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短波长相变光盘记录介质Ge2Sb2Te5薄膜的制备及静态性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了632.8nm波长下适用的相变光盘介质Ge2Sb2Te5薄膜的制备方法和静态光存诸记录特性,发现该薄膜可在100ns条件下实现直接重写,在优化膜层结构后,写擦循环次数高达10^6,反射率对比度在15%以上。 相似文献
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研究了磁控溅射制备的Ag5In5Te47Sb33相变薄膜的光谱及短波长静态记录性能。研究结果表明,晶态薄膜反射率较高,并在600~900nm波长范围内,晶态与非晶态的反射率和折射率相差很大。在CD-E系统的工作波长780nm处,晶态反射率高达50%,光学常数为5.34-1.0i;非晶态反射率为23%,光学常数为2.5-1.03i。从这一角度讲,Ag5In5Te47Sb33相变薄膜适于做CD-E系统的记录介质。另外,采用波长为514.4nm的短波长光学静态记录测试仪对Ag5In5Te47Sb33薄膜的记录性能进行了测试,结果表明,这种薄膜短波长记录性能较好,它在较低功率和短脉宽的激光束作用下就可得到较高的反射率对比度。 相似文献
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磁控溅射法制备的高反Ag5In5Te47Sb33相变薄膜的光谱性质及短波长 … 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了磁控溅射制备的Ag5In5Te47Sb33相变薄膜的光谱及短波长静态记录性能,研究结果表明,晶态薄膜反射率较高,并在600~900nm波长范围内,晶态与非晶态的反射率和折射率相差很大,在CD-E系统的工作波长780nm处,晶态反射率高达50%,光学常数为5.34-1.0i;非晶态反射率为23%,光学常数为2.5-1.03i,从这一角讲,Ag5In5Te47Sb33相变薄膜适于做CD-E系统的 相似文献
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1.55μmSi1—xGex光波导在Si1—xGex/Si多量子阱探测器集成的优… 总被引:2,自引:1,他引:1
对1。55μm波长的Si1-xGex光波导和Si1-xGex/Si多量子阱红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为:1)对Si1-xGex光波导,Ge含量x=0.05,脊宽,高和腐蚀深度分别为8,3和2.6μm,2)对SI1-xGex/Si多量子阱红外探测器,Ge含量x=0.5,探测器由厚度为550nm,23个周期的6nmSi0.5GE0.5+18nmSi组成,长度约2mm。 相似文献
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对类镓等电子序列GaⅠ-XeⅩⅩⅣ离子4s24p、4s4p2、4s2、5s组态能级结构和组态相互作用进行了理论分析,找出沿等电子序列的变化规律。用我们提出的拟合公式预测SuⅩⅩ-TeⅩⅫ离子4s24p、4s4p2、4s25s组态能级,并给出4s24p-4s4p2、4s24p-4s25S谱线波长和HXR方法的理论计算振子强度,理论计算值与实验值进行了比较。 相似文献
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对1.55μm波长的Si1-xGex光波导和Si1-xGex/Si多量子阱(MQW)红外探测器的集成器件结构进行了系统的分析和优化设计。优化结果为:1)对Si1-xGex光波导,Ge含量x=0.05,脊宽、高和腐蚀深度分别为8、3和2.6μm;2)对Si1-xGex/Si多量子阱红外探测器,Ge含量x=0.5,探测器由厚度为550nm、23个周期的6nmSi0.5Ge0.5+17nmSi组成,长度约2mm。结果表明,这种结构器件的内量子效率可达88%。 相似文献
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首次在(100)GaAs衬底上成功地生长出ZnGa2Se4外延薄膜。用分子束外延技术在100GaAs衬底上制备Ga2Se3/ZnSe异质结时,用540℃以上的温度生长出ZnGa2Se外延层。 相似文献
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连续氢化法电感耦合等离子体发射光谱同时测定生物样品… 总被引:9,自引:0,他引:9
本文叙述用氢化法电感耦合等离子体发射光谱同时测定生物样品中痕量硒,砷,锡,锑的方法。比较了浓度为2.88mol/L,4.8mol/L和6.0mol/L的HCl对Se,As,Sn,Sb,Hg和Ge谱线强度的影响,也比较了NaBH4溶液中VC对测定Se,As,Sb,Sn,Hg和Ge的影响。在4.8mol/L HCl浓度下,在1%NaBH4溶液中加0.5%VC,HY-ICP-AES的检出限是:Se 0. 相似文献
