表面活性剂作用下谷胱甘肽单分子膜的离子门响应

将谷胱甘肽自组装在金电极表面,在表面活性剂存在下,以铁氰化钾及苯醌作为探针,用循环伏安法研究了修饰在金电极表面的谷胱甘肽单分子膜的电化学行为。实验发现在阳离子表面活性剂作用下,谷胱甘肽膜存在离子门行为,修饰电极表面的电子传输随阳离子表面活性剂浓度的增加而增加。阴离子表面活性剂对氧化还原探针在修饰电极上的电化学响应显示出一定的抑制作用。     

肾上腺素在脱氧核糖核酸修饰金电极上的电化学行为及铅离子的影响

用干燥／吸附法制备了脱氧核糖核酸(DNA)修饰金电极(DNA／Au)，采用循环伏安法、计时库仑法、微分脉冲伏安法、交流阻抗以及紫外光谱法研究了肾上腺素(EP)在该电极上的伏安行为及Pb^2 产生的影响。结果表明：在5mmol/L pH7．7Tris底液中，EP在DNA／Au上产生一不可逆的氧化峰(Ep＝0．16V)。该峰较EP在裸金电极上的峰(Ep＝0．11V)电位为正，灵敏度高。在有Pb^2 存在时，峰电位负移，峰高增大。微分脉冲峰高与EP浓度在0．5-75μmol/L范围内呈线性关系。氧化峰为扩散控制为主并兼有弱的吸附性。本文还探讨了其电极反应的机理，认为在无Pb^2 的情况下，EP与DNA的结合是EP嵌入DNA中为主并兼有一定程度的静电吸附。有Pb^2 存在的情况下EP是以EP-Pb^2 嵌入DNA的双螺旋结构中和通过静电吸附在DNA骨架上的Pb^2 为桥梁与DNA结合。     

金电极上β-环糊精单层膜的组装与表征

采用分步组装法将合成的β-环糊精对甲苯磺酸基衍生物(oTs-β-CD)直接与组装在金电极上的半胱胺于80℃下反应24小时以上，成功地制得β-CD单层膜修饰电极(SAM-β-CD)。分别用循环伏安法(CV)、X-射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)对该修饰电极进行了表征。实验结果表明，所制得的SAM-β-CD修饰电极对铁氰化钾(K3[Fe(CN)6]，和氢醌(QH2)表现出有效的主客体响应，并具有良好的稳定性。其制备方法简单、操作方便、成功率高。     

银微盘电极上谷胱甘肽降解产物的伏安行为

谷胱甘肽是一个含硫三肽 ,基于谷胱甘肽降解产物中的L_半胱氨酸 (RS- )能与Ag+形成难溶化合物的性质 ,在银微盘电极上研究了其水解产物的伏安行为 ;运用示差脉冲溶出伏安法 (DPSV) ,在0.1mol/LHAc -NaAc介质中 ,谷胱甘肽降解产物的还原峰电流与谷胱甘肽浓度于9.0×10-7～4.0×10-5 mol/L范围内有较好的线性关系 ,测定限为5.0×10 -8mol/L ,用于模拟样品测定 ,结果令人满意     

痕量Pb2 在nano-TiO2膜电极上的电化学行为及应用研究

利用纳米二氧化钛(nano-TiO2)的结构特性制备了一种nano-TiO2膜修饰的玻碳电极.采用阳极溶出伏安法详细研究了Pb2 在nano-TiO2膜修饰玻碳电极上的电化学响应行为,并对各种实验参数进行了优化.实验结果表明,在0.10 mol/L HAc-NaAc缓冲体系(pH 4.0)中,于-1.2 V富集搅拌480 s,再静置60 s后阳极化扫描,Pb2 在-0.48 V左右出现一灵敏的阳极溶出峰.Pb2 的溶出峰电流与其浓度在2.0×10-9 ～1.0×10-7 mol/L范围内呈良好的线性关系,检出限可达1.0×10-10 mol/L.该修饰电极具有一定的抗干扰能力,将其应用于实际水样中Pb2 的检测,结果令人满意.     

