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《中国光学与应用光学文摘》2004,(4)
论述了离子束曝光技术的原理、特点,分析了其面临的关键技术问题,如掩模技术、离子源技术、图像对准技术等,并介绍了这些年来国外的一些研究机构及公司在离子束曝光技术上的研究进展及 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2007,(1)
TN3052007010852微细光成形和LiGA工艺集成的可行性分析=Study onfeasibility of integration of micro stereolithography and Li-GA[刊,中]/王翔(中国科学技术大学.安徽,合肥(230026)),赵钢…//中国机械工程.—2006,17(10).—1051-1055对单光子和双光子微细光成形技术的成形原理、加工分辨能力进行分析和实验研究,将其与微细电铸等工艺集成,提出一种能实现真三维制造的、具有不同应用材料的微细加工新方法,并从原理上验证了两者集成的可行性,为后续研究奠定了基础。微细光成形与微细电铸集成工艺技术为进一步拓展微细制造技术提供了新… 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2004,(6)
TN305.7 2004064472 用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅=Tri-layer resist fabrication technology of T-shaped gate using X-ray lithography[刊,中]/孙加兴(中科院微电子中心.北京(100029)),叶甜春…∥半导体学报.—2004,25(3).—358-360 采用三层胶工艺X射线光刻制作T型栅,一次曝光、 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2004,(3)
TN305.7 2004032328 光刻法制备聚合物/液晶光栅=Preparing polymer liquidcrystal grating by photolithography[刊,中]/马骥(中科院长春光机所.吉林,长春(130022)),刘永刚…∥功能材料与器件学报.—2003,9(3).—309-312 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2005,(6)
TN305．7 2005064472 超厚SU-8负胶高深宽比结构及工艺研究=Process study of high-aspect-ratio ultrathick SU-8 microstrUCt ure[刊, 中]/张金娅(上海交通大学微纳米科学技术研究院,薄膜 与微细技术教育部重点实验室．上海(200030)),陈迪…∥ 功能材料与器件学报．-2005,11(2)．-251-254 采用新型SU-8光刻胶在UV-LIGA技术基础上制备 了各种高深宽比MEMS微结构,研究了热处理和曝光两 个重要因素对高深宽比微结构的影响,解决了微结构的开 裂和倒塌等问题,优化了SU-8胶工艺,获得了最大深宽比 为27:1的微结构。图6表1参7(于晓光) 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2006,(6)
TN305．2 2006065454一种改进的测量硅片亚表面损伤的角度抛光方法=An improved angle polishing method for measuring subsurface damage in silicon wafers[刊,英]/霍凤伟(大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室．辽宁,大连(116024)),康仁科…//半导体学报．—2006,27(3)．—506-510提出了一种改进的角度抛光方法来测量硅片的亚表面损伤。其原理是：经过研磨和化学机械抛光后,起保护作用的陪片靠近胶黏剂的一端形成一个无损伤的、完整的劈尖,劈尖的棱边作为测量亚表面损伤的基准；角度抛光 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2005,(4)
TN305．7 2005043148 灰度狭缝扫描制作多台阶光栅的工艺研究=Research of fabrication muti-levels grating based on gray-slot scanning [刊,中]／魏国军(苏州大学信息光学工程研究所,江苏,苏州(215006)),徐兵…／／光学技术,-2005,31(2),-190- 192 采用灰度狭缝进行矢量化的直写,使平台沿着垂直狭缝的方向运动,获得了具有台阶结构的光栅槽型,编写了与DXF文件一致的接口直写控制程序。该方法对成像视场要求低,可以制作大面积光栅。以色分离光栅(CSG)为 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2005,(5)
TN305．7 2005053954 光刻工艺中缺陷来源的分析=Analysis on defect sources in photolithographic process[刊,中]／邓涛(重庆光电技术 研究所．重庆(400060)),李平…∥半导体光电．-2005, 26(3)．-229-231 对半导体集成电路和器件制作过程中光刻工艺产生 的各种缺陷种类及来源进行了集中分析,提出了一些减少 或消除这些缺陷的办法和措施。图1(于晓光) TN305．7 2005053955 用完全非共振光驻波聚焦原子制作纳米结构分析=Anal- 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2006,(4)
TN305.7 2006043713影响球面激光直写线宽均匀度的关键技术=Key tech-niques influencing the linewidth evenness grade with laserdirect writing on the spherical surface[刊,中]/胡君(中科院长春光机所.吉林,长春(130033)) ,梁凤超…∥光电工程.—2006 ,33(3) .—1-4为提高球面激光直写图形线宽均匀度,提出了球面激光直写四轴同心结构和同心扫描光学系统的方案。这种方案使得激光束经水平轴、垂直轴、光轴和工件中心轴相交于球心,经球心反射镜反射到球面工件表面上,形成激光曝光光斑。采用微小离焦探测和复合闭环控制的自动调焦技术… 相似文献
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《中国光学与应用光学文摘》2006,(3)
TN305.7 2006032718采用双向偏置曝光的成像干涉光刻技术=I maging inter-ferometric lithography with bidirection biased illumination[刊,中]/冯伯儒(中科院光电所微细加工光学技术国家重点实验室.四川,成都(610209)) ,张锦…∥光电工程.—2006 ,33(1) .—1-5在研究一般三次曝光IIL原理基础上,提出采用沿X轴正、负方向以及沿Y轴正、负方向偏置的双向偏置照明,分别曝光 X方向、-X方向、 Y方向、-Y方向的高空间频率分量并与垂直于掩模方向的低空间频率分量曝光相结合的五次曝光IIL。理论和计算模拟表明,该方法可以提高图形对比度和… 相似文献