用原位x射线小角散射研究块体非晶合金Zr55Cu30Al10 Ni5的结构弛豫

应用同步辐射x射线小角散射法在原位对块体非晶合金Zr₅₅Cu₃₀Al ₁₀Ni₅在等温退火过程中的微结构变化进行研究.实验表明：在等温退火过程中电子 密度涨落反映了晶化之前的结构弛豫过程；在一定的退火温度下、随退火时间的增加，拓扑短程序弛豫与化学短程序弛豫之间存在一个电子密度均匀化的过程；导致这两种弛豫过程转变的退火时间与退火温度有关，温度越高，所需的退火时间越短. 关键词： 原位x射线小角散射 块体非晶合金 等温退火 结构弛豫     

非晶态Zr—Si合金的结构弛豫和结晶化形为对超导电性的影响

采用单锟急冷法制备的金属-非金属型非晶态合金 Zr_(877)Si_(12.3)在不同温度下径一小时等温退火处理,超导临界温度 T_c 的测量结果表明,当退火温度远离结晶化温度 T_(cr)时,结构弛豫为一缓慢的过程,与金属-金属型 Zr 基非晶态合金的结构弛豫过程有明显的区别;随着结晶化过程的开始,超导临界温度 T_c 急剧下降.文章认为,超导临界特性的测量可以作为一种研究非晶态超导材料结构弛豫和结晶化过程的有效手段.     

非晶态Cu_(56)Zr_(44)合金的结构及其等温退火晶化过程的研究

利用X射线衍射技术、差示扫描量热分析技术和透射电子显微镜研究了非晶态Cu56 Zr4 4合金的结构及其等温退火条件下的晶化过程 .实验结果表明 ,非晶态Cu56 Zr4 4合金在室温下的短程结构类似于硬球无规密堆积分布 .在70 3K过冷液相区内等温退火时发现 ,当退火时间为 3min时 ,晶化产物主要为Cu8Zr3相 ;当退火时间为 6min时 ,Cu8Zr3相完全消失 ,而Cu1 0 Zr7相大量析出 ;当退火时间达到 3 0min以上时 ,其晶化产物转变为Cu1 0 Zr7,CuZr2 ,Cu8Zr3等多种化合物 .由此提出了非晶态Cu56 Zr4 4合金等温退火晶化过程的扩散机理 .     

块体非晶合金 Zr55Cu30Al10Ni5 结构弛豫的研究

应用同步辐射小角x射线散射和差示扫描量热分析对块体非晶合金Zr55Cu30Al10Ni5结构弛豫进行了研究.实验结果表明:经340℃、不同时间退火后的非晶内部的电子密度涨落随退火时间的延长先增大而后减小;玻璃转变温度附近焓弛豫峰的表观激活能则随退火时间的延长先减小而后增大.结果反映了随退火时间的延长,块体非晶合金内部类液体区不断减少及类固体区不断增加的过程.     

非晶态Zr-Co和Zr-Ni合金的超导临界温度和结构弛豫

测量了非晶态合金Zr_(100-_x)M_x (M=Co,22≤x≤53.4;M=Ni,24.1≤x≤63.8)的超导临界温度T_c和组分的关系,结果显示出很好的规律性。研究了结构弛豫对Zr_(78)Co_(22)和Zr_(75.9)Ni_(24.1)超导性质的影响。在不同温度下作一小时退火的实验结果表明,当退火温度远离结晶化温度Tcr 时,结构弛豫是一极为缓慢的过程;而当临近Tcr时,退火使Tc急剧地下降,发现在250℃下作不同时间的退火时,它们的Tc随退火时间呈对数关系变化。对此,结合Egami和Van Den Beukel等提出的金属玻璃中结构弛豫的动力学作了分析。同时排出:测量超导临界温度等特性也是研究非晶态超导体结构弛豫过程的一种有效手段。     

