三元合金Ga_(0.52)In_(0.48)P的喇曼散射谱

采用室温下微区Raman散射方法 ,观测到了GaInP2 的LO双模行为和禁戒的TO模 ,由于晶格有序导致晶体对称性从Td 降低为C3v,从而使禁戒的TO模变为Raman活性。在所有的样品中都观测到了由晶格无序激活的DALA模。在有序样品中 ,除观测到了二级Raman散射峰LO1+LO2 以外 ,还观测到了由超晶格效应所导致的FLA折叠模和LO模的分裂。对LO模峰谷比b/a的分析表明 ,随着晶格有序度的增加 ,b/a值减小。这是因为 :一方面主要是由于禁戒的TO模变为Raman活性所引起的 ,另一方面 ,还可能有LO1模和LO2 模分裂的贡献。在实验上 ,可以用b/a值或FLA的强度来表示样品的有序度。     

氮化铝结构的高温Raman光谱分析

本文测量了氮化铝在不同温度下的Raman光谱 ,并确定了氮化铝的光学声子模E2 1、A1(TO)、E2 2 、E1(TO)、A1(LO)和E1(LO)Raman散射峰的频率 ,它们分别为 2 5 2cm- 1、6 1 4cm- 1、6 5 8cm- 1、6 72cm- 1、894cm- 1和 91 2cm- 1,其中光学声子模A1(TO)、E2 2 的Raman散射峰比较明显。随着温度的升高 ,A1(TO)、E2 2 散射峰的频率向低波数方向变化 ,表明氮化铝粉末压制体中存在的压应力逐渐减小 ;这两个散射峰的半高宽逐渐增大 ,说明随着温度的升高 ,存在氮原子和铝原子的扩散使得氮化铝粉末压制体中晶体结构逐渐发生变化。由于氮化铝粉末本身在空气中易与水蒸气发生反应 ,生成的Al(OH) 3 或AlOOH在加热过程会发生分解 ,干扰样品高温Raman光谱测量。     

三元合金Ga0.52In0.48P的喇曼散射谱

采用室温下微区Raman散射方法,观测到了GaInP2的LO双模行为和禁戒的TO模,由于晶格有序导致晶体对称性从Td降低为C3v,从而使禁戒的TO模变为Raman活性。在所有的样品中都观测到了由晶格无序激活的DALA模。在有序样品中,除观测到二级Raman散射峰LO1＋LO2以外,还观测到了由超晶格效应所导致的FLA折叠模和LO模的分裂。对LO模峰谷b/a的分析表明,随着晶格有序度的增加,b/a值减小。这是因为：一方面主要是由于禁戒的TO模变为Raman活性所引起的,另一方面,还可能有LO1模和LO2模分裂的贡献。在实验上,可以用b/a值或FLA的强度来表示样品的有序度。     

LPE碲镉汞薄膜的显微Raman谱与显微荧光谱分析

利用Raman显微镜系统对4块用液相外延(LPE)方法在Cd0.96Zn0.04Te衬底上生长的Hg0.8Cd0.2Te外延薄膜样品，在100～5 000cm^-1光谱范围进行测量，在实验曲线中除了观察到与碲镉汞材料晶格振动相符的类．HgTe的光学振动横模(TO1模)和纵模(LO1模)的Raman散射峰、类-CdTe光学振动横模(TO2模)和纵模(LO2模)混合的Raman散射峰以及来源于TO1 LO1的二级Raman散射峰外，在1 000～5 000cm^-1光谱范围首次发现了LPE碲镉汞薄膜的显微荧光峰，该显微荧光的发光范围换算为电子伏特标度为1．34～1．83eV．发光中心位于2750cm^-1即1.62eV，发光峰的半高宽(FWFIM)约为0．25eV。通过分析指出．该显微荧光来源于碲镉汞外延层中阴性离子空位与材料导带底的共振能级的发光。     

离子注入法制备GaN∶Er薄膜的Raman光谱分析

对离子注入法制备的u-,n-和p-GaN∶Er三种类型的薄膜样品进行了Raman光谱分析。Er+注入GaN样品后新出现了293,362和670 cm-1等波数的Raman峰,其中293 cm-1处的Raman峰被指认为无序激活的Raman散射(DARS),362 cm-1和670 cm-1处的Raman峰可能与离子注入后形成的GaN晶格缺陷有关。上述GaN∶Er样品在800℃退火前后的E₂(high)特征峰均向高频方向移动,表明薄膜晶格中均存在着压应力。采用洛伦兹拟合分析了Raman光谱中组成A₁(LO)模式峰的未耦合LO模与等离子体激元耦合模LPP+在不同样品中的出现情况,定性指出了GaN∶Er系列样品中载流子浓度的变化规律。     

