多孔硅/多孔氧化铝与PVK复合光致发光特性

用旋涂法实现了多孔硅、多孔氧化铝与聚乙烯咔唑(PVK)的复合,研究了多孔硅／PVK、多孔氧化铝／PVK复合体系的光致发光性能。PL谱的测试发现,多孔硅／PVK复合体系的PL谱同时具有多孔硅和PVK的发射峰。此外,在485nm的位置出现了一个新峰,讨论了这个峰的来源。而多孔氧化铝与PVK复合后,没有产生新的峰。但多孔氧化铝与PVK复合后,由于多孔氧化铝纳米孔的纳米限制效应使PVK的发光峰出现大幅度蓝移。从多孔硅与多孔氧化铝发光机制的不同出发,讨论了多孔硅、多孔氧化铝与PVK复合后产生不同结果的原因。     

铁钝化多孔硅的制备及光致发光机理研究

采用水热腐蚀法在相同环境下制备了不同晶型的铁钝化多孔硅样品。同一样品表面具有相似的孔隙结构,不同样品形貌存在差异。在300 nm光激发下,样品发光峰位于618 nm附近,半高宽约为132 nm。傅立叶红外变换光谱显示样品中有强的Si—Si、Si—O—Si、O y—Si—H x化学键振动吸收。结果表明,水热腐蚀法制备的铁钝化多孔硅表面形貌与腐蚀过程的局域电极分布关系密切。样品的光致发光行为可归因于量子限制-发光中心作用,并受非桥氧空穴发光中心数量影响。     

平面偏振光激励的多孔硅的光致发光

研究了以掠入射的平面偏振光激励的多孔硅的光致发光。实验结果显示，光的入射角对多孔硅的发光行为影响不大，然而，以ｚ方向偏振光激励的发光强度明显高于以ｘ方向偏振光激励的发光强度。激励光电场相对于样品表面的不同取向引起光致发光的差异，这反映多孔硅的光学性质是各向异性的，也排除了纯粹的硅量子点的集合作为多孔结构的可能性。     

多孔硅纵向分辨拉曼及光致发光研究

运用高灵敏度的共焦显微拉曼系统研究了多孔硅在纵向的拉曼效应和光致发光的性质。研究结果表明多孔硅在形成的初期和后期的反应机制不相同。反应初期,外表面的颗粒尺寸比内表面的大,而经过长时间刻蚀而获得的多孔硅,其外表面颗粒尺寸比内表面的小。我们认为反应的初期主要受表面不均匀电场的影响,而随着表面多孔层的增厚和颗粒的细化,刻蚀反应逐渐变成受传质过程和量子尺寸约束的控制。     

发射可见光多孔硅的拉曼光谱

本文报导了多孔硅的拉曼散射和光致发光的研究。给出了多孔硅的拉曼和光致发光谱之间的对应关系,根据拉曼峰的移动,估算了多孔硅量子线横截面的平均尺度为2.1～4.2nm。     

金刚石膜/多孔硅复合材料的性能表征

提出了一种新颖的多孔硅表面钝化技术,即采用微波等离子体辅助的化学气相沉积（MPCVD）方法在多孔硅上沉积金刚石薄膜。采用原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）、拉曼光 谱仪和荧光分光度计对多孔硅及金刚石膜的表面形貌、结构和发光特性进行了表征。结果表明采用微波等离子体化学气相沉积法可在多孔硅基片上形成均匀、致密、性能稳定且对可见光具有全透性的金刚石膜。金刚石膜与多孔硅的复合,大大稳定了多孔硅的发光波长和强度,同时增强了多孔硅的机械强度。     

多孔硅紫外发光性质的研究

采用水热刻蚀技术制备多孔硅粉末。紫外激光244 nm激发时,多孔硅呈现出310 nm的强紫外发光。随着研磨时间的延长,多孔硅结构消失,紫外发光带也随之消失。氧气热处理后,多孔硅表面被氧化生成氧化硅薄层,同样造成紫外发光带的消失。我们认为310 nm紫外发光来源于硅纳米结构中电子和空穴的直接禁带结构辐射复合。     

金－多孔硅光致发光和红外光谱研究

报道了金－多孔硅的稳态光致发光，瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱的研究，讨论了金在多孔硅表面吸附产生的表面电子态对多孔硅光致发光特性的影响。     

CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅光致发光特性

为了研究CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅的光致发光特性,选用电阻率为0.01~0.02Ω·cm的P型硅片,先采用二步阳极氧化法制备自支撑多孔硅,再利用电泳法将CdS纳米颗粒填充入该自支撑多孔硅中.采用扫描电子显微镜、X射线能谱分析、X射线衍射分析、光致发光谱分析对所制备样品的形貌、相结构、组份及发光性能进行研究.实验结果表明:自支撑多孔硅内部成功填充了CdS纳米颗粒,该CdS纳米颗粒衍射峰为(210);CdS纳米颗粒填充的自支撑多孔硅光致发光峰峰位发生红移,且从570nm转移到740nm;电泳时间直接影响CdS纳米颗粒的填充量,导致相关的发光峰强度及发光峰位明显不同.     

