循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征

用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察了循环应变作用下（１３５）同轴非对称铜双晶体中的位错结构。结果表明,双晶晶界领域的位错结构特征不同于远离晶界的区域,一是低应变幅下晶界旁有低密度位错区的形成,二是驻留滑移带结构接近晶界时发生畸变。     

无ECP附件在X-650扫描电镜上实现电子通道花样的技术

在未配备电子通道花样(ECP)附件的日立X-650大型扫描电镜上通过调节仪器参数、控制成像条件成功地实现了ECP功能。文中介绍了实现这一功能的具体实验步骤,并就各仪器参数对电子通道花样图像质量的影响进行了详细讨论,提出了在X-650扫描电镜上不用ECP附件实现电子通道花样技术的最佳实验条件。     

共轭双滑移取向铜单晶疲劳位错结构的SEM-ECC观察

利用扫描电镜电子通道衬度(SEM-ECC)技术观察和分析了[■ 2 3]和[■ 1 2]共轭双滑移取向铜单晶体的循环饱和位错结构.结果表明,驻留滑移带(PSBs)的位错结构随晶体取向的不同可呈现出不同的形态,如:[■ 1 2]晶体中的楼梯结构和[■ 2 3]晶体中的沿主滑移面排列的不规则或较规则胞结构.同时还观察到[■ 2 3]晶体中形变带的位错结构由一些不规则的墙和胞结构组成.对于晶体取向位于标准取向三角形[0 0 1]-[■ 1 1]边上的铜单晶体,其疲劳位错结构随晶体取向的不同发生有规律的变化,即:当晶体取向从[■ 1 2]分别向[■ 1 1]和[0 0 1]移动时,位错结构由PSB楼梯...     

铜双晶体及其组元单晶体的循环变形行为比较：———Ⅰ.循环应力—？…

研究了实际生长的铜双晶体（ＲＢ）,组合双晶体（ＣＢ）及其组元单晶体（Ｇ１,Ｇ２）在总应变幅控制下的循环应力－应变响应,结果表明在相同应变幅下轴向应力幅随循环进行递增顺序为Ｇ２,ＣＢ,ＲＢ及Ｇ１,而塑性应变幅则按Ｇ２,ＣＢ,ＲＢ及Ｇ１顺序递减。通过引入一个双晶体的取向因子ΩＢ比较了双晶体（ＢＣ,ＲＢ）及其组元单晶体（Ｇ１,Ｇ２）的循环应力－应变曲线,其中两组元单晶体（Ｇ１,Ｇ２）的循环应力－应变曲线     

铜双晶体及其组元单晶体循环变形行为的比较：Ⅱ.晶界附近形变？…

在铜双晶体（ＣＢ，ＲＢ）及其组元单晶体（Ｇ１，Ｇ２）循环应力－应变响应比较的基础上，观察了双晶体（ＣＢ，ＲＢ）及其组元单晶体循环变形后表面滑移形貌及疲劳裂纹萌生，结果表明实际双晶体ＲＢ晶界附近组元晶体Ｇ２中出现以次滑移为主的晶界影响区，且晶界区随应变幅增加而变宽。     

扫描电镜及电子能谱对硅酸钙水合晶体生产过程的研究

以扫描电镜-电子能谱为主要研究手段,并辅之以X-射线衍射、透射电镜-电子衍射等结构分析方法,对蒸压条件下硅酸钙水合晶体的生成过程进行了较为系统的研究。结果表明,硅酸钙水合晶体的生成经历了水合C_a~(2+)离子扩散进入圆筛藻孔道中、晶核的形成、晶种的生成、晶体长大等几个主要阶段。并结合不同的反应阶段对制备条件的要求进行了有关的讨论。     

电子背散射衍射分析技术——一种新型的晶体材料研究方法

介绍了一种新型的晶体材料研究方法——电子背散射衍射分析技术.简介了电子背散射衍射分析的发展,阐明了电子背散射衍射产生的机制和电子背散射衍射分析的基本原理。说明了电子背散射衍射分析系统的性能特点,概述了电子背散射衍射分析的应用.     

