三维Ising反铁磁-反铁磁超晶格的磁学性质

提出了用相关有效场理论来处理三维伊辛（Ising)反铁磁－反铁磁超晶格的磁性，研究了在无外场时AFAFS的临界温度与超晶格结构之间的关系。发现在超晶格元胞层数较少时，交换积分对临界温度起相当大的作用，且临界温度与关联参数有关，当Jα=Jb=Jx时，则返回到大块物质的临界温度。     

铁磁—反铁磁超晶格零温磁矩

用线性自旋波理论研究铁磁－反铁磁超晶格的零温磁性质，数值计算结果表明，反铁磁层内耦合强度Ｊ２对超晶格性质有重要影响，是格零温磁矩有着非同建党的量子效应．     

有限集团近似研究二维和三维晶格横场伊辛模型的热力学性质

本文在有限集团近似的框架内研究了自旋为1/2的二维平方晶格和三维简立方晶格横场伊辛模型的热力学性质,得到了相应的相图,临界温度和临界横场。有限集田近似方法与平均场近似相比,在数学上处理同样简单,但可给出更好的结果。     

双层三角晶格反铁磁材料c-轴电阻性质的研究

由t-J模型出发,在feimion-spin理论框架下研究了空穴型掺杂双层三角晶格反铁磁材料c-轴的反常电阻行为.与面内电荷动力学不同的是,c-轴电荷输运与材料的种类有关.材料中CuO2平面之间是否有Cu-O链,对于材料的物理性质有很大的影响.对于层间存在Cu-O链的材料,c-轴方向的电荷动力学主要是由CuO2平面内holon的散射决定的,并且其c-轴电荷动力学与ab平面的电荷动力学在定性上是相似的;而对于层间不存在Cu-O链的材料,c-轴方向的电荷动力学是由CuO2平面内holon的散射和层间的无序效应共同决定的.此外,c-轴方向的电阻率比平面内的电阻率大3～4个数量级,这就意味着大部分的载流子被限制在了ab平面内.因此,双层三角晶格反铁磁材料正常态电荷动力学存在着很强的各向异性行为.由三角晶格反铁磁材料得到的结果与四方晶格相类似,但是由于三角晶格反铁磁材料自身存在的几何阻挫效应,使得二者的结果稍有差异.     

铁电超晶格相变性质的推迟格林函数方法研究

基于横场伊辛模型,用推迟格林函数方法研究了双层铁电超晶格的居里温度和自发极化.通过对横场伊辛模型的格林函数运动方程进行高级截断近似,给出了格林函数中本征频率的普遍表达式,并进一步地获得了铁电超晶格的本征频率.然后对铁电超晶格的居里温度、各层的自发极化以及平均自发极化进行了计算和分析.     

铁磁—反铁磁超晶格的自旋波理论

采用线性自旋波理论和利用数值计算的方法得到铁磁－反铁磁超晶格的磁矩。     

铁磁超晶格的热力学性质

本文应用双粒子集团近似和离散路径积分技术相结合的方法，研究了用横向伊辛模型描述的无限铁磁超晶格的热力学性质，讨论了超晶格的临界温度与其几何结构、交换作用强度的关系，得出了自发磁化强度随温度的变化关系。     

有限晶格上Ising模型的关联函数

采用Ｓａｍｕａｌ的方法，准确地计算了有限晶格上的Ｉｓｉｎｇ模型的关联函数，作为一个实例，给出了截角四面体上Ｉｓｉｎｇ模型有关联函数的精确解。     

高自旋横向Ising模型的基态磁性

采用相关有效场理论,对具有正方点阵结构的S=2横向Ising模型,推导出系统的磁矩公式,并利用数值计算方法得到了基态的磁化曲线。研究发现在基态下,系统随晶场或横场的变化产生了一级有序—有序相变、一级有序—无序相变及二级相变,二级相变普遍存在,一级相变只存在于狭窄的晶场和横场范围内。     

二维稀磁Ising亚铁磁体热力学性质

用相关有效场方法分别计算了具有峰窝点阵和平方点阵的二维稀磁混自旋Ｉｓｉｎｇ系统的内能和比热。结果表明在相同稀磁浓度下，具有平方点阵的系统居里温度高于具有蜂窝点阵的系统的居里温度。二者在居里温度点发生的相变皆为二级相变。平方点阵系统在较大温度范围内呈现亚铁磁性。     

二维稀磁Ising铁磁体的磁化行为

对处于外磁场中,自旋为1/2的具有二维正方晶格结构的稀磁Ising铁磁体模型,采用相关有效场理论,推导出了不同浓度下系统的磁矩、磁化率的理论公式·对磁化过程中系统主要物理量随温度、浓度等因素变化的情况进行了探讨·对给定的浓度和温度,磁矩随外场强度增大而变大;而对给定的浓度和磁场,磁矩随温度升高而减小·得到了基态时系统的序参量随浓度的变化曲线及该结构在不同浓度下的相图·     

稀磁复合Ising自旋系统基态性质

应用关联有效场理论研究了三维混自旋稀释Ising亚铁磁系统的基态磁特性,计算了铁磁系统相图随原子浓度的变化规律,得出基态磁化强度曲线及补偿温度.     

立方点阵稀磁混自旋模型基态相图

用相关有效场理论研究立方点阵、稀磁混自旋Ising模型的基态性相质。计算了基态相变点和基态补偿点随磁原子浓度的变化规律、给出了基态相图。     

GaAs/AlxGa1-xAs超晶格在周期性磁场中电子的能带结构

在有效质量理论近似下,采用磁Kronig-Penny势场,精确求解了GaAs/AlxGa1-xAs超晶格中的电子在周期性磁场中形成的能带结构.考虑不同方向上的周期性磁调制以及电调制的作用下三维电子的运动行为,发现电子不仅在z方向形成能带,而且在y方向也可以形成一些可允许的能带.同时详细讨论了电子能带结构的特点及其形成机制.     

二维伊辛模型的熵的研究

本根据熵的定义,对二维伊辛模型的微观状态进行研究,得到二维伊辛模型的熵的计算公式。     

温度对量子环磁矩振荡规律的影响

应用统计理论计算了量子环中电子的热力势 和磁矩,研究了温度对量子环磁矩随磁场振荡规律的影响。结果表明：当温度一定时,强磁场作用下的量子环磁矩主要随磁感应强度B的倒数1/B作振荡,而弱磁场时则随B作振荡。对Au量子环,强磁场作用下磁矩随1/B的振荡周期为 ,而弱磁场作用下磁矩随B的振荡周期为 。而磁场一定时,量子环的磁矩随温度成非线性变化。其中磁场较小时,磁矩随温度升高而增大且为负;而磁场较大时,则随温度升高而减小且为正,而一般情况下,磁矩会随温度升高而变号。磁矩随磁场的振荡随温度升高而减弱。     

温度对量子环磁矩振荡规律的影响

应用统计理论计算了量子环中电子的热力势Ω和磁矩,研究了温度对量子环磁矩随磁场振荡规律的影响.结果表明：当温度一定时,强磁场作用下的量子环磁矩主要随磁感应强度B的倒数1/B作振荡,而弱磁场时则随B作振荡.对Au量子环,强磁场作用下磁矩随1/B的振荡周期为6.823×10－3T－1,而弱磁场作用下磁矩随B的振荡周期为1.377×10－2T.而磁场一定时,量子环的磁矩随温度成非线性变化.其中磁场较小时,磁矩随温度升高而增大且为负;而磁场较大时,则随温度升高而减小且为正,而一般情况下,磁矩会随温度升高而变号.磁