BOND STRUCTURE AND ELECTRON STATES OF CHARGED C60

In the alkali-metal doped C₆₀, the charge transfer induces the distortion of the bond structure and forms the self-trapping electronic bound states. Our theory manifests: 1, the charge transfer reduces the symmetry of C₆₀ from I_h to D_5d. 2, Both the bond distortion and the self-trapping states possess layer structures and are localized in the equatorial area. 3, The carbon atoms in charged C₆₀ are divided into eight layers with an inversion center, then there exist four nonequivalent groups of carbon atoms. It makes the NMR line split into a fine structure with strength ratio 1:1:2:2. 4, The charged C₆₀ has two self-trapping bound states, one is 0.06eV above HOMO with odd parity and the other is 0.05 eV below LUMO with even parity.     

ESR STUDY OF PHOTOINDUCED ELECTRON TRANSFER REACTION BETWEEN C60 AND NAPHTHYLAMINE DERIVATIVES

在运用ESR方法对C     

C60分子电子激发态结构的理论研究

C₆₀分子有较丰富的分子键轨道,同时C₆₀分子离子是稳定存在的,因此预期C₆₀分子的里德伯轨道也是稳定存在的。本文在独立电子近似的基础上,应用多重散射自洽场方法,从理论上统一自洽地探讨了C₆₀分子的分子键轨道和分子里德伯轨道的能级结构。这些轨道能级结构在独立电子近似的层次上模拟了C₆₀分子的电子结构。所得结果和已有的理论和实验结果进行了比较和分析,说明本文结果是自洽合理的,并和已有的实验值符合良好 关键词：     

电子关联对C60激子极化子的影响

本文采用扩展的Ｈｕｂｂａｒｄ模型，在电子－晶格耦合的紧束缚近似下，研究了光激发下的Ｃ₆₀，分子的激子态和极化子态。我们发现，电子关联效应相当敏感地影响到单态和三态激子的束缚能。同时，Ｃ₆₀分子动力学晶格弛豫使激子极化子得以形成。光激发下的Ｃ₆₀分子，在电子相互作用Ｕ～５．０ｅＶ，Ｖ～２．０ｅＶ时，能够定性地解释荧光发射谱。 关键词：     

PHOTOCATALYSIS OF HYPOCRELLIN (HB) IN THE ELECTRON TRANSFER REACTION OF C60 AND TRIETHYLAMINE

用ESR方法探讨了在C     

C60单晶的表面形貌与生长缺陷

用气相法生长出了毫米尺寸的具有规则晶面和金属光泽的高质量的纯C₆₀单晶.X射线衍射分析表明,C₆₀单晶在室温下具有面心立方(fcc)结构,晶格常数为α=1.4199(4)nm。用扫描电子显微镜和光学显微镜观察了C₆₀单晶的形貌,除观察到fcc结构的晶体所特有的{111}和{200}两种稳定晶面以及非常容易形成的孪晶之外,还发现了在{111}面上的树枝状、垄状和生长丘以及在{200}面上的树枝状、游泳池状和生长丘的生长缺陷。对C_{60 关键词：}     

C60单晶生长及特性的研究

用气相生长法生长了最大线度约为１．５ｍｍ的C₆₀单晶。单晶Ｘ射线衍射分析结果表明，该C₆₀单晶为ｆｃｃ结构，晶格常数为１．４１３ｎｍ，在２５１Ｋ附近与相变有关的电导率的尖锐跳变表明，C₆₀单晶具有很高的纯度和良好的均匀性。观察到在２７４Ｋ附近激活能的变化，这可能是另一个相变的反映。 关键词：     

富勒烯C60的固态聚合

综述了近年来固体C₆₀聚合理论和实验研究的最新结果，分析几种聚合途径各自的特点和共同之处.重点讨论了聚合的物理机制，指出由于聚合反应需要C₆₀分子处于特定的相对位置，自旋指向无序是发生聚合过程的重要前提. 关键词：     

控制成核生长大尺寸C60，C70单晶

通过改进双温区双温度梯度方法，成功地控制成核密度，分别生长出线度可达6mm和5mm的大尺寸C₆₀，C₇₀单晶，并对其表面形貌和晶体结构进行了研究. 关键词：     

C60/C70晶体形貌的研究

采用电弧法制备了C₆₀/C₇₀,并用光学显微镜、扫描电子显微镜和透射电子显微镜对其结晶形貌进行了研究。研究结果表明,C₆₀/C₇₀晶体依平面状长大方式生长,最终长成规则的四边形,五边形和六边形晶体。 关键词：     

C3N4薄膜的结构与性能研究

用射频等离子体增强化学汽相沉积技术合成C₃N₄薄膜，并采用强迫晶化技术，经透射电子衍射观测，薄膜具有多晶结构．用X射线光电子能谱测试了C，N原子结合能及含氮量．傅里叶变换红外光谱曲线表明薄膜中不含石墨相．测得薄膜的维氏硬度为29.2—50.0GPa 关键词：     

C2和C2+,C2-的电子结构与势形共振

本文在独立电子近似的基础上,根据多重散射自洽场理论方法,计算了C₂和C₂⁺,C₂^-分子(离子)的电子结构,阐明了势形共振能量和上述分子(离子)电子数的关系,结果表明,随着电子数的减少,C原子2s-2p轨道杂化减弱,势形共振的能量将降低(如降低到阈值下,则势形共振消失)。 关键词：     