块体非晶合金Zr55Cu30Al10Ni5 结构弛豫的研究

应用同步辐射小角x射线散射和差示扫描量热分析对块体非晶合金Zr55₅₅Cu 30₃₀Al10₁₀Ni5₅结构弛豫进行了研究.实验结果表 明：经340℃、不同时间退火后的非晶内 部的电子密度涨落随退火时间的延长先增大而后减小；玻璃转变温度附近焓弛豫峰的表观激 活能则随退火时间的延长先减小而后增大.结果反映了随退火时间的延长，块体非晶合金内 部类液体区不断减少及类固体区不断增加的过程. 关键词： 小角x射线散射 块体非晶合金 结构弛豫     

钴镍铁基金属玻璃结构弛豫的X射线研究

本工作在测定了Co_50.7Ni_19.5Fe_7.8Si₆B₁₆和Co_42.9Ni_27.3Fe_7.8Si₈B₁₄两种金属玻璃结构的基础上,进一步研究了不同保温时间的等温退火和不同温度下的等时退火对它们结构的影响,并测定了各退火态样品的小角度X射线散射强度,对其变化作了比较,分析了它们的结构弛豫现象。实验结果表明:结构弛豫可分为两种不同的类型,即拓扑短程序(TSRO)和化学短程序(CSRO)弛豫过程。本工作特别对后一种过程提供了直接的证据。最后还对这两种弛豫的原子过程作了初步的分析,强调了它们的并存和相关性。 关键词：     

非晶态Cu56Zr44合金的结构及其等温退火晶化过程的研究

利用X射线衍射技术、差示扫描量热分析技术和透射电子显微镜研究了非晶态Cu₅₆Zr₄₄合金的结构及其等温退火条件下的晶化过程.实验结果表明,非晶态Cu₅₆Zr₄₄合金在室温下的短程结构类似于硬球无规密堆积分布.在703K过冷液相区内等温退火时发现,当退火时间为3min时,晶化产物主要为Cu₈Zr₃相;当退火时间为6min时,Cu₈Zr₃关键词： 非晶态 56Zr₄₄合金')" href="#">Cu₅₆Zr₄₄合金 结构 等温退火     

热处理中Pr0.5Sr0.5MnO3薄膜的电学性能变化和应力弛豫

我们用脉冲激光法在(001)LaAlO3衬底上制备了Pr0.5Sr0.5MnO3薄膜,在900℃的空气中进行后退火处理,研究了退火前后薄膜的电磁性能和晶格结构变化.随着温度降低原位生长薄膜在低温段电阻率迅速上升,表现为绝缘体性质.磁化强度-温度曲线表明薄膜具有顺磁-铁磁-反铁磁的相变,并且存在相分离现象.相比之下,退火后薄膜随着温度降低只出现了顺磁绝缘体-铁磁金属相变,在低温区域一直表现为铁磁金属性.x光衍射实验发现退火使得薄膜在垂直于衬底表面方向的晶格伸长量明显减小,表明退火过程中发生了应力弛豫.为了搞清楚后退火中氧含量和应力弛豫的不同作用,我们进行了(110)SrTiO3衬底上Pr0.5Sr0.5MnO3薄膜的后退火对比实验,结果表明退火中的应力弛豫是导致退火前后薄膜电磁性质差异的主要原因.     

室温下(Ga,Mn)As中载流子的自旋弛豫特性

运用飞秒时间分辨抽运-探测克尔光谱技术,研究了室温下退火及未退火(Ga,Mn)As的载流子自旋弛豫的激发能量密度依赖性,发现电子自旋弛豫时间随激发能量密度增加而增大,而在同一激发能量密度下,退火样品比未退火样品具有更短的载流子复合时间、电子自旋弛豫时间和更大的克尔转角,显示DP机理是室温下(Ga,Mn)As的电子自旋弛豫的主导机理.退火(Ga,Mn)As的超快克尔增强效应显示其在超高速全光自旋开关方面的潜在应用价值,也为(Ga,Mn)As铁磁性起源的p-d交换机理提供了证据. 关键词： (Ga Mn)As稀磁半导体 时间分辨克尔光谱 电子自旋弛豫 DP机理