共查询到19条相似文献,搜索用时 187 毫秒
1.
基于k·p微扰理论, 通过引入应变哈密顿量作为微扰, 建立了双轴应变Ge/Si1-xGex价带色散关系模型. 模型适于任意晶向弛豫Si1-xGex虚衬底上的应变Ge价带结构, 通过该模型可获得任意k方向应变Ge的价带结构和空穴有效质量. 模型的Matlab模拟结果显示, 应变Ge/Si1-xGex价带带边空穴有效质量随Ge组分的增加而减小, 其各向异性比弛豫Ge更加显著. 本文研究成果对Si基应变Ge MOS器件及集成电路的沟道应力与晶向的设计有参考价值. 相似文献
2.
3.
在Si (001)衬底上, 以高质量的弛豫Ge薄膜作为缓冲层, 先后生长Sn组分x分别为2.5%, 5.2%和7.8%的完全应变的三层Ge1-xSnx合金薄膜. 在Si (001)衬底上直接生长了x分别为0.005, 0.016, 0.044, 0.070和0.155的五个弛豫Ge1-xSnx样品. 通过卢瑟福背散射谱、高分辨X射线衍射和X射线倒易空间图等方法测量了Ge1-xSnx合金的组分 与晶格常数. 实验得到的晶格常数相对Vegard定律具有较大的正偏离, 弯曲系数b=0.211 Å. 相似文献
4.
本文采用传输矩阵的方法计算了GexSi1-x/Si量子阱红外探测器结构参量对多量子阱波导结构模场分布,光场限制因子和有效吸收系数的影响,并给出了优化设计的结果. 相似文献
5.
应变Ge材料因其载流子迁移率高, 且与硅工艺兼容等优点, 已成为硅基CMOS研究发展的重点和热点. 本文基于压应变Ge/(001)Si1-xGex价带结构模型, 研究了压应变Ge/(001)Si1-xGex空穴各散射概率、空穴迁移率与Ge组分(x)的关系, 包括空穴离化杂质散射概率、声学声子散射、非极性光学声子散射、总散射概率以及空穴各向同性、各向异性迁移率, 获得了有实用价值的相关结论. 本文量化模型可为应力致Ge改性半导体物理的理解及相关器件的研究设计提供有重要的理论参考. 相似文献
6.
The structural and magnetocaloric properties of Mn1.35Fe0.65P1-xSix compounds are investigated. The Si-substituted compounds, Mn1.35Fe0.65P1-xSix with x = 0.52, 0.54, 0.55, 0.56, and 0.57, are prepared by high-energy ball milling and the solid-state reaction. The X-ray diffraction shows that the compounds crystallize into the Fe2P-type hexagonal structure with space group P62m. The magnetic measurements show that the Curie temperature of the compound increases from 253 K for x = 0.52 to 296 K for x = 0.56. The isothermal magnetic-entropy change of the Mn1.35Fe0.65P1-xSix compound decreases with the Si content increasing. The maximal value of the magnetic-entropy change is about 7.0 J/kg稫 in the Mn1.35Fe0.65P0.48Si0.52 compound with a field change of 1.5 T. The compound quenched in water possesses a larger magnetic entropy change and a smaller thermal hysteresis than the non-quenched samples. The thermal hysteresis of the compound is less than 3.5 K. The maximum adiabatic temperature change is about 1.4 K in the Mn1.35Fe0.65P0.45Si0.55 compound with a field change of 1.48 T. 相似文献
7.
混合应变多量子阱有源材料及其增益偏振特性 总被引:1,自引:1,他引:0
采用MOCVD外延交替生长了压应变、张应变InxGa1-xAsyP1-y多量子阱材料,对应1.3 μm波段.平均应变量-0.16%,周期11 nm.采用三个周期外延材料的芯片制作的LD,实现了TE和TM双偏振模激射. 相似文献
8.
9.
RAMAN SCATTERING INTENSITIES OF FOLDED LONGITUDINAL ACOUSTIC PHONONS IN GexSi1-x/Si SUPERLATTICES
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
In terms of photoelastic mechanism we have investigated the Raman scattering intensities of the folded longitudinal acoustic (FLA) phonons in GexSi1-x/ Si superlattices (SLs), taking into account the differences between the acoustic and photoelastic parameters of the two constituents in the SLs. The relative intensities calculated for the FLA phonons are in excellent agreement with the experimental results at the frequencies up to about 50 cm-1. The broadening of the linewidth arising from the so called strong acoustic attenuation, which was reported previously located around the frequency 15 cm-1 in GexSi1-x/Si SLs(x≈0.5), has not been observed in this work. 相似文献
10.
