太阳电池扩散区结构和它的短路电流

本文研究了硅扩散结太阳电池扩散区的结构和它的短路电流的关系.结果表明扩散区对短路电流的贡献依赖于扩散区厚度、表面复合速度和扩散区中的内建场梯度等因素.木文通过计算实例指出:被腐蚀减薄的扩散区结构的优劣需要具体评价，同时提供了这种具体评价的理论和方法。     

用MOS 结构同时测定少子复合寿命和产生寿命

本文报道了一种能同时确定半导体体内少子复合寿命和半导体表层空间电荷区少子产生寿命的实验技术。在处于强反型的MOS电容器上加一矩形脉冲,使其变为平带状态。此时,反型少子将注入半导体体内,并在那里复合。当脉冲结束时,尚未复合的反型少子被扫回半导体表面,MOS结构则进入深耗尽态。此后,在不变的栅压下,通过空间电荷区的少子产生,MOS结构将逐渐弛豫回到加脉冲前的强反型态。本文指出,由前一过程可确定少子复合寿命,而由后一过程可确定产生寿命,文中并分析讨论了界面态对测量结果的影响。     

感应反型层太阳电池的开路电压分析

本文应用数值计算方法研究了感应反型层太阳电池的开路电压与衬底掺杂水平、介质层固定正电荷密度及表面复合速度等的函数关系.研究结果表明,表面复合对开路电压的影响与衬底的掺杂水平有关,并且随着固定正电荷的增加而减弱.     

埋层和外延NN十结构高低结界面的有效复合速度

本文假设埋层后或外延 NN ＋结构过渡区的杂质浓度分布为高斯分布 ，在此情况下，对高低结界面的有效复合速度作了解析分析 ．解析分析的优点是能够区分少子反射中不同物理机构的作用 ．文中计算并讨论了两个这样结构的有效复合速度及它的两个分量宇最大电场强度之间的关系.也对一些实验器件进行了计算，并与实验和Ram 等的结果作了比较 ．     

外延层质量与恒流器体特性关系的研究

目前国内外普遍采用水平沟道结构制造CRD(Current Regulator Diode)即在P型硅衬底上,外延生长3～5μm,电阻率为1～2Ω.cm的一个n型薄层,然后硼扩散在外延层上制作顶栅,底栅结是由n型外延层和P型衬底构成,参图1.为了减小导通电阻,在顶栅扩散后光刻 .源、漏接触窗口,通过浓磷扩散形成n~+区最后制作欧姆接触电极.工艺中关键是外延层生长和顶栅结制备.     

高效单晶硅太阳电池的结构分析与设计

完成了对目前光电转换效率最高的商品单晶硅太阳电池的结构分析,并结合其结构特点得到了影响转换效率的关键因素.完成了全背电极太阳电池的版图设计,采用高少子寿命硅材料,进行了多项工艺实验,发现绒面制作前的硅片表面预处理条件对短路电流值有重要影响,预处理时间的不同造成短路电流值有显著差别.     

基于椭偏测试法的氢化非晶硅膜钝化机制

本征非晶硅(a-Si:H)钝化是获得高效非晶硅/晶体硅异质结太阳电池的关键技术之一,但由于非晶硅的结构复杂多变,至今仍无法对其结构与性能的关联进行简洁的线性表征。本研究采用Sinton设备,测试不同工艺制备的双面a-Si:H薄膜钝化的N型单晶硅片的少子寿命,表征a-Si:H对硅片表面的钝化效果,采用椭圆偏振光谱仪测试拟合a-Si:H薄膜的折射率、消光系数、光学带隙等参数,分析它们与钝化效果的关联。发现:介电函数虚部ε_2的峰值和薄膜禁带宽度大致呈现线性关系,高频折射率n_∞与钝化后少子寿命呈线性关系。因介电函数由材料的能带结构、态密度等结构因素决定,所以ε_2峰值与n_∞这两个参数有望为非晶硅结构与钝化效果的理解提供新的表征思路,指导工艺的优化改进。     

硅片氧化中加入少量HCl能改善PN结特性

破坏 IPN 结击穿电压的因素很多,但往往和有害杂质密切相关。硅片在高温氧化中,常有各种金属杂质沾污,或硅片本身就含有较高浓度的金属杂质。高温扩散形成 PN 结时,一些杂质会沉积在结上,从而使结特性变劣。若在高温氧化中加入少量 HCl 气体,就会使一些金属杂质生成挥发性的氯化物,一方面可消除高温下炉管辐射出来的金属原子,同时,对硅中原含有害金属杂质还有某些提取作用。因此,加入 HCl 进行氧化可望改善因金属沾     

