用ReadX射线相机分析薄膜织构的方法研究

提出用ＲｅａｄＸ射线相机照相制作多晶薄膜极图，进而确定薄膜织构的方法，并推导出相关公式。     

CoSi薄膜的织构研究

对厚度约为０．４μｍ的ＣｏＳｉ２多晶薄膜的织构进行了研究。Ｘ射线极图分析表明,薄膜表现出与以往文献中所报导的ＣｏＳｉ２薄膜安全不同的织构类型。在Ｓｉ（１１）衬底上织构轴为［１３０］,且平行于Ｓｉ［１１１］。除［１３０］织构轴外,其它晶向变有择优取向。     

磁控溅射Pt薄膜织构的X射线衍射分析

本文利用X射线衍射技术表征了磁控溅射Pt薄膜的纤维织构.并给出了一种表征薄膜纤维织构的一般性方法.研究结果表明,利用X射线衍射的特殊扫描方式可以实现薄膜纤维织构的定量和定性表征.对于制备态Pt薄膜而言,织构漫散 400℃退火后,薄膜{111}型纤维织构变强,表明Pt薄膜的强{111}织构系退火时薄膜的再结晶所致.     

CoSi_2 薄膜的织构研究

对厚度约为０．４μｍ的ＣｏＳｉ２多晶薄膜的织构进行了研究。Ｘ射线极图分析表明,薄膜表现出与以往文献中所报导的ＣｏＳｉ２薄膜完全不同的织构类型。在Ｓｉ（１１１）衬底上织构轴为［１３０］,且平行于Ｓｉ［１１１］。除［１３０］织构轴外,其它晶向亦有择优取向。     

CVD金刚石薄膜的织构分析

采用极图和取向分布函数法分析ＣＶＤ金刚石江膜的不同织构,分析表明,高的多重性因子使得｛１１０｝面织构有更高的出现概率,具体分析了｛２２１｝面织构出现的孪生机制,强调了织构与性能关系研究的重要性,并推荐使用先进织构分析手段。     

X线物相定量分析中织构的影响及其修正方法

本文阐述了多晶材料在物理冶金各个环节中所产生的各种类型的织构,织构存在的普遍性以及织构对物相定量分析的影响。以0Cr18Ni9钢为例,本文比较了修正织构影响前和采用不同方法修正后的物相定量分析数据。结果表明修正后的相定量分析精度得到了明显的提高,其中借助取向分布函数(ODF)所作的修正结果最好。 X线强度直接比较法经常被用于测定双相材料的相体积百分比,而且测定时有时假定材料中没有织构。在实际工业生产中很难找到没有织构的多晶(非粉末)材料,因此在进行物相定量分析时,忽略织构影响很容易造成较大偏差。只有确定了所得X线衍射强度中织构影响的程度并加以修正才能得到准确的定量分析值。     

大规模集成电路导电薄膜的织构效应

利用Ｘ射线技术检测了普通工艺和改进工艺制备的内联导电铝膜的织构。分析表明，高体积量且锋锐的｛１１１｝面织构可以大幅度降低大规模集成电路芯片的失效率，讨论了失效的原因及｛１１１｝织构的有利作用，指出了新一代内联导电铜膜相应织构问题的重要性。     

织构金刚石薄膜生长特性与研究

目前利用气相法得的金刚石薄膜多为晶膜，性能远不如天然金刚石，严重地影响了它在光学、电子学等方面的应用。因此，如何控制合成条件，实现金刚石薄膜的均匀定向生长是目前金刚石薄膜研究中急需解决的课题。本工作利用电子促进ＨＦＣＶＤ技术成功的得到了织构生长的金刚石薄膜，研究了合成的优化工艺条件。实验中钨丝温度为２０００℃，ＣＨ４／Ｈ２浓度０．４—２％，基片温度控制在７５０－９００℃，基片与钨丝之间加偏压１３０Ｖ。对合成的薄膜用扫描电子显微镜（型号ＳＥＭ１０００Ｂ—２）观察薄膜的形貌。结果表明，当碳源浓度为的０．８％，基片温度为８７０℃时，晶粒晶形好，样品上金刚石颗粒已经连成了薄膜，每个晶粒顶部呈现和衬底平行的（１００）面。ＣＨ４浓度高时，晶性变差，呈粗糙的球状多晶状。基片温度过低时晶形较差。温度过高因相变和气化不能成膜。基片温度在８５０℃－９００℃范围内可连续成膜。加衬底偏压可以提高基底表面能和降低原子团界面自由能，因而可以促进成核。综上，我们利用偏压促进成核ＨＦＣＶＤ技术，在优化工艺条件下得到了织构生长金刚石薄膜，为揭示其外延生长机理提供了实验数据     

