电子封装用钢基体外壳除氢研究

钢基体（如10#钢）外壳在混合集成电路中大量使用,该外壳生产时,会接触或产生大量氢气。研究表明,密封电子器件中的氢会导致砷化镓、氮化镓等半导体芯片失效,影响器件长期可靠性。本文研究了电子封装用钢基体外壳内部的氢含量,分析了当前典型制备工艺下氢含量的产生原因,对比了不同镀种外壳的氢含量差异,并讨论了产生差异的原因。针对烧结及镀覆工序展开除氢试验,对经过低温/高温激发的封盖密封外壳,进行了氢含量测试,并获得了氢含量规律。研究结果为外壳制备提供了建议,也为外壳后续使用提供了依据。     

用氢氮混合气替代氢气保护气体的论证

根据应用实例分析比较获取氮氢混合气方法的三种方案，提出用外购氢气和液氮混合制取氮氢混合气的方案具有综合优势。     

晶态半导体中氢的行为

<正> 近年来,氢在晶态半导体中的作用受到愈来愈多的关注,主要是氢或其同位素不仅可以钝化半导体中广泛类别的深能级,还可钝化浅杂质;同时,氢的存在还在半导体中引入与氢有关的缺陷与深能级。另外,氢广泛存在于许多化学试剂及水中,其扩散系数又远大于其它许多杂质,因而氢普遍地存在于半导体之中,对半导体性质产生深刻影响。     

密封可伐外壳的气氛氢逸散行为研究

针对可伐这一重要封装材料的外壳进行了氢逸散行为的研究。对气密性封装内腔的氢来源以及氢的行为机理做了分析,发现可伐基体材料对氢含量的贡献极其重要。电镀及其施加电流是引入氢的一个重要条件,但同时镀层的存在又会大大抑制氢的逸散。     

用镀层孔隙表征外壳耐腐蚀性的方法探讨

介绍了电子器件外壳表面镀层孔隙显色的原理、方法及工艺条件,通过研究电镀层孔隙变色面积与实际盐雾腐蚀面积的关系,建立了用孔隙显色来评价电子器件外壳表面镀层的抗腐蚀性的方法。     

用STM研究HF,O_2和H_2O混合气体对Si(100)表面的作用

用STM观测了Si（100）表面被氧气流携带的HF和H2O处理后的表面原子结构．实验在大气环境和室温条件下进行，所得STM拓扑图具有清晰的原子级的分辨率．结果表明处理后的表面结构随时间发生变化．刚处理后的表面不显示有序的结构特征，但在大气中存放15分钟后，硅片表面开始逐渐呈现出清晰的Si（100）2×1结构，随后再逐渐转变为1×1结构．这可能是混合气体与Si表面作用，能更有效地清除表面残余的沾污物和氧化层，暴露清洁的硅2×1再构表面，进一步由于吸附H，使表面悬挂键被氢原子占据，转变为1×1结构．有序结构可维持3小时，因此用所述混合气体处理硅     

锗低频大功率晶体管烧结工艺中氢-氮保护气体净化系统的改进

众所周知,锗低频大功率管芯是用合金烧结法,在烧结炉中一次烧结同时形成两个pn结(发射结和集电结).保护气体的纯度直接影响到两个pn结的质量.我们用的保护气体为H_2-N_2混合气体,它是由液氨制氢炉把氨分解而成的.化学反应式如下:2NH_3(?)N_2+3H_2这种保护气体由3份氢和1份氮组成,不存在O_2,使用安全经济,得到了广泛的应用.但这种气体中含有少量的水汽和未分解的氨.     