类氖氙离子基态的双电子复合过程研究

使用相对论组态相互作用方法计算了电子温度在0.01EI≤kTe≤10EI(EI=3332eV,是类钠Xe43+离子的第一电离能)范围内基态类氖Xe44+离子的双电子复合(DR)速率系数。对类氖Xe44+离子基态DR过程贡献最大的是(2s2p)73ln′l′双激发自电离组态,对总DR速率系数的贡献略大于90％,其中最主要的贡献来自(2s2p)73l3l′,(2s2p)73l4l′组态,占总速率系数的70％以上。对于通过(2s2p)73ln′l′类钠氙离子双激发自电离组态的双电子复合过程,l′>8的贡献可以忽略,n′>12的贡献满足n′-3组态-组态外推法则。     

铜单晶驻留滑移带演化的实验观察与形成机制

在室温下采取恒塑性应变幅控制研究了单滑移取向[123]铜单晶体的循环形变过程.塑性应变幅为1×10-3.通过扫描电子显微镜-电子通道衬度(SEM-ECC)技术对同一试样在不同循环周次进行疲劳过程位错组态演化,以及驻留滑移带(PSB)的形成和它的表面形貌观察.对比了不同周次的位错组态,从而把疲劳过程的早期位错演化分为主滑移平面上的主刃型位错和基体位错墙间的螺型位错段起主要作用的两个阶段.同时也提出了一个关于PSB形成的可能机制:当基体位错墙的间距与墙的宽度都达到一临界值时,由于基体位错墙两边的螺型位错段对基体位错墙施加不平衡的作用力,当此力达到临界值时导致基体位错墙的连锁性破坏,从而形成驻留滑移线(PSL).随着循环周次的增加,与PSL相邻的螺型位错段继续作用而最终导致PSB的形成.     

类氖氙离子的LMM双电子伴线细致能级研究

使用相对论组态相互作用方法(relativistic configuration interaction,RCI)和细致能级-能级方式计算了类氖氙离子单激发态的能级、类氖氙离子LMM双电子伴线的辐射跃迁能量、辐射衰退几率和强度因子,计算中包含了Breit相互作用、真空极化和自能。对比了氖氙离子LMM双电子伴线与其母线的波长和强度因子,结果表明:双电子伴线与其母线的波长相差不大,强度比对温度的变化很敏感,类氖氙离子LMM双电子伴线强度与母线强度比可应用于氙等离子体温度的诊断。     

计算机模拟循环形变铜单晶体的自组织位错结构

以随机分布在主滑移面上的3000个平行正负直刃型位错作为初始组态,采用离散位错动力学方法,模拟循环形变铜单晶体的自组织位错结构,得到动态平衡分布的脉络和位错墙结构,发现大偶极子位错结构·模拟结果与实验观察相符     

水平与垂直晶界铜双晶的压缩形貌观察与分析

为了研究晶界方向对铜双晶塑性变形的影响,采用扩散焊方法制备了双晶铜块,通过压缩试验台对水平和垂直晶界方向下的铜双晶进行等形变压缩,对晶界附近变形形貌进行显微观察与分析.结果显示:不同晶界方向对铜双晶的滑移变形有不同的影响;在等压缩形变下,相比于水平晶界双晶体,垂直晶界双晶体滑移线的分布和扩展比水平晶界双晶体的更不均匀,垂直晶界双晶体中晶界附近的应力集中程度更高;垂直晶界双晶体滑移线扩展不连续且有波动性,且孔洞和裂纹数量多于水平晶界,孔洞和裂纹的产生和分布位置更集中于滑移线上或临近滑移线的某一侧.     

葫芦藓科植物孢子形态的扫描电镜观察

利用扫描电镜对我国产葫芦藓科(Funariaceae)3属8种植物的孢子进行了观察，其中4种孢子形态为首次报道。结果表明，本科植物孢子与其他科区别明显，孢子较大，具明显的近极薄壁区，纹饰多样，属之间可以凭借孢子特征区分开，进而从孢粉学角度探讨了刺边葫芦藓(Funaria muhlenbergii)的分类位置。     

火焰原子吸收光谱法测定21金维他中铜锰锌

用悬浮液技术及非完全消化法分别处理样品,以火焰原子吸收光谱法成功地测定了21金维他中铜、锰、锌.结果表明,在悬浮液中加入适量HCl溶液可显著提高被测元素的吸光度,共存元素对锰无化学干扰,试液的物理性质与空白溶液的一致.对悬浮液的稳定时间、非完全消化法样品处理条件、背景吸收干扰及特征浓度进行了考察,相对标准偏差小于2.8%,测定结果与灰化法一致,相对误差小于±2.4%,方法简便准确.