是平凡的. 相似文献
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测量了(YBa2Cu3O7)24/(PrBa2Cu3O7)2 多层膜在强磁场下的超导转变展宽 .这种YBa2Cu3O7层间具有耦合 退耦合的临界绝缘层PrBa2Cu3O7厚度以及由 3D向 2D过渡的YBa2Cu3O7层厚度的多层膜 ,其不可逆场遵守H ∝ ( 1-t)μ关系 ,其 μ值约为1 ,介于3D( μ =3/2 )和2D( μ =1 /2 )之间 .磁通运动的热激活能的结果表明 ,对于H∥c和H⊥J的磁场位形 ,遵守U∝lnH关系 ,即磁通涡旋处于2D区 .而对于H∥ab和H⊥J ,H∥ab和H∥J两种磁场位形 ,激活能U随磁场的增加而线性减小 ,表明磁通涡旋处于3D态 .讨论了上述维度变化的可能物理机制 . 相似文献
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记Jn,kr为具有如下性质的n维未定向上协边类α构成的集合:存在α的一个代表元Mn及(Z2)k在Mn上的作用,其不动点集为常余维数r .记Jn,kr=∑nJn,kr,则Jn,kr为未定向上协边环MOn= 相似文献