玻璃钝化硅快恢复整流二极管

本文对２ＣＮ６型玻璃钝化硅快恢复整流二极管的结构设计和制造工艺进行了深入分析，确定了合理的结构参数和先进的工艺流程，选用合适电阻率和厚度的Ｎ型硅单晶片，采用磷、硼深扩散，精确控制基区宽度形成Ｐ＾＋ＮＮ＾＋结构；铂扩散降低少子寿命τ，从而缩短反向恢复时间τｒｒ；双面蒸铝得到铝硅欧姆接触以降低正向压降ＶＦＭ；钼柱过渡高温冶金焊接确保抗拉强度，并与硅芯片及玻璃实现良好热匹配；化学腐蚀形成台面降低表面电场     

玻璃钝化二极管的一体化焊接工艺

本文详细介绍玻璃粉钝化封装功率二极管的管芯焊接件的一体化焊接工艺原理及方法。并比较现有焊接方法的优缺点。     

氧对玻璃钝化二极管钝化工艺的影响

众所周知,玻璃钝化二极管(以下简称玻钝二极管)的关键性工艺是钝化工艺.在钝化过程中,必须要有惰性气体保护,通常用N_2.一般认为N_2的纯度越高越好.但是,我们发现并非如此.实际上氧在钝化过程中,起着微妙的影响,在N_2中含有一定量的O_2时,反而改善了二极管的性能,提高了成品率.因此使玻璃钝化工艺实现了以马福炉代替石英管,这对二极管的大批量生产,起着重要的作用.     

玻璃钝化二极管成型工序的分段降温法

一、问题的提出自从玻璃钝化二极管在国内问世以来,到现在绝大多数生产厂家,在成型过程中,一直是采用在氮气保护的马福炉内自然降温,时间长达2小时以上.市场上玻封管的价格不断下迭,迫使国内各生产厂家必须尽量降低成本和提高成品率,以适应市场变化的需要.二、分段降温法的工艺步骤1.成型的管子在成型炉内退火后(此时成     

玻璃钝化功率整流二极管芯片国产化设计

从电极设计、台面造型和尺寸控制、降低高温漏电流及反向软恢复等四个方面提出了玻璃钝化整流二极管芯片的国产化设计方案。经二极管引进线的规模生产实施和相应的成品二极管整机批量使用,取得了满意的结果。     

硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能研究

为了研究硅光电二极管钝化膜的抗辐射性能,采取了0.8M eV电子在4个辐照剂量(1013cm-2~1014cm-2)分别辐照3种不同厚度二氧化硅钝化的光电二极管的方法,比较了光电二极管光电流变化率和暗电流变化率,得到了3种钝化厚度的光电二极管的性能参数有不同程度衰减的结果。辐照后光电二极管的光电流衰减强烈依赖入射光波长,在短波和长波阶段衰减明显,而在中波阶段(600nm~800nm)基本不衰减。另外,暗电流变化率随着辐照剂量迅速增加,当辐照剂量达到1×1014cm-2时,短波光电流仅为辐照前的80%,暗电流为辐照前的40倍。实验中还发现,薄钝化的二极管的光电流衰减最小,其暗电流增加最显著。结果表明,钝化膜的辐射特性与器件结构和钝化膜工艺密切相关。     

玻璃钝化台面二极管的芯柱腐蚀及其对钝化效果的影响

玻璃钝化台面二极管的钝化效果,与管芯的台面造型、芯柱腐蚀、和钝化玻璃焙烧工艺都有着密切的关系。在管芯台面造型和钝化玻璃焙烧工艺均一定的前提下,本文讨论了芯柱腐蚀对钝化效果的影响。并介绍一种能显著提高钝化后高压率的新的腐蚀液配方和腐蚀方法。     

玻封二极管玻璃钝化层中白色斑点的探讨

玻璃封装二极管,近几年来国内发展非常迅速.在国内,由于玻璃粉性能不断地改进,涂敷及烧附工艺的进步,一些质量问题在大量生产中已获得解决.然而目前国内生产的玻璃粉,大都存在着析晶峰,因而大量应用于生产过程中尚存在一些质量问题.这主要表现在玻璃钝化层出易出现白色斑点.这些白色斑点严重地影响了二极管的质量,造成大量产品外观不良及废次品.本文重点讨论白色斑点产生的机理及克服的途径.     

