ZnS:Cr2+晶体中Cr2+杂质离子的EPR参量及其占位

本文基于 ZnS:Cr²⁺晶体中 Cr²⁺杂质离子处于八面体有效晶场(D_2d畸变)理论模型,通过考虑对基态有较大影响的所有低自旋态的贡献后,建立了一组维数较大曲 d⁴(D_2d^*)不可约表示强场能量矩阵.利用矩阵的特征值、特征矢量以及相应的EPR 参量理论公式,对 ZnS:Cr²⁺晶体的精细光谱、基态 ZFS,EPR 参量(g,g,D,E,F,α)、基态 Zeeman 能级以及 EPR 条件(B,v)进行了系统的理论分析与计算.结果与实验值符合很好.从而确立了 ZnS:Cr²⁺晶体中 Cr²⁺杂质离子的环境晶场系 D_2d畸变八面体结构.ZnS:Cr²⁺晶体的光、磁性质与 Cr²⁺杂质离子的八面体晶场结构特征密切相关.     

钠原子光电离过程中角分布参数β的计算

运用多体微扰理论方法 ,对开壳层钠原子的内壳层电子的光电离过程2p⁶3s→ 2p⁵ 3skl中分波散射截面和角分布参数进行了计算 .在计算中包括了 2s→ 3p的共振结构 .同时利用多体微扰理论的图式 ,对主要的电子关联相互作用进行了分析 ,并对RPA和BO关联的主要贡献项计算达到了无穷级近似 .计算结果与实验吻合较好 .     

活动星系核宽线区标准模型的谱线轮廓

在标准宽线区模型的框架下,根据光致电离理论,通过构造细致的发射线云团的辐射结构,计算了活动星系核光谱中,Lya和CIVλ1549两条重要紫外宽发射线的轮廓,并根据所得谱线轮廓的特征,讨论了宽线区模型中的两相介质理论和运动学状态等影响谱线发射和谱线轮廓的主要物理因素.主要结论是,如果宽线区的运动学状态是引力所主导的径向内流,则当宽线区中存在一定的热相介质(其粒子数密度n_h≈2×10⁵cm^-3)时,所得理论谱线轮廓与观测特征符合的较好;如果对宽线区尺度进行合理的截取,Lya和CIVλ1549的理论谱线轮廓都向蓝端有一定的峰移,这可以用来定性解释活动星系核的观测谱中,高电离谱线和低电离谱线有系统性红移差别的现象.     

应用激光光电流光谱法测量235U的超精细结构和同位素位移光谱

本文用激光光电流光谱技术测量了铀原子同位素位移光谱,提出双光路测量系统,提高了测量的灵敏度与准确度.还测定并计算了²³⁵U原子的5f³⁶d7s²-⁵L₆⁰基态能级和5f³6d7s7p-~7M₇激发态能级的磁偶极矩常数A_J和电四极矩常数B_J.在超精细组份分辨不完全的情况下,只要能准确测定五个以上的超精细组份,就可以计算出尚分辨不清或不能直接测定的其余全部超精细组份.     

光电离激发过程中末态关联的高级修正

把多体微扰理论(MBPT)用于计算钠原子的光电离过程2p²3s→2p~53skl和光电离激发过程2p⁶3s→2p~54shl和2p⁶3s→2p⁵5skl.对两种光电离激发过程2p⁶3s→2p⁵4skd和2p⁶3s→2p⁵5skd的3种末态关联(shake-off,virtual-Auger和knock-out)及基态关联分别进行了计算与讨论发现末态关联的shake-off过程是这些光电离激发过程最主要的贡献,而偶极矩算符〈kd|z|2p〉对末态关联有最重要的影响.为了对末态关联作用进行更准确更细致的研究,对偶极矩阵元〈kd|z|2p〉分别采用了最低级近似,一级近似和高级近似进行计算与讨论.高级近似包括了The radom-phase approximation(RPA)和重要的Brueckner-orbital(BO)和Structureradiation(SR)关联.改进了耦合方程方法,使主要的RPA关联和BO关联包括了无穷级近似.在考察这些高级近似后的计算中,光电离激发过程2p⁶3s→2p⁵4skl和2p³s→2p5⁵skl的计算结果与实验相吻合.     

两类万有膨胀移位的刻划

本文具体刻划了这样两类万有膨胀移位算子:A_^?0)类单边加权移位和(BCP)_θ类单边加权移位.由此我们回答了一些有关问题.     