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对类镓等电子序列GaⅠ-XeⅩⅪⅤ离子4s^24p,4s4p^2,4s^25s组态能级结构和组态相互作用进行了理论分析,找出沿等电子序列的变化规律。用我们提出的拟合公式预测SnⅩⅩ-TeⅩⅫ离子4s^24p,4s4p^2,4s^25s组态能级,并给出4s^24p-4s4p^2,4s^24p-4s^25s谱线波长和HXR方法的理论计算振子强度,理论计算值与实验值进行了比较。 相似文献
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用自洽场离散变分Xα(SCF-Xα-DV)量子化学计算方法研究了Te-Se-I玻璃及添加As和Ge元素的体系,讨论了结构、性能与化学键之间的关系。计算表明离子键和共价键强度的次序都是Ge-Se〉As-Se〉Te-Se,与相应的玻璃转变温度的实验结果一致。含有一配位碘原子的Te-I键比含有二配位碘原子的Te-I键强。As-As和As-I键比两类Te-I键都强。较强的As-As和As-I键取代较弱的T 相似文献
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蓝色显示材料及器件的研究 总被引:3,自引:1,他引:2
用H2和CS2还原法制备Ce:SrS发光材料,分析了两种方法对材料的结构及发光特性的影响,得到了最高亮度为950cd/m^2(1000Hz)的Ce:SrS薄膜电致发光(TFEL)器件;用高温固相法得到Ce:SrGa2S4荧光粉,用射频溅射沉积的Ce:SrGa2S4薄膜在600℃以上、H2S气氛下快速热处理可以改善薄膜结晶性能,提高杂质激发峰强度,得到好的光致发光(PL)发光性能,以陶瓷片作为基片同 相似文献
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以NH4Cl作助溶剂,碳还原硫酸钙的方法合成了CaS:Ce。在紫外光激发下,CaS:Ce中存在着Ce^3+的^2D-^2F5/2(500nm)和^2D-^2F7/2(550nm)跃迁发射,但在蓝色光激发下,只有波峰为532nm半宽度为92nm的宽带发射。当Ce^3+的浓度为0.075mol%时,^2D-^2F5/2跃迁发射强度与^2D-^2F7/2跃迁发射强度相等,而532nm发射猝灭。 相似文献
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研究了Ge;SiO2光敏缺陷的特性,分别在488nmAr离子激光与193nmAr准分子激光作用下,由紫外吸收带,激光荧光的测量实验及电子自旋共振实验,发现光纤中5.1eV锗缺陷吸收带实验上是由5.06eV可光致漂白带与5.17eV不可漂白带组成;295nm的激发荧光与5.06eV的缺氧锗缺陷对应,随5.06eV缺陷吸收带的漂白而衰减; 相似文献
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非晶态半导体/金属薄膜的分形晶化 总被引:4,自引:0,他引:4
本文综述非晶态半导体/金属薄膜退火过程中金属诱导非晶态半导体晶化的研究,综述对若干非晶态半导体与金属组成的薄膜(Ge-Au、Ge-Ag、Ge-Al、Ge-Se、Ge-pd、Si-Ag、Si-Al、Si-pd、Si-Cu、sic-Al、Si_3N_4-A1)晶化后形成的图形进行的分形研究,内容包括分形形成的实验规律、根据微结构电镜观测结果提出的随机逐次成核模型、以及对分形晶化进行的计算机模拟。 相似文献
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硫氰酸铵树脂相分光光度法同时测定天然水中微量铁和钴 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了在Tween-80存在的酸性介质中,Fe(Ⅲ)和Co(Ⅱ)与SCN^-形成稳定的有色络阴离子与阴树脂交换吸附,有色络合物富集显色于树脂组上,进行树脂组分光光度集显色于树脂相上,进行树脂相分光光度法同时测定铁和钴的实验条件,Fe(Ⅲ)和Co(Ⅱ)树脂具有色络合物最大吸收波长λmax分别为490nm和630nm,摩尔吸光系数,ε为2.4×10^5L.mol^-1.cm^-1和2.1×10^5L. 相似文献
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氢吸附对掺杂SnO2薄膜电子结构的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
应用XPS技术研究了掺杂SnO2薄膜吸附H2前后电子结构的变化,观测到掺杂到Sb和Pd化学状态明显改变,发现掺杂剂Sb对SnO2薄膜Femi能级的影响;同时,分析了掺杂Sb和Pd对SnO2薄膜气敏特性的影响机制。 相似文献