VPE ZnSxSe1-x外延膜的生长及其光致发光

本文用气相外延(VPE)法在(100)GaAs衬底上生长了ZnSxSe1-x外延膜,并通过改变ZnS源温度和衬底温度使组分x值控制在0—1范围内。外延膜在77K时的光致发光(PL)光谱的近带边发射峰很强,半高宽较窄,这表明VPE ZnSxSe1-x外延膜的质量较高。     

VPE ZnSxSe1-x外延膜中的自发和受激辐射

本文首次报道了VPE ZnSxSe1-x外延膜在77K时起因于激子和激子(Ex-Ex)散射的自发辐射和受激辐射,研究了Ex-Ex散射发光的位置和强度与激发密度的关系,分析了受激辐射的光子能量比自发辐射稍低的原因.     

VPE ZnS_xSe_(1-x)外延膜中的自发和受激辐射

本文首次报道了VPE ZnS_xSe_(1-x)外延膜在77K时起因于激子和激子(Ex—Ex)散射的自发辐射和受激辐射,研究了Ex—Ex散射发光的位置和强度与激发密度的关系,分析了受激辐射的光子能量比自发辐射稍低的原因.     

在ZnSxSe1-x单晶中本征缺陷的研究

本文用气相法生长ZnSxSe1-x(x=0.03)单晶,解理得到(110)面晶片。在组分分压(Zn或S/Se或Se)下300-800℃范围内进行热处理,在4.2K激子发射光谱中观察到与VZn(Zn空位)有关的I1deep谱线强度的变化。当热处理温度低于300℃时,未观察到I1deep谱线强度的变化。在300℃以上热处理样品中均观察到I1deep谱线强度的变化。由此研究了VZn浓度随热处理条件的变化。提供了分别控制本征VZn缺陷和掺杂的实验依据。     

VPE生长CdS外延膜的光学性质与光学双稳态

本文报导了在透明的CaF2衬底上采用气相外延(VPE)方法生长的高质量CdS薄膜。通过对其发射和吸收光谱以及光双稳特性的研究,表明这种外延膜的性质与体单晶相似。     

BaFClxBr1-x：Sm的发光研究

本文报道了BaFClxBr1-x:Sm中Sm2+、Sm3+的光致发光、光激励发光和热释发光特征.讨论了基质组分对发光的影响及Sm2+、Sm3+的相对发光效率.发现Sm2+的复合发光能力大于Sm3+的复合发光能力,并从复合发光的过程及途径对这一现象进行了说明.     

RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响

在5.0eV的激光激发下，在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰，其峰位分别为2.97,2.77,2.55,2.32,2.10,1.9eV。经900－1100℃在N2气氛下快速退火（RTA）处理后，样品的六个PL峰变为3.1,2.0,2.85,2.6,2.36,2.2eV。本文对退火前后PL峰的产生和变化机制进行了初步探讨。     

气相外延ZnSe单晶膜的自由激子发光

本文在77K和N2激光器3371谱线高密度激发的VPE ZnSe单晶膜上,首次得到了起因于自由激子与自由激子(Ex-Ex)散射的发光谱带(P带),理论拟合了该谱带的形状并讨论了它的发光特性。文中把在选择的VPE ZnSe外延单晶膜中得到P带的起因归结为这些ZnSe外延单晶膜的质量较高。     

稀磁半导体Zn_（1－x）Mn_xSe外延膜的反射和光致发光谱

测量了用热壁外延（ＨＷＥ）生长的不同组分（０≤ｘ≤０．９８）的Ｚｎ１－ｘＭｎｘＳｅ薄膜在温度为３００Ｋ下的反射光谱，用Ｘ射线能借测定样品实际的组分ｘ值，由此获得了其能隙Ｅｇ与组分ｘ的关系：在Ｏ＜Ｘ＜０．２组分范围，Ｅｇ随ｘ的变化显示了反常现象，当Ｘ＞０．２时，能隙Ｅｇ随ｘ线性增大。在室温和低温下测量了样品的光致发光，除观测到Ｍｎ２＋离子内部４Ｔ１→６Ａ１发光峰外，在其低能边观测到一个较宽的发光峰，对结果进行了分析讨论。     

