粘结剂PTFE对泡沫型氢氧化镍电极电化学性能的影响

用恒电流放电，循环伏安法和电化学阻抗谱（ＥＩＳ）研究了ＰＴＦＥ对泡沫型氢氧化镍电极电化学性能的影响，发现ＰＴＦＥ的存在的增加电极的电化学反应电阻，降低电极反应的可逆性，从而使得电极的放电电位及容量有所降低，所以在制作粘结式电极的过程中应尽量减少粘结剂的用量。     

Co对Ni（OH）2电极中质子扩散行为的研究

本文采用恒电位阶跃，循环伏安及恒电流放电池，考察含Ｃｏ量０％－５３％的Ｎｉ（ＯＨ）２电极充电过程中质子的扩散系数：充电过程该值为１０＾－９－１０＾－１０ｃｍ＾２／ｓ，放电过程则为１０＾－１１ｃｍ＾２／ｓ．数据处理时对文献中有关公式进行了修正。     

纳米氢氧化镍的研制及其电化学性能

采用沉淀转化法制备出纳米氢氧化镍,并对表面活性剂和温度两个因素作了较细致的研究。XRD和TEM测试结果表明：样品为球形或椭球形,直径30－60nm,晶型为β型。将样品掺杂到氢氧化镍电极中可使氢氧化镍利用率提高10％以上。     

钴的添加形式对氢氧化镍电极性能的影响

研究了钴元素分别以Co ,CoO ,Co +CoO三种形式作为添加剂并分别以与Ni(OH) 2 用机械混合的方式添加到电极活性物质中时对镍电极性能的影响 ,用循环伏安法和电化学交流阻抗法对实验结果进行分析 .结果表明 :对于机械混合的添加方式 ,Co ,CoO和Co +CoO三种形式的钴添加剂均可在一定程度上改善镍电极的性能 .其中 ,当钴以CoO的形式添加时镍电极的性能最好 .这是因为三种形式的添加剂均在一定程度上改善了活性物质Ni(OH) 2 的结构、增强了电极中质子的传输能力 ,从而提高了镍电极反应的可逆性 ,强化了镍电极的析氧极化 ,并提高了镍电极的充电效率 ,其中CoO的作用效果最明显 .     

微包覆钴贮氢合金电极电化学性能的研究

以化学镀钴方法微包覆处理贮氢合金,用交流阻抗、循环伏安以及模拟电池充放电实验研究了该贮氢合金电极的电化学性能.结果表明,贮氢合金经包覆钴后,即可减小电极表面的电化学反应阻抗,提高其催化活性,并降低充放电过程的极化,从而增大了电极的放电容量和充电效率.相关的电极过程为扩散控制.     

高活性高密度氢氧化镍的研究

高活性高密度氢氧化镍的研究刘寿长，王文祥，张元珍（郑州大学化学系，河南，４５００５２）氢氧化镍是碱性蓄电池的正极话性材料，被誉为碱性蓄电池的心脏。随着镍金属氢化物新一代碱性蓄电池的迅速发展，对正极材料提出了更高要求。不但要有高的活性，而且要有高的堆积...     

掺锰镍电极电化学性能

采用共沉淀法在一定温度、pH值和搅拌速度下合成了掺锰氢氧化镍活性材料。对合成产品进行了X射线衍射分析和电化学性能分析。XRD分析表明,掺锰氢氧化镍形成了α和β混合相的晶体结构。通过对其进行充放电测试,结果表明,氢氧化镍活性材料中添加适量的锰有利于提高镍电极的电化学性能。研究结果表明,当锰摩尔分数为10%时,镍电极的充电平台最低,析氧平台提高;放电平台较高,在1.2V以上,放电态电阻较小,放电比容量达到243.21mA·h/g;由于添加锰元素可能形成了部分α-Ni(OH)2,使摩尔镍电子转移数较大,接近1。对添加锰的镍电极进行多次循环测试表明其循环性能较好,容量稳定。     

铒对氢氧化镍电极高温充放电性能的影响

覆Co(Ⅲ)球镍具有优良的电化学性能,是镍氢动力电池较理想的活性材料,然而其高温性能仍待提高.本文研究了通过不同方式在覆Co(Ⅲ)球镍中添加铒改善镍电极的高温性能.结果表明,采用机械混合在球镍中添加1%(原子分数)Er2O3以及表面化学沉积方式在球镍表面包覆1%Er(OH)3的电极70℃时1C充/放电效率分别比无添加的电极提高11.7%和12.6%.循环伏安测试表明,铒的添加提高了镍电极在高温下的析氧过电位,明显提高了电极在高温环境下的充电效率.     