YBa2Cu3Ox超导体的光谱研究

能带是决定固体特性的头等重要的因素。我们用光谱方法对单相YBa₂Cu₂O_x高T。超导体进行了研究,测量了样品的反射-吸收谱、Raman光谱和荧光光谱.其350和500nm吸收带以及390nm,560nm荧光峰来自晶格中Cu⁺发光中心,是跃迁过程¹A_1g(3d¹⁰)-¹E_g和~3E_g(3d⁹4s¹)。其720nm和860nm荧光峰来自Cu²⁺发光中心,是由于自由离子光谱项²D在八面体晶场、正交晶系晶场中分裂为5个能级之间的跃迁。此外,还有一些光谱可能来自晶格中Cu³⁺发光中心,其481cm^-1和551cm^-1声子对说明了312cm^-1处声子对与电子系统是强耦合。     

扩展射电源的磁场分布和晕源的性质

本文研究了扩展射电源的X射线和射电辐射分布图,计算了射电星系CenA,3C264,星系团A2634,A1775和后发星系团等源中磁场下限和其它物理量的分布,结果表明,星系团射电源可能包含两种成分:1.与某些射电星系相联系,磁场较强(>10^-6高斯),X射线主要来自热机制;2.与整个星系团相联系的扩展射电晕,磁场为10^-8高斯,有强的康普顿辐射。 本文不仅给出了几个扩展射电源的磁场下限分布,还得到了对康普顿辐射有重要贡献的一个确切样例(后发星系团晕源),并由此提供了鉴别X射线辐射机制的方法和对观测的要求。     

SIMNI和SIMOX多层结构及其光学性质的研究

本文研究了利用大剂量的N⁺和O⁺注入单晶硅并经高温热退火以后形成的SOI(silicon on Insulator)新材料的形成过程及其多层结构.对SOI结构进行了红外吸收谱和反射谱的测量,通过对红外反射干涉谱的理论分析和计算机模拟,得到了SOI结构的折射率分布.研究表明,利用离子束合成技术可以获得高质量的SOI材料,红外吸收谱和反射谱的测量分析是一种有效的、非破坏性的检测方法.     

低质量AGB星核合成事件的相关性研究

模型为低质量AGB星的热脉冲氢氦混合燃烧模型,并考虑了恒星核心质量随脉冲的变化及星风质量损失的影响.采用了一个从⁵⁶Fe-²¹⁰Bi的无分支“s-过程”反应通道及从¹²C到²²Ne的相关核素反应网络,计算了MS星及S星碳氧比(C/O),氟,及“S-过程”重元素的超丰并同观测做了比较 结果表明:对于内禀MS星及S星,氟的核合成与“S-过程”重元素的核合成,是在AGB星氦燃烧壳层进行的两个不同的物理过程,在热脉冲条件适宜时能够同时进行的;核合成产物通过第3次挖掘到达表面,从而使表面碳、氟以及重元素超丰.由于氟的核合成是在一个较窄的温度范围内进行的,因而对温度的变化较敏感.还特别讨论了由此可能产生的观测效应.     

一种DV—Xα计算d~N配位场谱的方法——对(CrF6)3-的应用

本文延伸通常的DV-X_α计算,应用Bird等人的配位场理论方法,提出一种理论计算过渡金属络合物的d^N配位场谱的方法。通过对(CrF₆)^3-的d³配位场谱的计算和与实验及其他理论结果的比较,表明该方法是方便而又有效的。     

含氢硅单晶2210cm-1红外吸收峰本质的理论研究——Ⅰ.振子频率的价键力场计算

本文根据Urey-Bradely 力场的思想,用价键力场的方法对文献[1]中提出的含氢硅单晶中2210cm^-1吸收峰对应的缺陷复合体的两个模型:空位+4H,间隙硅烷,进行了振动频率的计算.在对计算结果和力常数调节合理性分析的基础上,得出了空位+4H模型比较合理的结论.此外还介绍了理论计算揭示的从实验上区分两个模型的可靠途径.     

激光晶体MgF2:Co2+的MS-Xα计算——Ⅱ.激光晶体的Xα研究

本文报道了具有D_2h格位对称性的过渡金属络离子(CoF₆)^4-的自旋非限制MS-X_α计算结果。给出了单电子本征值和本征函数。讨论了激光晶体MgF₂:Co²⁺的电子结构。用Slater过渡态方法计算了晶场分裂参数10D_q及电荷转移跃迁能量,结果与光谱及XPS实验值符合得很好,并且优于组态相互作用从头计算结果。由Case-Karplus电荷分配法得到了Co²⁺的自旋-轨道耦合常数λ。最后对两种调谐激光晶体MgF₂:Co²⁺和MgF₂:Ni²⁺的电子结构进行了比较。     