邻氨基酚在硫堇分子自组装膜修饰金电极上的电化学行为及其测定

在 0 .0 5 mol/L p H4.2的 HAc- Na Ac- PHP(邻苯二甲酸氢钾 )缓冲溶液中 ,用硫堇分子自组装膜修饰金电极对邻氨基酚的电化学行为进行了初步研究。研究发现 ,邻氨基酚在 - 0 .1 V左右出现一可逆氧化还原峰 ,在 0 .38V( vs.SCE)左右产生一阳极峰。两峰均由邻氨基酚的氧化还原引起 ,较正处的阳极峰表现出吸附波的性质 ,该峰较灵敏 ,适于伏安测定。该峰的峰电流与邻氨基酚的浓度在 1 .0× 1 0 - 6 ～ 5 .0× 1 0 - 4mol/L范围内呈线性关系 (相关系数 r =0 .9991 )。该方法可用于邻氨基酚含量的测定     

银微盘电极上碘离子的示差脉冲溶出伏安法

基于Ｉ能与Ａｇ生成难溶出化合物特性，在银微盘电极上研究了Ｉ的示差脉冲溶出伏安法（ＤＰＳＶ）。该法不需镀汞，不要搅拌，可在较稀稀的支持电解质溶液中实施。于０．０８ｍｏｌ／ＬＨＡｃ－ＮａＣ及０．０１ｍｏｌ／ＬＥＤＴＡ介质中，能检出１．００×１０＾－８ｍｏｌ／Ｌ的Ｉ，Ｉ的浓度为５．００×１０＾－６－－１．２０×１０＾－８ｍｏｌ／Ｌ范围与峰电流有良好的线性关系。该法用于自来水中Ｉ的测定，相对偏差为４．３％     

钙对氮化钼膜电极性能的影响

应用XRD、SEM、循环伏安法 (CV)等测试手段研究了钙对氮化钼膜电极性能的影响 .结果表明 ,采用浸渍_煅烧法制备电极 ,浸渍液中添加剂的量对电极电化学性能的影响显著 ;当添加剂的量为最佳值时 ,电极的比电容约为不加添加剂制备之电极的 2 .1倍 ,工作电势拓宽了 0 .11V .钙对γ_Mo2 N膜电极电化学性能的影响机理可认为是电极新生物质CaxNy、晶粒规整化和电极活性物质吸附能力增强这三种因素的协同作用     

离子液体修饰电极上氧氟沙星的电化学行为及测定

制备了1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐(BM IMPF6)室温离子液体修饰电极,用循环伏安法研究氧氟沙星在该修饰电极上的电化学行为,结果表明该电极过程受吸附控制。计算了电极过程的部分动力学参数:转移电子数n=2,电极有效面积A=0.0502 cm2。用方波溶出伏安法优化了测定参数,测定了浓度与峰电流ipa的线性关系,发现ipa与氧氟沙星浓度在5.0×10-7～6.0×10-5mol/L范围内呈线性关系,检出限为2.8×10-7mol/L,样品回收率为93.2%～108.2%,可直接用于实际样品中氧氟沙星含量的测定。     

单分子聚苯胺膜电极上抗坏血酸的线性扫描催化氧化波研究

在苯胺浓度为1.0mol.dm^-^3的盐酸溶液中用电化学聚合法制得单分子聚苯胺膜电极。在该修饰电极上, 抗坏血酸在0.01mol.dm^-^3盐酸底液中有一线性扫描催化氧化波, 其峰电位为+0.270V(vs.SCE), 峰电流与抗坏血酸浓度在10^-^2～10^-^5mol.dm^-^3范围内呈线性关系。文中详细地探讨了该波的性质, 证实它是一个不可逆波, 并且测定了αAn, ks, DR值。     

金电极上放线菌素D的电化学行为及分析测定

应用方波溶出伏安法研究了放线菌素D在KH2PO4-Na2HPO4缓冲溶液中于金电极上的电化学行为以及酸度、预富集沉积电位、预富集沉积时间、方波频率、方波幅度、电位增量等的影响,优化测定参数,建立一种直接测定放线菌素D的电分析测定方法.在0.1～10.0μmol.L-1浓度范围内,放线菌素D与其方波溶出伏安氧化峰电流呈良好的线性关系,相关系数0.9991,检测限1.0×10-8mol.L-1.     

