0.5μm分辨率同步辐射X射线光刻技术

报道了用Ｘ射线母掩模复制子掩模的工艺和用北京同步辐射装置（ＢＳＲＦ）３ＢＩＡ光刻束线获得的０．５μｍ的光刻分辨率的实验结果。     

摩托罗拉实现0.1μm生产工艺

摩托罗拉半导体使用先进移相技术在工业界第一个应用 0 1 μｍ硅处理技术生产芯片。该技术突破并解决了半导体工业面临如何设计和生产次波长集成电路的关键问题 ,将推动产品性能的提高和利润的增长。该公司的 0 1 μｍ制造工艺使用了ＮｕｍｅｒｉＴｅｃｈ公司的移相技术和光学临近效应校正技术 (ＯＰＣ) ,结合本公司的先进制造技术。现已生产出了 0 1 μｍ特征尺寸的ＰｏｗｅｒＰＣ芯片 ,该芯片是目前世界上最复杂的芯片 ,由于尺寸降低至 0 1 8μｍ以下 ,光学光刻技术设备不能加工低于波长 2 48ｎｍ的产品 ,否则会失真或消失 ,不利于生…     

0.1μm栅长低温工作MOSFET

<正> 在1988年国际固体器件和材料会议上,美国IBM公司G.A.Sai-Halasz报告了0.1μm栅长NMOS FET的性能。器件在77K下最大跨导gm为940μS/μm(栅长0.07μm)和770μS/μm(栅长0.1μm)。在室温下gm分别为590μS/μm和505μ/μm。这是FET器件中最高测量值。在栅长和跨导关系测量中,在77K下当栅长小于0.1μm时明显出现速度过冲效应。     

0.1μm T型栅PHEMT器件

通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法,并利用复合胶结构,一次电子束曝光制作出具有T型栅的PHEMT器件,并对0.1μm栅长PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究．形成了一整套具有新特点的PHEMT器件制作工艺,获得了良好的器件性能(ft=93.97GHz;gm=690mS/mm)．     

分辨率为0.25μm的激光扫描显微镜

西德Carl Zeiss公司最近制成了分辩率为0.25μm的激光扫描显微镜。如果加以改进,分辩率还可能提高。激光扫描显微镜的原理与扫描电子显微镜非常相似。它是用聚焦的激光束代替电子束,在样品表面扫描,用光接收器件探测反射光。由于光具有衍射极限,分辨没有电于束那么高。可是,这种显微镜不需要真空,没有电荷积垒问题,价格便宜等,不仅能用于半导体器件制作,在生物学领域内也可使用。通过改变激光束的封描角度,可使显象管上显示出来的图象改变八倍。英国牛津光电子公司制作观测     

0.1μm的T型栅形成技术

据《NEC技报》1996年第5期报道，该公司通过电子束曝光和MOMBE外延选样生长法，实现了全干法0．1μm的T型栅形成技术。柳长为0．1μm的HJFET，其电流截止频率fT为121GHZ，最高振荡频率fmax为144GHZ。该技术是通过钨掩模复制两次干蚀法，在使用电子束抗蚀剂的情况下，也可形成具有高缩图比的0．1μm以下的栅图形。此外，在栅极掩埋时采用了可获得良好底层覆盖区的MOMBEP＋选择生长技术，提高了可靠性，而且其栅耐压也比过去提高了2倍。0.1μm的T型栅形成技术@孙再吉     

0.1μm器件以后的SR缩小光刻

极紫外曝光(EUVL)从原理上说与紫外缩小光刻是一样的,其特点是代替折射透镜,使用了反射镜一面镀有软X射线范围具有较高反射率的多层膜的反射缩小光学系统。掩模可用放大4—5倍的掩模,并且该掩膜上用多层膜形成的大块基板,因此可以忽略SR照射引起的热变形,确保较高的图形形成精度。从理论上来说,可以通过短波长和高NA使分辨率达到无限小,有可能获得0.1～0.01μm的线宽。     

0.1μm SOI槽栅pMOS器件特性

制造了栅长0.1μm,栅氧厚度5.6nm,栅槽180nm的SOI槽栅pMOSFET.给出了器件的转移特性和输出特性.在Vds=-1.5V时,其饱和漏电流为380μA,关态泄漏电流为1.9nA;在Vds=-0.1V下的亚阈值斜率为115mV/dec,DIBL因子为70.7mV/V.实验结果表明,0.1μm SOI槽栅pMOSFET比同尺寸体硅槽栅pMOSFET拥有更好的电流驱动能力和亚阈值特性.     

