0.5μm光刻采用大数值孔径i线步进机

采用几种实用ｉ线抗蚀剂，０４８ＮＡｉ线５×镜头具有０５μｍ线间对成像能力，焦深大于１μｍ。这种镜头与０４０ＮＡ的ｉ线镜头对比，０４０ＮＡ的ｉ线镜头对于≥０７μｍ的线间对图形具有较好的焦深，而０４８ＮＡｉ线镜头对于＜０７μｍ的线间对图形具有较好的焦深，并且可将截止分辨率延伸到０３５μｍ。并探讨了这种镜头吸热效应的相对不灵敏性和这种镜头内Ｈｅ气体的过压作用。假设模拟制作０５μｍ线间对图形的最佳数值孔径在０５～０５５之间，进而提出对０４μｍ线间对图形具有足够焦深，使得ｉ线光刻成为ＤＵＶ光刻技术生产６４ＭＤＲＡＭ器件时代的竞争者。     

用i线步进机生产64MDRAM

本文论述了用ｉ线（３６５ｎｍ）步进机进行６４ＭＤＲＡＭ芯片曝光技术。此前，我们曾试用常规的一步曝光法和ＮＡ＝０．５０的ｉ线镜头在采用和不用移相曝光技术的不同条件下进行整块６４ＭＤＲＡＭ芯片的曝光，从中发现在少数曝光层中存在曝光不足的情况。通过实验我们证明了应采用分块曝光法替代一步曝光法。分块曝光法是将一个单一“分步重复”图形芯片分划成多个小块进行曝光，从而可获得很高的图形分辨率。实验中采用ＮＡ＝０．６５的ｉ线镜头。我们还试着分析了由ｉ线步进机光照系统引起的相干现象和分块曝光的对准精度等问题。     

用离轴照明进行0．35μm光刻

本文探讨了用离轴照明技术提高光刻工艺容限的方法。通过数值孔径分别为０．５４和．４８透镜系统的实验数据介绍了该技术的优、缺；点，并讨论了其在今后应用于亚半微米图形曝光的潜力所在，结合普通抗蚀剂工艺分析了该技术对薄膜工艺的影响。     

i线光学光刻技术及其发展潜力

综述和分析了ｉ线光学光刻技术的现状和发展。指出结合移相掩模技术和离轴照明技术,可在确保焦深的基础上大幅度提高成像分辨率。     

亚微米i线和g线投影光刻物镜研制

本文介绍了分步重复投影光刻机的i线和g线投影光刻物镜主要技术指标、设计要点、研制中解决的关键单元技术和设计试制结果。结果表明数值孔径NA＝0．42i线和NA＝0．45g线、视场15×15mm以及畸变＜±0．1μm的五倍缩小投影光刻物镜研制成功。     

片子步进机发展趋势

片子步进机发展趋势本刊编辑部光刻既是晶片加工的主要成本因素（约占晶片全部加工成本的３５％），又是增加电路功能特性的驱动技术，同时，也是半导体工业进步的决定性技术。因此，在技术规划和投资中，光刻一直占踞着十分显要的位置。用于ＩＣ图形转印的光刻技术，一直...     

0.7微米i线分步重复投影光刻曝光系统研制

本文介绍0．7μm线分步重复投影光刻曝光系统的技术指标、系统设计、研制中解决的关键单元技术和研制结果。结果表明工作波长365nm，缩少倍率5倍．曝光视场15mm×15mm．光刻工作分辨力0．6μm，并具有双路暗场同轴对准．又能精确分步投影光刻的曝光系统已研制成功。     

高速发展的光学光刻技术

光学光刻设备日益精进,相关技术不断革新,使光学曝光技术继续主宰九十年代的光刻设备市场。新颖的光学光刻设备仍将在进入本世纪末0.15微米1GDRAM极大规模时代扮演主要角色。本文将对光学微细技术不同发展阶段的主要技术进步和设备概况作以介绍,并对光学光刻设备的市场和今后的发展趋势作了分析。     