半导体硅片退火后检测工艺的发展探讨

半导体硅片退火工艺对生产硅片具有十分重要的作用,为此,本文加强对硅片的退火技术检测,希望能够控制硅片技术质量。因为自然界当中并不存在单体硅,硅主要以氧化物或者是硅酸盐的形式出现,需要通过提纯与精炼的方式才能够形成硅片。这个过程中硅需要进行退火工艺处理,消除硅片中氧施主的影响,内部缺陷也在这个过程中减少。这个工艺流程是制造半导体硅片的重要环节。退火后的技术检测则是实现硅片生产的最后一个环节,是确保硅片质量的重要基础。本文侧重对半导体硅片退火检测工艺发展情况进行具体阐述。     

半导体激光器的主要失效机理及其与芯片烧结工艺的相关性

分析了GaAs/CaAlAs高功率半导体激光器的暗线缺陷，腔面损伤退化和电极退化等主要失效机理及主要失效模式。通过样品老化试验，从微观物理角度分析了光功率输出下降与芯片烧结工艺相关性，明确了烧结焊料引起PN结短路，烧结空隙，焊料沾污等是导致半导体激光器退化的一个主要因素。     

华润上华访谈记与时俱进,做成熟工艺领域中国主流半导体市场的典范

陈正宇在1965年获得台湾大学电机学士学位,于1970年荣获美国康乃尔大学电机博士,1970-197 3年曾任美国匹兹堡大学电机系助理教授.陈博士在半导体及计算机周边系统已有30年以上的资历,他曾服务于NCR微电子部门以及Fairchild半导体公司.对于半导体的研究发展、制造生产、电路设计,他均有丰富的经验.     

用气相色谱法测定半导体工艺中固、液、气相砷、磷及化合物的新方法

本文研究了一种快速、灵敏、可靠的高温氢还原—气相色谱分析方法，样品不需预处理，使气相色谱仪能直接测定固、液、气相样品中砷、磷及其化合物的含量．砷、磷的检测限分别为0．01mg／L和0．003mg／L．相对偏差分别为6．2％和8．6％，测定范围为10－5～10－11．并与经典方法进行对比，结果一致．     

用挖补圆盘法检测金属与薄层,超薄半导体层的欧姆接触性能

在平面型器件和各种新型微电子器件中，金属与薄层，超薄半导体层的欧姆接触质量直接影响着器件的性能。本文提出了一种挖初圆盘法来检测它们的欧姆接触性能。由电势叠加原理导出了理论公式。此法样品制备简单，无需台面绝缘，由于接触结构的特点，自然免除了侧向电流聚集效应，从而提高了精度。若将接触结构稍加发展，则更为简捷实用。     

T41.8投影副线圈用磁环的烧结工艺探讨

背投电视上的投影副线圈所用T41.8磁环,壁厚只有4 mm,内外径尺寸公差均要求在±0.4 mm之内,在烧结过程中因耐火匣钵与炉膛内气体的导热系数不同,导致磁环在烧结过程中极易变形。为此,笔者在向同行业认真学习的同时,经反复试验,最终发现使用底层复烧法烧出的产品合格率可高达93%~98%。该产品笔者公司的月销售量在5~15万只,按月平均销售量为10万只,合格率按提高12%,每只磁环按1.5元计算,则每月为公司至少增加纯利润1.8万元,且缩短了交货期限,减少了制造费用。1实验1.1普通烧结法普通烧结工艺是将磁环直接放入匣钵内进行烧结,采用此种方法烧出…     

半导体PVD工艺用溅射靶材诞生的故事--余姚"造靶"札记

1 前言 超大规模集成电路制造用的溅射靶材是采用超高纯度金属经特殊加工工艺生产出来的,是最终形成生产半导体必需的配线材料,半导体集成度性能的提升非常依赖于靶材技术的进步;之前,只有美国、日本等少数跨国公司具备大规模制造溅射靶材的能力,目前中国半导体工业用靶材全部依赖进口.然而在2006年1月,却传来一条震憾性的新闻,我国第一条超大规模集成电路制造用溅射靶材生产线在宁波余姚实现了批量产.据了解,这个创造历史的企业是由江丰集团宁波长城精工实业有限公司(简称长城精工)投资的,此项目的诞生与三个海归博士的回国创业也紧密的联系在一起.