包覆燃料颗粒碳化硅层的Raman光谱研究

本文研究了球床高温气冷堆燃料元件中包覆颗粒碳化硅层的Raman光谱. 通过分析不同制备条件下的碳化硅层断面的Raman光谱的峰位、半高全宽与强度, 明确了包覆颗粒中碳化硅层的晶相特征、密度变化和剩余应力等物性.通过分析不同密度碳化硅层一级Raman峰的同步、异步二维相关谱, 发现其LO模较TO模对于密度变化的响应更敏感. 这些结论为研究球床高温气冷堆燃料元件包覆颗粒中碳化硅层的结构及其物性有指导意义.     

P3_121(D_3~4)空间群晶体的Raman谱研究(Ⅰ) 二元系压电晶体用Al_(1—x)Ga_xPO_4的Raman谱

测得了二元系压电晶体磷酸铝镓Al_(1-x)Ga_xPO_4(x=0.12)的Raman谱,与α-ALPO_4晶体的Raman谱相比,声子频率的红移多于蓝移;E类振动的TO和LO模的劈裂明显减少,依据晶格动力学的观点解释了这些特点。     

原位Raman光谱技术应用于铁电陶瓷畴变与电疲劳研究

基于铁电陶瓷材料90°畴变导致Raman光谱变化的原理,自行设计并搭建了铁电材料原位测试分析和数据采集系统,通过与Raman光谱仪的联用,利用特制的样品旋转装置,从实验上证实在外加电场作用下铁电材料中的90°畴变使平均电畴的择优取向发生改变,从而导致Raman光谱强度的变化,利用铁电材料原位测试分析和数据采集系统,实现...     

六方相InGaN外延膜的显微Raman散射

用X射线衍射(XRD)技术和显微Raman散射方法对金属有机化学气相沉积(MOCVD)法生长的六方相In_xGa_1-xN薄膜样品进行了研究，观察到了相分离现象和LO声子-等离子耦合模(LPP⁺)，讨论了In_xGa_1-xN的A₁(LO)模被屏蔽的主要物理机制.同时，对Raman谱中E₂和A₁(TO)声子模进行了分析和讨论.在In_xGa_1-xN样品的低温Raman谱中还观察到单电子跃迁产生的Raman散射信号. 关键词： Raman散射 X射线衍射 相分离 应力 LO声子-等离子耦合     

P3121(D34)空间群晶体的Raman谱研究(Ⅰ)——二元系压电晶体用Al1-xGaxPO4的Raman谱

测得了二元系压电晶体磷酸铝镓Al_1-xGa_xPO₄(x=0.12)的Raman谱,与α-ALPO₄晶体的Raman谱相比,声子频率的红移多于蓝移;E类振动的TO和LO模的劈裂明显减少,依据晶格动力学的观点解释了这些特点。 关键词：     

Resonance Raman study of He+ ion implanted nanostructured ZnS

ZnS nanocrytsals of size ∼2.5 nm were prepared by chemical precipitation technique. Pressed pellets of nanostructured ZnS were implanted with He⁺ ions at doses of 5 × 10¹⁴, 1 × 10¹⁵ and 5 × 10¹⁵ ions/cm². Raman spectra of both unimplanted and He⁺ ion implanted samples were recorded with ultraviolet (UV) excitation. LO, 2LO, 2TO, (LO + TA) and (2TO − TA) modes of ZnS were observed in the resonance Raman spectra of the unimplanted nanostructured ZnS samples. In addition, a surface mode was observed at 294 cm⁻¹. With the implantation of He⁺ ions, the 2TO mode disappeared and 2LO mode became prominent and this observation was attributed to the decrease in band gap of ZnS nanocrytsals due to ion implantation. The exciton–LO phonon coupling strength was determined from the intensity ratio of 2LO to LO modes and it was observed that the exciton–LO phonon coupling strength increases with increase in implantation dose. In the present work, we report for the first time the observation of 2TO mode in the resonance Raman spectrum of nanostructured ZnS and also the modification of exciton–LO phonon coupling strength of semiconductor nanoparticles by ion implantation. Copyright © 2008 John Wiley & Sons, Ltd.     

Optic-mode coupling in ferroelectric gadolinium molybdate

Separate measurements of the A₁(TO) and A₁(LO) Raman spectra of ferroelectric gadolinium molybdate at 80°K and above have elucidated the origin of the anomalous temperature dependence of the two lowest frequency lines in the A₁(TO) spectrum. The observed behavior is postulated to be the result of coupling among modes at 44.5, 51.5, and 83 cm^?1 (at 80°K). The 44.5 and 83 cm^?1 modes become the degenerate, soft zone-boundary modes of the paraelectric phase while the 51.5 cm^?1 mode changes to B₂ symmetry. The two lowest frequency lines are the same as those observed previously in i.r. absorption.     