Φ3英寸GaAs0.5μm准分子激光光刻技术

详细叙述了准分子激光的工作原理和工艺特性，介绍了准分子激光光刻实验及Φ３英寸基片均匀性补偿试验的研制结果。     

Φ3英寸GaAs 0.5μm准分子激光光刻技术

详细叙述了准分子激光的工作原理和工艺特性，介绍了准分子激光光刻实验及Φ３英寸基片均匀性补偿试验的研制结果。     

VLSI制造中片子步进机镜头的选择

<正> 目前,在VLSI圆片加工的光刻工艺中,离开步进投影曝光机就无法对镜头进行完整的评价。由投影镜头的光学成像特性,步进机照明系统,机器调整以及系统和工艺特性引起的圆片上半导体电路图形尺寸和位置的变化,均会影响到图形的套刻和关键尺寸的控制。 显然,对用于VLSI制造中片子步进机镜头的评价,必需在一个较广阔的范围内进行。它包括了系统的对准和套准;镜头之间和机器之间的匹配;一组中间掩模版的套准精度;可达到的实际视埸尺寸;与关键尺寸结果有关的光致抗蚀剂工艺等。在文献1和文献2的报导中,已经强调了这些参数因素结合的重要性。     

用于光学光刻生产的提高型整片对准技术

本文从对准系统与对准过程、提高型整片对准计算、激光步进对准测量系统、以及激光步进对准探测中对准标记形貌的作用等几个方面，介绍了Ｎｉｋｏｎ公司研制的一种用于光学光刻生产的提高型整片对准技术（ＥＧＡ）。研究结果表明，该技术的生产效率接近标准的整片对准技术，套刻精度达到逐场对准的技术水平     

0.5μm AlGaN/GaN HEMT及其应用

报道了采用I线步进光刻实现的76.2 mm SiC衬底0.5μm GaN HEMT.器件正面工艺光刻均采用了I线步进光刻来实现,背面用通孔接地.栅脚介质刻蚀采用一种优化的低损伤RIE刻蚀方法实现了60°左右的侧壁倾斜角,降低了栅脚附近峰值电场强度,提高器件性能和可靠性.研制的GaN HEMT器件fT为15 GHz,fm...     

0.50μm步进光刻机关键技术设计

阐述了分步光刻机的发展方向和国内现状,就０５μｍ分步光刻机的设计难点和所采用的关键技术作了进一步的分析。提出了关键技术所采用的设计方案,并对影响、难度最大的工作台技术、自动对准技术、投影镜头技术等的设计原理进行了研究。还对系统的套刻精度进行了分析和测算。     

一种新型的I线和DUV线步进机的设计思路

本文讨论了新生产线上一种步进机，它是由美国半导体制造技术联合体和它的几个子公司联合开发的。它应用ｉ线（３６５ｎｍ）和深紫外（ＤＵＶ２４８ｎｍ）波长，具有高数值孔径、大视场精缩镜头特点，适用的工作焦深，ｉ线机实用分辨率可达０．５μｍ，而ＤＵＶ机实用分辨率为０．３５μｍ。结合这些设备的设计，特别是从对准区域、调焦、ＩＮＳＩＴＵ计量、自动校准和诊断效用方面，简述了步进机的曝光技术。该设备新添的特点，满足     

用于0．35微米生产的宽视场远紫外片子步进机

目前，器件生产厂家和光刻设备制造厂家正在准备进行０．３５μｍ电路的生产。很明显，光学片子步进机仍然是主要的生产设备，但对ｉ线和远紫外片子步进机的选择至今还存在着争议。本文介绍了在开发生产远紫外片子步进机中取得的一些进展。作为１９９０年在ＳＰＩＥ会议上讨论过的采用ＴＴＬ对准系统及自动准分子激光波长控制的早期远紫外片子步进机的替代产品，一种新型的远紫外步进机最近已开发成功。该机采用一种新型的２４８ｎｍ波长的镜头，其像场直径为ф２９．７ｍｍ，数值孔径为０．５。该机主体类似于本公司１９９１年开始生产的宽视场ｉ线步进机，其关键的设计参数和结果本文将给以介绍。其中包括在正性和负性抗蚀剂中０．２５μｍ以下的成像性能和基于ＴＴＬ对准系统原理的高精度套刻，同时给出了与ｉ线步进机混合曝光的匹配性能。