CVD金刚石薄膜的织构与显微组织研究

对直流电弧等离子喷射化学气相沉积法(CVD)制备的自支撑金刚石薄膜,用X射线衍射测量了薄膜织构,并用扫描电镜观察了薄膜显微组织。发现金刚石薄膜的织构为{110}、{111}、{112}和{221}等纤维织构。实验结果表明,金刚石薄膜比较致密并且晶形比较完整,不同生长因子对应不同立方体-八面体几何形状。分析和讨论了金刚石薄膜的制备工艺参数如衬底温度和甲烷浓度对其织构和显微组织产生的影响。     

薄膜相机结构有限元分析及模型校对

薄膜相机由于其薄膜主镜的高分辨率、轻量化及体积小等特点,广泛应用在高空环境中。但是,薄膜受高空环境影响易产生形变,降低成像质量。我国研究人员主要通过实验的手段来复现高空环境并进行薄膜成像分析,导致薄膜相机的研发成本提高、研发周期增大。为了节约资源、降低产品研发成本及研发周期,应用计算机仿真技术,通过模拟薄膜相机在高空的工作环境,采用有限元分析软件,设置不同的仿真条件,得到薄膜结构的不同变化,分别对薄膜主镜进行了数据采集和对比分析,得到了薄膜在中心固定约束下最符合实际工作情况。     

极图数据与板材织构信息

以板材织构在线检测为应用背景，以铝板和超深冲钢板为例借助Ｘ射线测量了８组不同的极图数据，采用不同的方法计算取向分布函数，用以分析极力数据和板材织构信息的关系。研究表明，增加极图数目有利于缩小极图测量范围。同时极图测量范围缩小的方式也应与板材织构类型相关。     

CVD法制备SiO2薄膜工艺条件的研究

在Al2 O3 陶瓷基片上以正硅酸乙酯 (TEOS)为原料 ,高纯氮气作载气 ,采用低压冷壁式设备和化学气相沉积(CVD)方法制备SiO2 薄膜 ,研究了基片温度、TEOS温度和沉积时间对SiO2 薄膜沉积速率的影响 .采用XRD ,XPS和SEM技术对SiO2 薄膜的组成和结构进行了分析     

真空退火法制备的VOx薄膜的微观结构研究

以Ｖ２ＩＯ５粉末为原料采用真空蒸发镀膜法结合真空退火还原的方法,在单晶Ｓｉ（１００）衬底上得到了以ＶＯ２为主的薄膜,采用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）技术和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）技术对不同退火条件下所得薄膜的物相和表面形貌进行分析,得到了薄膜的微观结构与退火条件的关系,并对最佳退火条件进行了探索。     

激光分子束外延制备薄膜技术

激光分子束外延制备薄膜是在传统分子束外延和普通激光淀积技术基础上发展起来的,以原子层、原胞层尺度研制薄膜的技术和方法．简要介绍了激光分子束外延的装置和工作原理、特点与优势及其研究内容,并对其应用前景进行了展望.     

大晶粒材料晶粒体积对织构的影响

为了考察大晶粒材料各晶粒体积分数对织构的影响,利用级数展开法计算大晶粒材料的定量反极图,并用FORTRAN语言编制了计算程序。通过对各织构组分进行定量计算,以之校验,证明了用级数展开法计算大晶粒材料定量反极图的方法正确、可信,由此算出的反极图能准确表示各织构的类型、强度和漫散程度。     

固体氧化物燃料电池致密电解质薄膜制备技术

鉴于固体氧化物燃料电池(SOFC)在高温运行时存在的种种问题,电解质薄膜的厚度,降低其运行温度,是解决这些问题的重要途径.本文分别综述了目前常用的SOFC致密电解质薄膜的制备工艺,如化学法、物理法、陶瓷粉末法等,评述了它们的优缺点,并介绍了采用上述方法制备电解质薄膜的性能和用于电池研究的实验结果.     

溶胶-凝胶法制备TiO_2薄膜及其光学特性

采用溶胶 -凝胶方法在二氧化硅玻璃基片上制备了TiO2 薄膜 ,通过测量薄膜在紫外 -可见光波段的透射率和反射率光谱 ,对其光学特性和吸收边缘进行了研究 .实验结果表明 ,吸收边缘大约在 35 0nm附近 ,并且随热处理温度的升高 ,吸收边缘向长波方向移动 ,锐钛矿相的禁带宽度比金红石相的禁带宽度高 0 .15eV