氩等离子体处理后复合绝缘子的憎水恢复性

针对复合绝缘子在实际运行中的老化失效问题,本文用氩等离子体模拟电晕放电,对复合绝缘子表面进行加速老化处理,用静态接触角法反映老化后复合绝缘子的憎水性恢复过程.根据小分子硅氧烷扩散模型和Fick第二定律对扩散方程进行推导,并利用指数函数对憎水性恢复过程进行拟合,给出了能量化评估复合绝缘子憎水恢复性快慢的指标——小分子硅氧烷扩散系数D,最后利用小分子硅氧烷扩散系数D研究温度因素对复合绝缘子憎水恢复性的影响.结果表明,在50℃条件下硅橡胶小分子硅氧烷扩散系数D是-50℃时的10倍.     

冶金级硅中杂质的表面吸附与去吸附除杂

对冶金级硅的物理提纯因可望成为低成本太阳能级硅生产技术而受到各国高度关注.利用硅中杂质的表面吸附偏聚,对冶金级硅粉进行酸洗去吸附除杂.并尝试在此后进行高温退火以再次造成表面扩散偏聚,然后继以二次酸洗去吸附除杂.结果表明这种技术对硅中金属杂质有一定除杂效果,可以作为进一步提纯前的预处理;高温退火后二次酸洗能够进一步降低杂质含量,但效果并不显著,难于生产应用.扩散计算表明,高温退火偏聚处理对较重金属杂质有效,而对B、P杂质则几乎没有效果.     

用表面光压(SPV)法确定异型外延材料中的少子扩散长度

本文分析了用sPv法确定异型外延材料少子扩散长度的可行性，并对典型工艺参数，给出了有效少子扩散长度L。与外延层厚度d、外延层及栩}少子扩散长度L,, L:的关系曲线.提供了一种确定外延层材料少子扩散长度的新方法。     

氧吸附对CdS—CdSe薄膜中少数载流子寿命的影响

空气中的氧在CdS-CdSe烧结膜中晶粒表面上的吸附,使晶粒的表面态发生变化,影响了晶粒中载流子的表面复合率.直流光电导衰退法测量结果表明.氧的吸附增大了CdS-CdSe薄膜中载流子的表面复合率,从而使少数载流子的有效寿命下降.     

用硅双结型色敏器件测量色温

提出了一种用硅双结型色敏器件测量色温的方法．在合理的测控电路下，硅双结型色敏器件的电流对数比与实验灯泡的色温值呈良好的单值对应，经单片机处理后可以得到分段线性关系．通过对电流对数比与波长随线的数据拟合，结果表明，用硅双结型色敏器件测量色温，其测量温度可以到10^4K以上，精度可以达到10K．本文的方法与传统方法相比减少了工作量，降低了费用，具有通用性和实用价值．     

产生区宽度模型与产生寿命的确定

本文建议了一种由两个不同电压扫描率下的饱和电容值确定产生寿命的实验方法。C}7于这一实验方法只涉及不同电压扫描率下产生区宽度之差，因此无论使用Fierret的改进的产生区宽度模型或是使用简单的Zerbst模型都将给出同样的产生寿命值。实验结果表明，对于同一个MOS电容器样品，从不同电压扫描率组合得到的产生寿命值基本一致.     

基于数字图像相关方法的不锈钢内部缺陷检测研究

不锈钢材料内部缺陷检测是无损检测领域的研究热点和难点之一,尤其对微小和闭合裂纹的检测.本文提出了一种基于数字图像相关方法的应变集中缺陷识别方法,即对试样表面采用曝光灯进行辐射加热,利用数字图像相关方法定量分析试样表面应变场,通过试样表面高应变区域的表征,实现对金属内部裂纹的检测.结果表明,该方法可以在试样加热过程中表征不锈钢内部裂纹,其有效检测深度可达3.71 mm.     

中国天山西部的融雪机制研究(英文)

本文根据中国科学院天山积雪、雪崩研究站的资料。系统地研究了融雪深度与平均风速、积雪净辐射正值积分值以及气温正值积分值(雪表面以上1.5m处)的相互关系,并给出了相应的线性拟合公式。分析了积雪反射率在融雪过程中的特殊作用以及融雪过程的正反馈机制。