光电双基区晶体管(PDUBAT)的器件模型

本文在考虑了晶体管的小注入效应和大注入效应以及基区宽变效应等因素后,首次用近似和简化的数学表示式和相应的等效电路,描述了光电双基区晶体管(PDUBAT)负阻形成的机理并使负阻区和谷值区的理论计算和实验结果一致性很好.     

光电双基区晶体管光控脉冲振荡器的实验研究

光电双基区晶体管（ＰＤＵＢＡＴ）是一种能产生“Ｎ”型光电负阻特性的新型光电负阻器件。通过对试制出的样管进行测试,发现ＰＤＵＢＡＴ在无外接电感的情况下即可发生脉冲振荡。脉冲振荡的频率和振幅均受到入射光强度的调制,即随光强的增大,振荡频率增加,振由减小。最后,对该器件的应用及发展前景进行了讨论。     

基于双基区晶体管结构的光控振荡器

采用DUBAT(双基区晶体管)和光电二极管构成新型无电感光控振荡器,并对其等效电路进行了模拟,分析了工作原理.实验数据证明了该光控振荡器频率与光强成正比,可实现光的模数转化.由于DUBAT结构简单,与集成电路工艺兼容,成本低廉,为光控振荡器与功能电路的集成应用提供了新的实现方式.     

基于双基区晶体管结构的光控振荡器

采用DUBAT(双基区晶体管)和光电二极管构成新型无电感光控振荡器,并对其等效电路进行了模拟,分析了工作原理.实验数据证明了该光控振荡器频率与光强成正比,可实现光的模数转化.由于DU BAT结构简单,与集成电路工艺兼容,成本低廉,为光控振荡器与功能电路的集成应用提供了新的实现方式     

光电双基区晶体管中的光控电流开关效应

光电双基区晶体管体在光电混合模式工作条件下具有光控“Ｓ”型负阻特及其光控电流开关效应。测量了光照时ＩＢＥ－ＶＢＥ特性,Ｉｔｈ－Ｒｃ特性等曲线。并利用用电注入双基区晶体管的“Ｓ”型负阻产生机理解释了测得的结果。     

光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析

考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特性，设计和制造了在光强度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ，     

光电双基区晶体管的工作机理

通过分析光电双基区晶体管(PDUBAT)内部载流子的二维传输过程,获得它的物理模型,得出PDUBAT是个新型光控振荡器的结论,并依此模型给出了它的等效电路,利用SPICE程序得到的一系列计算结果与实验结果是一致的.结合这些计算结果,完整解释了PDUBAT产生耦合、负阻、振荡的物理过程.给出了起振电压(输出电流峰值电压)、振荡频率随光强变化的关系式,定性解释了相应的实验结果.     

光电双基区晶体管的工作机理

通过分析光电双基区晶体管(PDUBAT)内部载流子的二维传输过程,获得它的物理模型,得出PDUBAT是个新型光控振荡器的结论,并依此模型给出了它的等效电路,利用SPICE程序得到的一系列计算结果与实验结果是一致的.结合这些计算结果,完整解释了PDUBAT产生耦合、负阻、振荡的物理过程.给出了起振电压(输出电流峰值电压)、振荡频率随光强变化的关系式,定性解释了相应的实验结果     

基于峰域工作点的间接耦合光电探测器

本文系统报道了间接耦合光电探测器奇异输出特性中四类工作区域的瞬态响应状部，当器件工作于峰域时，不仅能加快响应速度而且产生新的内部增益，充分展示出这是一个极有价值的区域。文中针对实验结果进行讨论，得出交流耦合系数大于１的分析结果。     

基于半导体横向光电效应的位置敏感探测器

综述了基于半导体横向光电效应的位置敏感探测器（PSD）的发展、工作原理及应用,展望了PSD的研究动态和发展前景。     

The Bipolar Field-Effect Transistor:XIII. Physical Realizations of the Transistor and Circuits (One-Two-MOS-Gates on Thin-Thick Pure-Impure Base)

This paper reports the physical realization of the Bipolar Field-Effect Transistor （BiFET） and its onetransistor basic building block circuits. Examples are given for the one and two MOS gates on thin and thick, pure and impure base, with electron and hole contacts, and the corresponding theoretical current-voltage characteristics previously computed by us, without generation-recombination-trapping-tunneling of electrons and holes. These examples include the one-MOS-gate on semi-infinite thick impure base transistor （the bulk transistor） and the impurethin-base Silicon-on-Insulator （SOI） transistor and the two-MOS-gates on thin base transistors （the FinFET and the Thin Film Transistor TFF）. Figures are given with the cross-section views containing the electron and hole concentration and current density distributions and trajectories and the corresponding DC current-voltage characteristics.     

四像限光电探测器的光路数学模型

探测器数学模型是探测器实施精确探测的基础。通过分析探测器光路建立了一个较为完整的四像限光电探测器的光路数学模型．考虑了探测器在安装过程中发生的偏移位置及其偏移量、光敏面的离焦量、探测器结构参数等对光信号到电信号的转换的影响。在建立俯仰偏移、横滚偏移和方位偏移三种特定情况下探测器模型的基础上．给出了探测器的三自由度安装位置、光敏面的离焦量、光信号等与输出信号的一般关系式。比较在给定相同光路参数条件下探测器光路数学模型的理论输出信号波形与实测输出信号波形，结果表明，两者信号波形相似。比较模型输出与实际输出信号的两个特征参数．即信号过零点的切线的斜率与截距，可以发现，特征参数的差别小于0．01，因此。四像限光电探测器数学模型的输入输出关系与探测器实际输入输出关系是一致的，可以用该模型实施探测器探测。这为光电探测器进一步的研究与应用．实现无实验样本探测提供了参考。     

一种基于视网膜细胞排布的光电探测器

基于视网膜特有的细胞排布方式,并利用CMOS图像传感器工艺,设计并制造了一种仿视网膜的光电探测器.为降低像素尺寸因素引起的图像非均匀性,光电探测器采用7T对数像素结构.测试结果显示该光电探测器具有良好的成像效果.     

晶体管发射极电流集边效应物理意义之探讨

由基区电阻的自偏压引起的晶体管发射极电流集边效应，是限制晶体管承载电流能力的因素之一。     

基于光电法的淤泥密度探测仪的设计

本探测仪的原理是介质中的光吸收量和它的密度成比例.光源发出的光在介质中传播后被光电传感器接收,光电传感器将光信号转换成电信号,信号放大后输出,单片机将模拟信号转换成数字信号经RS485接口传送至计算机,计算机处理后显示出水下淤泥密度的分布情况,起到指导清淤人员工作的作用.     

微波大功率晶体管基极镇流方法研究

长期以来,解决微波功率晶体管的电流集中问题的通用做法是使用发射极镇流电阻．以及PTC,CTR热敏电阻等无源器件。区别于前者,本文提出一种实时有效的基极镇流解决方案,采用传感器探测结温,后续触发装置触发功率BJT基极发射极之间的镇流MOS管,来完成微波功率晶体管的过温保护,和常温解除功能,最终实现对功率器件的实时有效保护,使器件同时具备更高的可靠性,更优的电学性能。     

零器模型在晶体管放大器分析中的应用

晶体管放大器常采用图解法和等效电路法进行分析．本文以ｎ－ｐ－ｎ型晶体管为例，介绍了零器模型（包括静态模型和动态模型）在晶体管放大器分析方面的应用，它与传统方法不同，简便易行。