0.1μm SOI槽栅pMOS器件特性

制造了栅长0.1μm,栅氧厚度5.6nm,栅槽180nm的SOI槽栅pMOSFET.给出了器件的转移特性和输出特性.在Vds=-1.5V时,其饱和漏电流为380μA,关态泄漏电流为1.9nA;在Vds=-0.1V下的亚阈值斜率为115mV/dec,DIBL因子为70.7mV/V.实验结果表明,0.1μm SOI槽栅pMOSFET比同尺寸体硅槽栅pMOSFET拥有更好的电流驱动能力和亚阈值特性.     

0.1μm发光薄膜的表面压力分布测定法

日本科学技术厅宇航技术研究所与东京工业大学共同研制了将0.1μm厚度的发光薄膜制作在氧化铝基板上,用光以高灵敏度,高精度测量固体表面压力分布,与以往涂沫涂料方法相比较其灵敏度提高5倍,误差减少一半,通常将氧化铝用在航空机和宇宙模型.目前,钯卟啉吸收后产生光,如果附近有氧发光就变暗,空气中的氧浓度与压力成正比.若测定发光强度的变化,则可求得压力分布.但是很难做到均匀涂沫涂料,反应不太灵敏.     

X射线光刻技术的现状

X射线光刻技术(XRL)是刻制130nm,100nm和70nm最小尺寸图形的可行方案之一.其它候选技术还有193nmArF准分子激光光刻、电子束投影、电子束直接写入、极紫外(EUV)及离子束投影光刻等.然而,在各种技术之中,由于XRL具有良好的临界尺寸控制及可扩展到刻制70nm以下最小尺寸图形等优点而处于领先地位.虽然XRL所需要的设备和材料业已商品化,其它     

0.1μm槽栅CMOS器件及相关特性

通过实验成功得到了0.1μm槽栅结构CMOS器件,验证了理论结果的正确性,表明这是一种优良的小尺寸器件结构.该槽栅器件具有阈值电压漂移较小及较好抑制短沟道效应的特点,并分析了目前器件驱动电流较小的原因及解决办法.     

Characteristics of a 0.1μm SOI Grooved Gate pMOSFET

A 0.1μm SOI grooved gate pMOSFET with 5.6nm gate oxide is fabricated and demonstrated.The groove depth is 180nm.The transfer characteristics and the output characteristics are shown.At Vds=-1.5V,the drain saturation current is 380μA and the off-state leakage current is 1.9nA;the sub-threshold slope is 115mV/dec at Vds=-0.1V and DIBL factor is 70.7mV/V.The electrical characteristic comparison between the 0.1μm SOI grooved-gate pMOSFET and the 0.1μm bulk grooved gate one with the same process demonstrates that a 0.1μm SOI grooved gate pMOSFET has better characteristics in current-driving capability and sub-threshold slope.     

0.35μm分辨率的远紫外投影光刻物镜

介绍一种２４８ｎｍ谱线投影光刻物镜光学设计结果,提出制造该镜头应解决的一些技术问题。     

0.35μm分辨率的无紫外投影光刻物镜

介绍了一种２４８ｎｍ谱线投影光刻物镜光学设计结果,提出制造该镜头应解决的些技术问题。     

松下电器公司开发分辨率为0.25μm的光刻技术

<正>据《Semiconductor World》1992年第8期报道,松下电器公司开发了分辨率达到0.25μm的KrF准分子激光光刻技术。该公司采用了新开发的化学增大型正性光刻胶和防反射工艺。获得了0.25μm的分辨率,1.0μm的焦深,图形线宽变动精度为±10％的结果。 化学增大型光刻胶的主要成分是碱可溶性苯乙烯树脂和光氧发生剂。通过对苯乙烯树脂的改良使准分子波长248nm的1μm厚度透射率从原来的17％提高到67％;表示光刻胶性能的γ值实现了3.5(原来为2.3)的高对比度;光氧发生剂使灵敏度由原来的30mJ/cm~2提高到15 mJ/cm~2。此外,随着溶解速度的加快,分辨率也有所提高。这样即使使用低孔径(NA=0.42)的准分子激光步进机,也可得到垂直状0.25μm图形和1μm的焦深。     

用于X射线光刻的同步辐射光源

本文简要介绍同步辐射光的原理、特征,同步辐射光装置的构成及其开发现状,重点阐述同步辐射光在ULSI工业生产中的应用及其存在的课题。     

X射线光刻技术研究的现状

目前看来, Ｘ 射线光刻技术能否真正应用到 ０１３μｍ 及 ０１３μｍ 以下的集成电路工业中去是光刻技术工作者很关心的一个问题。分别从光源、曝光系统、掩模、光刻胶、光刻机、光刻工艺、成本等七个方面对 Ｘ 射线光刻技术的现状进行了介绍,并对它的应用前景进行了简要分析。