硫掺杂C60薄膜电学性质研究

对硫掺杂C₆₀薄膜样品在433K进行真空退火，并测量了其电导率随温度的变化关系．发现硫掺杂后C₆₀薄膜的电导激活能减小，电导率显著增大．电导率随温度的变化曲线在368K到388K的范围内，存在一个电导率与温度的关系不严格遵循指数规律的过渡区，在过渡区的两侧硫掺杂的C₆₀薄膜则表现出明显的半导体特性，这是由于在不同温度范围内样品中硫分子的结构相变所引起的 关键词：     

C60薄膜的离子注入损伤研究

在200 keV重离子加速器上，用120—360 keV的H,N,Ar和Mo离子注入C₆₀薄膜．对注入后薄膜的拉曼谱进行了分析．结果表明，不同离子注入C₆₀薄膜后，C₆₀的1469 cm^-1特征峰随注入剂量的增加均呈指数式下降，同时在1300—1700 cm^-1范围出现非晶碳峰，并逐渐增强，最终完全非晶化．而且1469 cm^-1拉曼峰的强度及C₆₀薄膜完全非晶化所对应的剂量与注入离子的种类和能量有关．进一步的分析表明，C₆₀分子的损伤主要是由注入离子的核能量转移所造成，与电子能量转移无关．H离子注入C₆₀薄膜后，1469 cm^-1处特征拉曼峰向短波方向非对称展宽，这可能是注入的H离子通过电子能量转移使C₆₀分子发生聚合的结果. 关键词：     

织构C60薄膜的生长与光致发光特性

用Hot Wal方法，在氟金云母单晶上生长出了（111）织构的C₆₀薄膜．用X射线衍射、Raman散射、扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了织构C₆₀薄膜的结晶质量和结构特性．测量了织构C₆₀薄膜在室温300K和低温77K的光致发光光谱．对所得结果进行了分析与讨论 关键词：     

JAHN-TELLER EFFECT AND SUPERCONDUCTING MECHANISM OF THE HOLE-DOPED C60 SOLID

A possible superconducting mechanism of the hole-doped C₆₀ solid is discussed. Under the assumption that the superconductivity results from the strong coupling between electrons at Fermi surface and intramolecular vibrations, a simple expression for the electron-phonon coupling parameter λ is derived. The related transition temperature is estimated and can be much greater than that of the alkali-metal-doped C₆₀ solid.     

ELECTRONIC STRUCTURE STUDIES OF THE C60 FILM CONDENSED ON 2H-MoS2(0001) SURFACE

The electronic structure and vibrational spectrum of the C₆₀ film condensed on a 2H- MoS₂(0001) surface have been investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), ul-traviolet photoelectron spectroscopy (UPS), Auger electron spectroscopy (AES) and infrared high-resolution electron-energy-loss spectroscopy (HREELS). AES analysis showed that at low energy side of the main transition, C₆₀ contains a total of three peaks just like that of graphite. However, the energy position of the KLL main Auger transition of C₆₀ looks like that of diamond, indicating that the hybridization of the carbon atoms in C₆₀ is not strictly in sp²- bonded state but that the curvature of the molecular surface introduces some sp²pz- bonded character into the molecular orbitals. XPS showed that the C 1s binding energy in C₆₀ was 285.0eV, and its main line was very symmetric and offered no indication of more than a single carbon species. In UPS measurement the valence band spectrum of C₆₀ within 10eV below the Fermi level (E_F) shows a very distinct five-band structure that character-izes the electronic structure of the C₆₀ molecule. HREEL results showed that the spectrum obtained from the C₆₀ film has very rich vibrational structure. At least, four distinct main loss peaks can be identified below 200 meV. The most intense loss was recorded at 66 meV, and relatively less intense losses were recorded at 95, 164 and 197meV at a primary energy of electron beam E_P = 2.0eV. The other energy-loss peaks at 46, 136, 157 and 186meV in HREEL spectrum are rather weak. These results have been compared to infrared spectrum data of the crystalline solid C₆₀ taken from recent literatures.     

离子注入对C60薄膜结构的影响

利用高能离子注入技术系统地研究了不同剂量、不同种类离子注入对C₆₀薄膜结构的影响,并利用Raman光谱对其结构进行分析．结果表明：中等能量的离子注入会影响C₆₀薄膜的结构,使C₆₀分子薄膜产生聚合和非晶碳化现象,但上述现象的出现与注入离子的剂量大小有关,并存在一注量阈值,只有在此阈值之上,C₆₀薄膜结构才发生改变,研究表明这与注入离子同C₆₀分子之间互作用方式有关.     

一种新的C60二维畴拓扑结构

利用低温扫描隧道显微镜对吸附在硫醇膜表面的二维C60岛进行研究,首次观察到化学键分辨的C60分子结构,并发现一种新型的C60二维取向畴界,这种畴界仅仅由于两边C60分子的取向不同而存在,附近没有结构缺陷,畴界附近C60阵列的位置平移序和键取向序都得到了保持。     

正常导体-超导体(n-s)多层薄膜系统的电子态

本文是文献[1—3]工作的继续,在前面工作中发展的方法被推广到讨论半无限n-s多层膜结构的电子态,构造这种系统的步骤如下:首先把一完整无限的晶体沿两个分开的原子平面切割开得一晶体薄膜,它可以是正常金属也可以是超导体;然后把薄膜A和B通过金属型接触形成一混合单元O;最后沿垂直于界面方向依次排上单元O构成一半无限多层膜结构,我们导出了上述每一步所对应的单位子格林函数,对两种不同正常金属组成的多层膜结构,给出了单粒子状态密度和能带的数值计算结果,当两种正常金属相同时,所得的公式结果与文献[7]等价,进而,对薄膜 关键词：