气相外延GaN的拉曼散射

测量了在蓝宝石衬底上气相外延生长GaN的拉曼散射谱.除观察到已被确认的两个E2,一个A1(TO)和一个E1(TO)声于振动以外,在734±3cm-1处观察到一个散射峰且从实验上确认其为GaN的纵向光学声子模E1(LO).而且发现其强度与外延层晶体质量密切相关.A1(TO)和高频E2散射峰相对强度变化显示不同生长条件引起的外延层质量的变化.     

旋光性单轴晶体的喇曼光谱中TO和LO模的识别

本文提出一种简便识别旋光性单轴晶体喇曼光谱中横模和纵模的方法。应用90°散射几何配置x(z+Δy,xz)y,散射光的偏振方向与x轴成δ夹角。应用Loudon给出的单轴晶体极性声子的喇曼散射效率公式,计算TO和LO模的散射效率,它们依赖于喇曼张量元和δ角,其极大值分别位于δ_max^TO和δ_max^LO处,这两个角度的符号正好相反。因此,由判定δ_max的符号,可以将TO和LO模区分开来,并且从|δ_max|值可以了解喇曼张量的各向异性。 关键词：     

(002)取向AIN薄膜的Raman光谱

（００２）取向ＡＩＮ薄膜的Ｒａｍａｎ光谱赵永年王波何志罗微邹广田（吉林大学超硬材料国家重点实验室长春１３００２３）ＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒａｏｆＡＩＮＦｉｌｍｓＯｒｉｅｎｔｅｄｉｎ（００２）ＺｈａｏＹｏｎｇｎｉａｎ，ＷａｎｇＢｏ，ＨｅＺｈｉ，ＬｕｏＷｅ...     

Dispersion of Raman scattering in CdTe and InP below the absorption edge

TO Raman scattering in CdTe was observed for the first time with incident photon energies less than the band-gap energy. Dispersion of the ratio of LO to TO intensity was measured in CdTe and InP at 80°K with a tunable dye laser. The effects of using high-intensity laser pulses to measure the Raman spectrum are discussed.     

化学计量比LiNbO_3晶体的激光显微拉曼光谱研究

对用助熔剂提拉法生长的近化学计量比LiNbO3晶体进行了激光显微拉曼光谱测试分析 ,与同成分LiNbO3晶体相比较 ,A1 (TO)与E(TO)模的谱线数目、频率基本不变 ,验证了LiNbO3晶体属置换式固溶体的结论 .738cm- 1 处拉曼振动峰 (A1 (LO)模 )的相对强度随晶体中Li2 O含量的增加发生了明显的变化 ,在两种掺杂晶体中 ,此振动峰已经消失 .根据Li空位模型 ,从占位和结构上进行了分析讨论 .在 15 2和 872cm- 1 处拉曼振动峰半高宽随晶体中Li Nb的增大而变窄 ,对二者关系进行了线性拟合 ,利用拟合公式可根据拉曼振动峰半高宽计算晶体中的Li Nb值 .     

化学计量比LiNbO3晶体的激光显微拉曼光谱研究

对用助熔剂提拉法生长的近化学计量比LiNbO3晶体进行了激光显微拉曼光谱测试分析,与同成分LiNbO3晶体相比较,A1(TO)与E(TO)模的谱线数目、频率基本不变,验证了LiNbO3晶体属置换式固溶体的结论.738cm-1处拉曼振动峰（A1(LO)模）的相对强度随晶体中Li2O含量的增加发生了明显的变化,在两种掺杂晶体中,此振动峰已经消失.根据Li空位模型,从占位和结构上进行了分析讨论.在152和872cm-1处拉曼振动峰半高宽随晶体中Li/Nb的增大而变窄,对二者关系进行了线性拟合,利用拟合公式可根据拉曼振动峰半高宽计算晶体中的Li/Nb值. 关键词： 化学计量比 拉曼光谱 线性拟合 半高宽     

Nd∶LiTaO_3背散射组态下的喇曼光谱异常

本文研究了掺钕钽酸锂晶体背散射几何组态下的喇曼光谱，与纯钽酸锂晶体的喇曼光谱相比，发现喇曼谱中不仅有Ｅ（ＬＯ＋ＴＯ）模向Ａ１（ＴＯ）模的转变，而且还有新振动模的出现和部分振动模强度的变化，本文用光折变理论结合掺杂后晶体微观结构的改变对实验结果作了分析和探讨．