氯丙嗪在离子液体BMIMPF6修饰玻碳电极上的伏安行为

对氯丙嗪(CPZ)在离子液体BMIMPF6修饰玻碳电极(BMIMPF6/GC)上的伏安行为进行了研究.发现CPZ在该修饰电极上于065V左右产生氧化还原峰,峰的可逆性比玻碳电极(GC)有较大改进,其电极过程为吸附控制.在0050 mol/L磷酸缓冲溶液(pH 4)中,CPZ在BMIMPF6/GC上的氧化峰的峰电流约为GC上的2倍.在优化实验条件的基础上,采用微分脉冲伏安法对不同浓度CPZ溶液进行了测定.结果表明,CPZ在BMIMPF6/GC上的氧化峰电流与浓度在56×10-9～30 ×10-5mol/L范围内有线性关系.将此方法用于尿样的测定,其加入回收率为97％左右.用3种电极测定了CPZ的表观扩散系数,其大小为D(BMIMPF6/GC)＞DOMIMBF6/GC)＞D(GC),这与电极表面积变化及膜内扩散有一定关系.     

Ag~＋离子对Pt和PbO_2电极上Mn~（2＋）氧化为Mn~（3＋）过程中Ag

Ａｇ~＋离子对Ｐｔ和ＰｂＯ_２电极上Ｍｎ~（２＋）氧化为Ｍｎ~（３＋）过程中Ａｇ~＋的助催化作用金世雄，王岚，周文峰（南开大学化学系，天津，３０００７１）关键词铂电极，ＰｂＯ_２电极，Ｍｎ~（３＋）离子阳极形成，氧的阳极析出，Ａｇ~＋离子的助催化作用Ｍｎ３＋...     

铝对氮化钼膜电极性能的影响

氮化钼电极;铝对氮化钼膜电极性能的影响;比电容;电化学;循环伏安法;添加剂;电化学性能     

吡啶类碳离子液体电极对酚磺乙胺的电化学行为及其分析应用

用离子液体1-丁基吡啶六氟磷酸盐(BuPyPF6)作为粘合剂构置了碳离子液体修饰电极(BuPyPF6-CILE).在0.05 mol/L H2SO4溶液中,用循环伏安法研究了在BuPyPF6-CILE和传统碳糊电极(TCPE)上酚磺乙胺(ESL)的电化学行为,建立了测定尿样和血清样品中ESL含量的新方法.ESL在BuPyPF6-CILE上的氧化峰电流响应是其在TCPE上的8.7倍,峰电位差降低到0.101 V,电子转移速率常数Ks=0.544 s-1,电极表面平均吸附量为1.66×10-9 mol·cm2.ESL的氧化电流与其浓度在8.0×10-8～2.0×10-6mol/L和5.0×10-6～1.0×10-4mol/L范围内呈线性关系,检出限为3×10-8mol/L(S/N=3).连续5次测定2.0×10-6mol/L ESL溶液的RSD为1.5%.     

硫酸溶液中Ce^3＋离子在PbO2电极上阳极氧化过程动力学

用“分解极化曲线”法研究ＰｂＯ２电极上Ｃｅ＾４＋阳极形成的动力学。测得电位在１．７￣１．９Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ）区域和高于１．９Ｖ区域的Ｏ２和Ｃｅ＾４＋的极化曲线的Ｔａｆｅｌ斜率和两者的动力学方程。推测了ＰｂＯ２电极上Ｃｅ＾４＋形成和Ｏ２析出的机理及两区域内反应机理的差别。所推得的动力学方程均与实验相符。