π—核电荷交换反应

本文用多重绕射理论,讨论了强子引起的核反应。采用了分离变数的方法来计算高次项,从而能处理一般的核结构组态对反应截面的影响。并用此方法给出了π^-核的单电荷交换反应及双电荷交换反应的振幅。对O¹⁸(π⁺,π⁰)F¹⁸和O¹⁸(π⁺,π^-)Ne¹⁸的同位旋相似态之间的反应截面,用壳模型纯组态和SU³波函数分别进行了计算。结果表明核结构对截面的影响是很重要的。     

钝体分离旋涡流动的区域分解、杂交数值模拟——Ⅰ.理论方法及其应用

为克服涡旋法不能精确预计物体附近小尺度流动结构的理论缺陷,减少高Reynolds数流动N-S方程差分解的困难,本文提出一种区域分解、杂交耦合N-S方程有限差分解及涡旋法的新的数值模型和理论方法.将流场分解为内外两区,在靠近物体表面、范围为O(R)的内区进行N-S方程有限差分解,外区作Lagrange-Euler涡旋法解,建立了分区流动的联结、耦合条件,给出了杂交耦合求解的数值计算方法.用本方法作了Re=10²,10³的圆柱绕流计算,考察了区域交界面位置变化时解的稳定性.与全场N-S方程解及实验结果的比较表明本文方法能精确预计流动分离及近场流动的详细结构,并可有效地计算流动的总体特性,且比全场N-S方程解显著节省机时和计算量.     

d8(C3v*)EPR理论与CsMgCl3:Ni2+的光、磁性质研究

本文给出了O_h点群表象中的d^2,8(C_3v^*)完全强场矩阵,并借助于这种矩阵的特征值和特征矢量,建立了CsMgX₃:Ni²⁺(X=Cl,B,I)类晶体的全组态混合EPR理论。应用这一理论,对CsMgCl₃晶体中的Ni²⁺杂质离子的光学吸收谱、基态零场分裂参量D、顺磁g因数、基态Zeeman分裂以及EPR条件(B,hv₀)进行了统一的计算。结果与观测非常一致,从而首次对CsMgCl₃:Ni²⁺的光、磁性质作出了统一的理论解释。     

基于Lifshitz理论的相同电介质分子间等效吸引势

应用Lifshitz根据量子电动力学建立的vanderWaals力的一般理论 ,导出真空中相同电介质分子间的vanderWaals吸引势 ,以期给出相同分子 (包括原子团 )间等效相互作用势 .首先根据所提出的假设求出了相同粒子间相互吸引势积分式的解析解 .在此基础上 ,通过电子极化理论将所导出的由宏观物理量表示的公式与著名的London公式进行了比较 ,两者仅差一个因子 4/π或 4 π ((ε_∞ + 2 ) / 3)² .为了验证所导出的等效吸引势的可靠性 ,对几种电介质进行了计算 ,并与London色散公式的计算值以及由实验和理论方法所给出的推荐值进行了对比 .作为一个算例 ,还给出了聚乙烯的等效作用势 ,其阱深处于合理的范围 .     

低能电子与NⅣ共振散射的R矩阵计算

本文用R矩阵方法精确地计算了N IV的2s²¹S^e,2s2p³P^o和2p²³P^e,¹D^e,¹S^e靶态间的低能电子碰撞激发的碰撞强度和速率系数,并将这些结果与其他理论和实验结果进行了比较。     

咔唑及其衍生物的核磁共振谱

本文报道了14个咔唑衍生物的¹H和¹³C核磁共振谱及某些衍生物中¹³C的自旋-晶格弛豫时间.用NMRCAL程序对14个衍生物中咔唑环质子的核磁共振谱进行了理论计算,讨论了咔唑环对取代基R中³H及¹³C的化学位移和偶合常数的影响.计算了R为烷基时咔唑环对其中α-H,β-H和α-C,β-C及γ-C的取代效应.在R-一CH₂—R¹(R¹=C_nH_2n+1),—CH₂—?,—CH₂—CH₂—Br及—CH₂—CH=CH₂等衍生物中,找出与N直接成键的CH₂中¹J_CH值具有加和性.     

分子氮络合物的化学键理论

文中用LCAO分子轨道理论对分子氮络合物的化学键作了处理,得到了能级、电荷密度和键序的表达式,根据能级,讨论了稳定性和金属价态、电子组态dⁿ的关系;指出单核低价络合物,d^4-6最稳定,高价络合物,d^0-2稳定,根据电荷密度和键序,分析了电子能谱和红外光谱数据,并讨论了还原的可能途径,文中指出单核高价态d^0-2络合物,较易于发生还原性的亲核反应;低价d^4-6络合物将发生亲电子反应,但必须借助EDA型配位体或光激发过程进一步提高N的负电荷密度,双核络合物与单核络合物,结论大致相仿。