GaAs MISHFET的研制

本文介绍一种有别于GaAs MESFET又相似于HEMT结构的器件。采用MBE技术生长i-GaAs/i-GaAlAs/i-GaAs结构,用溅射技术淀积WSi_x,用自对准离子注入形成源-漏区来制备MISHFET。这是一种具有二维电子气的异质结场效应器件。栅电极尺寸为4μm×40μm,测量到的开启电压为+1.4V,跨导为20—25mS/mm,还给出了低温测量结果。     

耐高温集成电路的研制

采用５种特殊工艺技术，研制出Ｆ０７／Ｆ１０１／Ｆ１０８三种耐高温集成电路，具有在１７５℃下能够正常工作参数规范。     

大功率波导开关的研制

一、引言波导开关的最普通装置,包括一个有波导弯的圆柱转子,它可以旋转,以便在三个或四个波导口中任意两个之间交替地完成传输工作。这样波导口对称地排在定子上。需要的通道与不需要的通道之间的隔离,由在转子与定子的间隙中设计半波长扼流槽来实现。这些扼流槽反映在波导壁上相当于短路。在地面使用环境中,这种类型的波导开关就插损、驻波比和额定功率来说,几乎对传输工作没有什么实际限制。因此这种普通的波导开关广泛地应用作大功率输出的雷达及通讯发射机的备用转换开关。见图1—1。     

高温超导薄膜的研制

本文介绍了用普通镀膜机制备YBaCuO超导膜的过程。增加一台计数式频率计,可提高控制Y、Ba、Cu三种元系重量比精度,使工艺能重复,膜的性能稳定。热处理后得到了以c轴织构为主的和零电阻温度大于80K的YBaCuO超导膜。分析了超导膜的结晶态与退火条件的关系。     

语音拨号器的研制

文章介绍了语音拨号器的性能与特点 ,给出了该系统的硬件设计方案 ;讨论了MCU与DSP、DSP与CODEC的接口技术 ;也给出了MCU与DSP通信的接收和发送时序图以及DSP实现的语音识别算法的流程图。     

美国激光武器的研制

美国军事政治领导人，为了继续扩大武器竟争的范围，利用科学技术领域的各项成就，研究出新型武器，力图超过苏联，取得军事优势。近几年随着量子电子学，特别是高能激光器的飞速发展，美国极希望用于制造激光武器。     

宽带均衡器的研制

宽带均衡器是重要的微波器件之一,介绍了宽带均衡器的工作原理,阐述了宽带均衡器的技术实现及工艺、调试等。     

漫反射聚光器的研制

本文说明了合理的设计漫反射聚光器不仅可以使工作物质得到均匀的泵浦,而且还能得到较高的转换效率。同时介绍这种漫反射聚光器的结构设计并给出实验对比结果。     

金属铝缓蚀剂的研制

研究在常温下。用盐酸作为腐蚀剂。乌洛托品、呋喃糠醛作为缓蚀剂。除去铝制品表面水垢的效果．为了优化有关参数。利用正交实验法确定缓蚀剂中各试样的配比．评价方法为在盐酸和缓蚀剂组成的混合液中加入金属铝挂片。按时间测重量。用失重法求得各组缓蚀率。从而得到最佳配比的混合液．     

开关电源控制电路的研制

本文主要介绍了混合集成开关电源控制电路的设计原理、电路框图、研制过程中解决的关键技术以及125℃下所采用的工艺结构及途径。     

全自动涂胶机的研制

介绍了全自动涂胶机的原理、主要性能、技术指标及设计中所采用的几项关键技术.     

终端控制电路的研制

本文通过对终端控制电路的电路分析，详细阐述了其中脉冲响应延时调整的设计和工艺的可靠性设计。     

未来座舱的研制

座舱是集中进行指挥、控制、通讯的地方.座舱设计的优劣直接关系到飞机性能及安全.在设计座舱时,除要考虑上述因素外,还必须考虑到飞机重量和驾驶员工作负担.进入八十年代后.电子技术有了飞跃发展,对航空工业有很大影响,现就运用这些新技术,研制、开发未来座舱的成果介绍如下:     

哥达德应答机的研制

一、系统的性能和作用哥达德距离和距离变化率系统的任务是为满足近地高椭园轨道卫星而设计的。适用于轨道参数远地点可达十万公里而近地点可为一百公里的园形或椭园轨道。在这些情况下,根据既能在远距离跟踪又能在近距离跟踪的飞船的速度和加速度的变化,对跟踪系统提出了很多并且很精确的要求。跟踪系统的任务是: