八毫米脉冲高功率雪崩管振荡器

本文简述了IMPATT器件的设计、制造工艺、振荡器的微波电路结构和脉冲调制的研制。对脉冲偏置期间产生的频啁效应作了原理性的说明,并提出了减小频啁带宽的方法。目前所研制的八毫米雪崩管振荡器输出功率在20W以上,最大脉冲输出功率在35.5GHz时达到48W。重复频率在1—100kHz范围内可调,脉宽从50ns—1μs可调。频率稳定,工作可靠。     

6mm介质稳频微带耿氏振荡器

报道了一种使用介质谐振器稳频的高性能和高稳定的６ｍ全微带ＧａＡｓ耿氏振荡器．频率在４４．６ＧＨｚ时，输出功率为１０２ｍＷ；频率温度系数为４．８ｐｐｍ／℃．     

3mm波雪崩管集成振荡器设计

描述了一种3mm雪崩管集成振荡器。该振荡器由雪崩二极管,微带谐振装置,鳍线过渡段组成。通过对雪崩管振荡器的理论分析,利用电路设计软件ADS与三维仿真软件HFSS仿真优化,设计出了频率为95GHz的雪崩管集成振荡器。     

C波段双频切换低相噪介质稳频振荡器的设计

文章介绍了一种双频切换，低相噪介质稳频振荡器（ＤＲＯ）的设计方法。运用微波ＣＡＤ设计的Ｃ波段ＤＲＯ，其相位噪声可达到－７２～－７５ｄＢｃ／１Ｈｚ／１ｋＨｚ，最佳为－８０ｄＢｃ／１Ｈｚ／１ｋＨｚ；输出功率大于２０ｍＷ；推频系数小于１００ｋＨｚ／Ｖ；可在－２０℃～＋５５℃工作。     

雷达介质稳频振荡器的计算机辅助设计

介绍了一种Ｃ波段反射型ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ雷达介质稳频振荡器（ＲＤＲＯ）,进行了理论分析和数学模拟,并借助计算机利用Ａｎｓｏｆｔ公司的Ｓｅｒｅｎａｄｅ７．０软件进行优化设计。通过理论计算和计算机辅助优化,可以获得较好性能的振荡器。实现了谐频率ｆ０＝５．０６ＧＨｚ,输出功率８ｄＢｍ,从室温到６０℃范围内频率稳定度可达３ｐｐｍ／Ｃ。     

X波段低噪声高阶模式介质稳频振荡器

本文采用介质谐振器的高阶模式，研制出振荡频率为１０．７ＧＨｚ的并联反馈型介质稳频振荡器，由于可以获得很高的有载Ｑ值，振荡器具有良好的相位噪声性能。     

一种频率可调振荡器的设计

文中简单介绍了一种由双比较器型施密特触发器构成的振荡电路,它通过调整外部的电阻来控制对电容的充电电流,从而得到所需频率的方波或锯齿波信号。在对电路工作原理进行分析的基础上,利用Hspice仿真软件对振荡器频率的温度特性、电源变化等进行了仿真。结果表明该振荡电路产生的信号频率不仅可以调节,而且对温度和电源的变化不敏感。     

一种用于开关电源中的双极型高频振荡器

文章提出了一种基于2μm双极型工艺设计、应用于DC/DC开关电源中的高频振荡电路.该模块产生时钟信号,该时钟信号的频率可以随着负载和电源电压的变化而变化.我们用Cadence Spectre仿真工具对电路的工作状态进行仿真,结果表明该电路在宽电源输入和高、低温范围内都具有良好的性能.本振荡电路不但功能良好,而且结构简单...     

相对论扩展互作用腔振荡器重复 频率稳定运行研究

 分析了相对论扩展互作用腔振荡器(Relativistic Extended Interaction Cavity Oscillator)初次实验中存在的模式竞争和重复频率运行不稳定等问题.通过改进扩展互作用腔振荡器的长度,抑制了模式竞争问题;优化设计和选择了三轴提取腔和收集极结构与材料,解决了重复脉冲REICO的高功率稳定运行问题,减轻了脉冲缩短问题,稳定运行重频从15Hz提高到100Hz,辐射微波脉宽由20ns增加到38ns.采用900kV/16kA/45ns的电子束驱动REICO,实现了峰值功率4.1GW、频率2.85GHz、脉宽38ns、重频100Hz的辐射微波稳定输出,功率效率26％,能量效率22％,辐射微波平均功率16kW.     

3mm波段硅双漂移崩越二极管外延材料研制

报导了3 mm波段硅双漂移崩越二极管所需PN/N~+多层、亚微米外延材料的常规CVD生长技术,研究了实现这些高要求的多层结构的方法,得到了最佳的外延工艺条件。     

3mm二次谐波回旋振荡管设计与数值模拟

二次谐波回旋振荡管的互作用磁场比基波回旋振荡管的磁场降低了一半,从而降低了设计难度,具有广阔的应用前景。通过对单腔结构的W波段二次谐波回旋振荡管高频结构、起振电流、模式竞争以及注波互作用研究,确定了W波段TE02模二次谐波回旋振荡管的基本工作参数,通过粒子模拟(PIC)软件进行计算,在电子注电压为60kV,注电流为6A及速度比为1.5时,获得了67.5kW的输出功率和超过18%的效率,且工作稳定。     

一种高稳频型射频振荡器的设计

基于反馈式正弦波振荡器原理,设计出一款适合于UHF波段的高稳频型射频振荡器,本设计使用了高Q值选频技术,利用回路的谐振特性设计出多级的选频结构。振荡器输出频率范围：400 MHz~720 MHz,输出带宽大于300 MHz,属宽带射频振荡器。测试结果表明,在可用频段范围内,振荡器输出增益波动低于1 dB,输入驻波比VSWR<1.5 dB,输出驻波比VSWR<1.7 dB;中心频率f0=510 MHz时：频偏Δf=1 kHz处,相位噪声PN=-77.9 dBc/Hz;频偏Δf=10 kHz处,相位噪声PN=-95.8 dBc/Hz;频偏Δf=100 kHz处,相位噪声PN=-140.3 dBc/Hz;当频偏继续增加时,相位噪声呈指数下降。本设计可满足电视系统、无线对讲机系统、无线遥控系统等多种主流射频领域的应用要求。     

200MHz高频晶体振荡器研制

研制了一种200 MHz高频晶体振荡器,概述了产品的组成及工作原理,给出了该高频晶体振荡器的详细设计方法.仿真与实测结果表明,该晶体振荡器不仅具有优良的相位噪声,同时也达到了预期的抗振设计要求.     

三腔分离腔振荡器高频特性分析

本文详细研究了三腔分离腔振荡器的高频特性,从圆柱坐标系下的Borgnis位函数的齐次标量Helmholtz方程出发,引入慢波驻波概念及其场表达式,利用Borgnis位函数的边界条件及相邻子区公共界面上的场匹配条件,导出了三腔分离腔振荡器内角向均匀TM模的色散关系及场分布,求得的谐振频率与实验中测得的微波频率一致.     

三腔分离腔振荡器高频特性分析

本文详细研究了三腔分离腔振荡器的高频特性,从圆柱坐标系下的Borgnis位函数的齐次标量Helmholtz方程出发,引入慢波驻波概念及其场表达式,利用Borgnis位函数的边界条件及相邻子区公共界面上的场匹配条件,导出了三腔分离腔振荡器内角向均匀TM模的色散关系及场分布,求得的谐振频率与实验中测得的微波频率一致.