硅肖特基势垒二极管耐高压高温特性的改善

为了改善传统硅基肖特基二极管反向低耐压和低结温的特性,本文采用离子注入、NiPt60溅射、硅化物形成等主要工艺在厚度为10.6～11.4μm、浓度为2.2×10₁₅～2.4×10₁₅㎝_-3的Nˉ型硅外延层上制备了具有耐高压和高结温的肖特基势垒二极管。实验测试的I-V特性表明该肖特基势垒二极管可承受175℃的结温,比传统硅基肖特基二极管的结温高出50℃,反向耐压值达到V_R=112V,漏电流仅为2μA,导通压降V_F=0.71V(正向电流I_F=3A时)。     

微型玻璃二极管

国外研制一种新型的扩散结二极管,用玻璃密封,有高度的可靠性.二极管电压可高至100伏,电流可至300毫安,开关速度可至2毫微秒.二极管的主要关键在于两层玻璃密封的结构.硅粒体(约1/50吋~2)用一层玻璃密封,对结表面的防护比目前所用的钝化过程更优越.粒体本身为晶体外延结构,有优良的电     

电视机中升压二极管故障的检修

在行输出管耐压足够的情况下,自举型行输出电路具有无可置疑的优越性,所以为大多数国产中、小屏幕电视接收机所采用.此种电路的一般结构如附图所示,这是国产电视机12D1中所用电路.AB为行输出变压器自耦升压绕组,3BG_(14)是升压二极管.在行输出管正程导通期间,AB上感应得上负下正的电动势,电源便通过3BG(14)对升压电容器3C_(35)进行充电.这样能把12伏电源电压提升到26伏左右,用以提高行输出级的效率,改善行输出锯齿波的线性. 升压二极管所处的工作状态,对该管提出了较高的数据要求.通过二极管的平均电流很大,如在12英寸机中约为500～600毫安,峰值电流则超过1安.尽管管子两端的直流电压仅十几伏,但是输出变压器升     

大功率扩音机频率特性的改善

目前,不少城市和农村广播站使用的扩声设备,很多都是技术指标不高的老产品,特别是频率特性这一项主要技术指标更是不理想。如何在不降低输出功率的前提下,展宽带宽,是众多广播维修技术人员所关心的问题。本文,介绍的是笔者在实际工作中针对本     

硅PIN光电二极管

本所已于1977年研制出用于红外、激光测距、激光通信等多方面用途的光探测接收器件——0.9微米和1.06微米高速PIN硅光电二极管(两个品种各四个系列),并已定型生产。经二十多个单位试用,证明性能良好:响应速度快,灵敏度高,暗电流小。用户均感满意。硅PIN光电二极管各系列的技术参数如下表所示:     

硅雪崩光电二极管

Hamamatsu公司目前推出用于测距仪、激光雷达和空间光传播的S9717系列硅雪崩光电二极管。这些器件覆盖400nm-1000nm的响应光谱,在800nm处达到 0．5A／W的感光灵敏度和100的增益。目前该公司有三     

硅恒流二极管

恒流源在电子线路中应用甚广.一个理想的恒流源可以给负载提供恒定的电流而与负载两端电压无关,即输出电导为零,而且它的电流值不随温度改变.在一定电压范围内工作的场效应晶体管漏电流趋于饱和,输出电导很低,因此可用作恒流源.在MOS集成电路中为了制造工艺相容,有时用MOS场效应晶体管作恒流源.本文所述的恒流二极管(CRD)     

钝化多孔硅的光致发光

选用含有胺基的正丁胺 (CH3CH2 CH2 CH2 - NH2 )作碳源 ,采用射频辉光放电法制备碳膜对多孔硅进行碳膜钝化 ,其光致发光谱和存放实验表明 :正丁胺对多孔硅进行钝化是一种十分有效的多孔硅后处理途径 .研究了钝化多孔硅的光致发光谱随钝化温度和钝化时间的变化关系 ,其结果显示 :通过调节钝化条件可实现钝化多孔硅最大的发光效率和所需要的发光颜色     

玻璃钝化与真空技术

半导体器件制造是一种多学科多门类技术综合应用的系统工程。本文通过半导体器件中比较典型的一个分支，高反压台面晶体管关键工序玻璃化及其相关工序的讨论，介绍了真空技术在半导体生产中的广泛应用，从中可以看出半导体工艺与真空技术的紧密联系乃至深刻的依赖关系。     

高压硅堆钝化封装玻璃

高压硅堆具有良好的电性能、化学稳定性和均匀对称的外形封装.它的关键是在钝化封装玻璃(ZnO-B_2O_3-SiO_2系)的组分中引入了添加剂MnO_2和成核剂ZnO,并且通过该玻璃热成形过程的工艺选择达到对核化过程、晶体生长以及主晶相特性的有效控制,从而获得上述特性.     

钝化多孔硅的光致发光

选用含有胺基的正丁胺(CH3CH2CH2CH2-NH2)作碳源,采用射频辉光放电法制备碳膜对多孔硅进行碳膜钝化,其光致发光谱和存放实验表明:正丁胺对多孔硅进行钝化是一种十分有效的多孔硅后处理途径.研究了钝化多孔硅的光致发光谱随钝化温度和钝化时间的变化关系,其结果显示:通过调节钝化条件可实现钝化多孔硅最大的发光效率和所需要的发光颜色.