The Role of Current Density and Applied Voltage During Anodization for Porous Silicon

Porous silicon is usually formed by means of the anodization under constant current density. In order to study the role of the applied voltage during the anodization, we formed porous silicon on condition that the applied voltage was constant. The current density was not always large when the applied voltage was large. We have found that the thickness of the formed porous layer correlated with the current density while photoluminescent intensity depended on the applied voltage. When the anodization was performed with a comparatively large current density, the constant-voltage condition caused unstable current density accompanied by partial peeling of the surface.     

Luminescence of porous silicon films with an europium-containing complex

We obtained porous silicon films modified at room temperature by an Eu³⁺-containing polymer complex. The most intense photoluminescence of Eu³⁺ implanted in the porous silicon was observed at the wavelengths of 611, 618, 691, and 704 nm. In this case, the intensity of the intrinsic photoluminescence of strongly irradiated specimens of porous silicon decreased, while the intensity of weakly emitting films multiply increased. An investigation of the photoexcitation spectra made it possible to establish the effect of Eu³⁺-containing complexes on the mechanism underlying the excitation of photoluminescence of porous silicon. Translated from Zhurnal Prikladnoi Spektroskopii, Vol. 64, No. 4, pp. 499–501, July–August, 1997.     

稀土掺杂硅基薄膜的高效发光特性

测量了在不同离子注入剂量,不同退火条件下的Nd注入Si基晶片室温光致发光谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且发光稳定。在一定范围内发光效率随掺杂浓度的增加而增大,随退火条件的不同而改变。在实验室条件下,对掺杂硅片和单晶硅片进行电化学腐蚀制成多孔硅样片,同时用适当配比的HNO3对以单晶硅为基底的多孔硅进行处理,测试了腐蚀后各类样品的光致发光（PL）谱。发现掺稀土Nd的多孔硅和用HNO3处理的多孔硅的发光效率有显著提高。     

多孔硅拉曼光谱随激发功率变化的研究

用阳极氧化法新制备了多孔硅样品,以457．5nm固体激光器为激发光源,在不同激发功率下,获得了拉曼谱图和一些谱峰参量随激光功率的变化关系。解释了520cm^-1和300cm^-1附近拉曼峰随功率变化的一系列可逆的实验现象：随激光功率升高出现的红移和非对称性展宽,主要是由于样品局域平均粒径变小而受量子限域效应的影响导致的;样品局域平均粒径在表面上的二维减小与随激光功率升高而导致的局域温升并不违背基本的热力学定律;高功率时520cm^-1附近双峰的出现是由于多孔硅样品局域平均粒径达到一定阈值而导致的纵模和横模双声子模的分裂。     

硅衬底阳极氧化铝膜的荧光发射研究

报道了用电子束蒸发技术在硅守底上沉积,并于１５ｗｔ％Ｈ２ＳＯ４,温度２５℃和４０Ｖ直流电压条件下阳极氧化铝薄的制备（膜厚约４００ｎｍ）。研究了该阳极氧化铝膜的红外吸收光谱（ＦＴＩＲ）、光致荧光光谱（ＰＬ）和荧光激发光谱（ＰＬＥ）。发现其荧光光谱在２８０￣５００ｎｍ范围内由三个主发射带组成,其峰值分别位于３１２ｎｍ,３６７ｎｍ和４４９ｎｍ。所有这三个ＰＬ带,经分析都与阳极氧化铝膜中的氧化铝膜中的氧空     

氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性

用电化学腐蚀法制备了多孔硅(PS),在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理,并进行了光致发光(PL)谱和原子力显微镜(AFM)表面形貌的测量。不同退火温度给PS表面形态带来较大变化,也影响了其PL谱特性。在退火的样品中观察到的PL谱高效蓝光和紫光谱带,我们认为主要源于量子限制发光峰和非平衡载流子被带隙中浅杂质能级所俘获而引起的辐射复合所产生的。在420—450℃退火处理的多孔硅的PL谱上观察到了一个未见诸于报道的紫光新谱带(3．24eV,382nm),其发光机理有待于进一步研究。     

Nanometer-sized Silicon Particles Prepared by Laser Vaporization and Their Photoluminescence

Nanometer-sized silicon particles were prepared by laser vaporization of a silicon target in pure argon ambient at a reduced pressure. The shape and size of the nanoparticles were characterized by transmission electron microscopy. The as prepared nanometer silicon particles exhibit visible luminescence under light excitation and the activated light emissions are found to show a strong dependence on temperature.     

Chemical Composition of Porous Silicon Formed in Aqueous and Aqueous-Alcoholic Electrolytes, According to the IR Spectroscopy Data

The chemical composition of the surface of porous silicon synthesized on weakly doped silicon of the n type of conductivity (KÉF-20) with the crystallographic orientation (100) (100) in aqueous and aqueous-alcoholic electrolytes with different HF concentrations has been analyzed by IR spectroscopy.     

Photoluminescence quenching of porous silicon by noble metal adsorbates

Ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ ｏｆ ｐｏｒｏｕｓ ｓｉｌｉｃｏｎ ｂｙ ｎｏｂｌｅ ｍｅｔａｌ ａｄｓｏｒｂａｔｅｓ￥ＧＵＯＨｅｎｇｑｕｎ（ＤｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ，ＨｕａｑｉａｏＵｎｉｙｅｒｓｉ...     

Nanometer sized Silicon Particles Prepared by Laser Vaporization and Their Photoluminescence

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