利用固相反应法制备了Sr和Ba替代的Ca2.955-xMxSi2O7: 0.045Eu2+ (M= Sr, Ba, x= 0.1-0.5)系列荧光粉, 利用较大离子半径的Sr和Ba元素替代Eu掺杂Ca2.955-xMxSi2O7 中的Ca元素,研究Sr和Ba替代对样品结构和发光特性的影响. X射线衍射测试结果表明,少量Sr和Ba替代不会改变基质的晶体结构, 样品仍然为单斜晶系.未替代前, Ca2.955Si2O7: 0.045Eu2+ 样品的发射峰在574 nm左右,随着Sr含量的增加,样品的发射峰发生蓝移; 而Ba含量在x= 0.1-0.4时不会引起发射峰位置的移动, 但x= 0.5样品的发射峰发生蓝移.同等含量的Sr和Ba部分替代样品中的Ca元素, Ba替代样品的光谱强度较强. 相似文献
11.
依据离化杂质散射、声学声子散射和谷间散射的散射模型,在考虑电子谷间占有率的基础上,通过求解玻尔兹曼方程计算了不同锗组分下,不同杂质浓度时应变Si/(001)Si1-xGex的电子迁移率.结果表明:当锗组分达到0.2时,电子几乎全部占据Δ2能谷;低掺杂时,锗组分为0.4的应变Si电子迁移率与体硅相比增加约64%;对于张应变Si NMOS器件,从电子迁移率角度来考虑不适合做垂直沟道.选择相应的参数,该方
关键词:
电子谷间占有率
散射模型
锗组分
电子迁移率 相似文献
12.
13.
14.
15.
Based on the analysis of vertical electric potential distribution across the dual-channel strained p-type Si/strained Si 1-x Ge x /relaxd Si 1-y Ge y (s-Si/s-SiGe/Si 1-y Ge y) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (PMOSFET),an-alytical expressions of the threshold voltages for buried channel and surface channel are presented.And the maximum allowed thickness of s-Si is given,which can ensure that the strong inversion appears earlier in the buried channel (compressive strained SiGe) than in the surface channel (tensile strained Si),because the hole mobility in the buried channel is higher than that in the surface channel.Thus they offer a good accuracy as compared with the results of device simulator ISE.With this model,the variations of threshold voltage and maximum allowed thickness of s-Si with design parameters can be predicted,such as Ge fraction,layer thickness,and doping concentration.This model can serve as a useful tool for p-channel s-Si/s-SiGe/Si 1-y Ge y metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) designs. 相似文献
16.
17.
基于密度泛函理论框架的第一性原理平面波赝势方法对双轴应变Si/(111) Si1-xGex(x=0.1—0.4)的能带结构进行了研究,结果表明:导带带边六度简并没有消除;应变部分消除了价带带边的简并度;导带带边能量极值k矢位置和极值附近可由电子有效质量描述的能带形状在应变条件下几乎不变;价带极大值附近可由空穴有效质量描述的能带形状随着x有规律地变化. 此外,给出的禁带宽度与x的拟
关键词:
应变硅
能带结构
第一性原理 相似文献
18.
详细论述Si/SiGe量子级联激光器的工作原理,通过对比找到一组合适的Si,Ge和SiGe合金的能带参数,进而应用6×6 k·p方法计算了不同阱宽、不同Ge组分Si/Si1-xGex/Si量子阱价带量子化的空穴能级本征值及其色散关系,分析Si/Si1-xGex/Si量子阱空穴态能级间距随阱宽和组分的变化规律,最后应用计算结果讨论了Si/SiGe量子级联激光器有源区的能带设计,有益于优化Si /SiGe量子级联激光器结构.
关键词:
硅锗材料
量子级联激光器
子带跃迁
k·p方法')" href="#">k·p方法 相似文献
19.
利用二维数值模拟方法,研究了不同Ge组分应变Si1-xGe x 沟道p-MOSFET的电容-电压特性以及阈值电压的变化情况.计算结果表明:提高应变Si1-xGe x 沟道层中的Ge组分,器件亚阈值电流明显增大;栅电容在器件进入反型状态时产生显著变化;阈值电压的改变量与Ge组分基本成线性关系.通过改变Si1-xGe x 沟道的长度,并结
关键词:
1-xGe x 沟道')" href="#">应变Si1-xGe x 沟道
p-MOSFET
空穴迁移率
栅电容 相似文献