在ZnSxSe1-x单晶中自由激子光谱的研究

在高纯ZnSxSe1-x单晶的自由激子激发光谱中首次观察到过热激子能量弛豫的振荡结构.激发光谱的结构,激子的寿命与ZnSxSe1-x三元系的组分x密切有关.x=0.125和x=0.02样品相比较,随着X的增加而增加自由激子的发光效率,同时在激发光谱的振荡结构中增加光滑成分和背景,亦即减少光学声子形式的能量弛豫,增加声学声子形式的能量弛豫.这些现象归结于在混晶中非均匀势垒引起的激子迁移率的减小.     

真空中加热衬底对ZnSe MIS二极管电致发光的影响

本文研究了在制备ZnSe MIS二极管的绝缘层时,为了改善IS间的界面接触,在真空中加热ZnSe衬底,其结果虽然使电致发光的均匀性有所改善,却使原来的蓝色电致发光变为红色。文中着重研究了红色电致发光的起源,在液氮温度下出现的二个峰值为5350Å和6320Å的谱带应分别归结为ZnSe晶体中的铜绿(Cu-G)和铜红(Cu-R)发光中心。文中指出,真空中加热的条件,使ZnSe晶体中残留的Cu杂质从非发光中心状态转变为发光中心状态。因此,要改善ZnSe晶体蓝色电致发光的性能,进一步提高ZnSe晶体的纯度是十分重要的。     

ZnSxSe1-x单晶的霍尔迁移率

用Vah der Pauw法在77～300K温度范围内测试了n-ZnSxSe1-x(x=0.15)单晶的霍尔迁移率,共最大值为2150cm2/V·s迁移率随温度变化的实验结果与载流子散射的几种理论模型曲线相比较,得出在120K附近为界,在高温区中极化的光学声子散射限定迁移率;在低温区中光学声子散射和离化本征受主散射的混合模型或离化本征受主散射限定迁移率。认为离化本征受主是一次电离的Zn空位。     

真空净化处理对掺杂烧结型金刚石聚晶耐磨性的影响

 本文对金刚石原料和不同结合剂进行了真空净化处理试验研究。金刚石原料粒度越细，d电子亏损越多的过渡元素做结合剂，通常越需真空净化处理，方能烧结成高耐磨性聚晶金刚石。     

电流激发下ZnSxSe1-xMIS二极管中的自由激子发光

在77K下,研究了ZnSxSe1-xMIS二极管在正向直流激发下的激子发光行为.首次在直流电流密度(20-35mA/mm2)下,在高质量ZnSe(x=0)和ZnSxSe1-x(x=0.22)MIS二极管中观测到两个新发射带,对于ZnSe单晶,谱带峰值分别为447.9nm和450.0nm,对于ZnS0.22Se0.78单晶,谱带峰值分别为426.3nm和428.7nm.这一现象在通常的ZnSxSe1-x晶体中观测不到,仅在高质量ZnSxSe1-x单晶中检测到.文中根据它们的发光特征,把两个谱带的起因归于不同的激子散射.     

原料纯度对VPE ZnSe单晶薄膜发光和电学性能的影响

本文叙述了原料纯度对ZnSe外延膜的发光和电学性能的影响。随原料纯度提高,ZnSe外延膜的电阻率增大,同时PL光谱中与自由激子发射有关的Es带不断增强。这就表明,在我们实验条件下,ZnSe外延层的电导载流子主要来自于原料中施主杂质的污染而不是本征施主,当衬底温度较低时,原料中施主杂质的污染要比衬底中的Ga自扩散重要得多。随着原料纯度的提高,ZnSe外延膜电阻率增加,正是由于原料中施主杂质的减少。