混合纳米氢氧化镍的球镍电极材料的电化学活性研究

采用配位沉淀法制备出了Ni(OH)₂样品，经XRD测试为β-Ni(OH)₂，TEM测试结果表明其为平均粒径50nm左右的不规则的颗粒。将所制备的纳米Ni(OH)₂按8wt%的比例在球镍中混合后制成电极，可使正极的比容量提高11%左右。热分析表明，纳米Ni(OH)₂的电化学活性高于球镍的电化学活性。激光拉曼光谱的测试结果说明了8wt%混合后制成的纳米电极确实有较好的放电容量，同时也证实了用拉曼光谱可以表征电极材料的充放电     

水热对纳米氢氧化镍电化学性能的影响

本文采用微乳法制备纳米氢氧化镍,采用X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电镜（TEM）、恒流充放电、循环伏安、交流阻抗等方法研究纳米氢氧化镍的微观结构、表面形貌和电化学性能。实验结果表明：140℃水热和微乳/水热两种方式处理得到的纳米氢氧化镍具有不同形貌特征。水热和微乳/水热处理虽然不影响纳米氢氧化镍的活化性能,但对纳米氢氧化镍的放电比容量影响很大,采用140℃水热和微乳/水热处理比单纯的微乳法制备得到的纳米氢氧化镍的放电比容量分别提高了62.6 mAh/g和112.8 mAh/g。而且,处理后的纳米氢氧化镍的循环伏安峰电流增大、电荷转移电阻由2.633 Ω分别降至2.464 Ω和1.679 Ω。     

碳纳米管负载氢氧化镍修饰电极的制备及应用

采用表面滴涂结合循环伏安法制备了碳纳米管负载氢氧化镍修饰电极(Ni(OH)2/MWNT/CCE)。研究了该修饰电极对葡萄糖的电催化氧化性能。结果表明,该修饰电极对葡萄糖具有良好的电催化氧化活性。在优化条件下,安培法检测葡萄糖的线性范围为2.0×10-7～5.7×10-4 mol.L-1(r=0.999 9,s=2 786.5μA.(mmol.L-1)-1.cm-2)和5.7×10-4～2.7×10-3 mol.L-1(r=0.999 1,s=2 005.2μA.(mmol.L-1)-1.cm-2),检出限(3sb)为8.0×10-8 mol.L-1。该法已成功用于血清中葡萄糖含量的测定。     

掺锰氢氧化镍的结构与电化学性能

采用化学共沉淀法制备了锰取代的氢氧化镍样品，应用XRD技术对不同锰含量样品的相结构进行了表征，并用恒电流充放电、电流脉冲弛豫法和电化学阻抗技术研究了样品的电化学行为. XRD结果显示：锰含量少于20％时，样品主要由β相组成；而当锰含量达到28.3%时，可以得到具有纯α相结构的样品. 电化学研究结果表明：掺锰的氢氧化镍样品具有优良的电化学循环稳定性；锰的掺杂提高了氢氧化镍电极的析氧电位，增大了样品的质子扩散系数； 具有较低锰含量的氢氧化镍样品显示了较大的放电容量和较高的放电电位.     

钴添加剂对发泡式镍电极的作用机理研究

分别以共沉淀和机械混合两种方式于发泡式镍电极引入钴添加剂.X射线衍射(XRD)、循环伏安、电化学阻抗谱(EIS)和恒电流充放电等测试表明,共沉淀引入的钴添加剂会降低氢氧化镍各晶面衍射峰强度并增大其半峰宽.两种方式引入的钴添加剂均能改善镍电极的电化学活性、提高金属氢化物/镍电池容量,而且以机械混合引入的CoO更有效.但由CoO氧化生成的β-CoOOH在低电位下不稳定,经强制性过放电储存后,电池容量出现不可逆衰减.     

N,N—双水杨醛乙二胺合钴—全氟磺酸膜修饰电极的电化学研究

实验发现中性分子Ｎ，Ｎ－双水杨醛乙二胺合钴（Ｃｏ（ｓａｌｅｎ）可以通过简单浸泡进入全氟磺酸（Ｎａｆｉｏｎ）膜，形成具有稳定电化学响应的Ｃｏ（ｓａｌｅｎ）－ｎａｆｉｏｎ修饰电极，Ｘ射线光电子能谱表明，Ｃｏ（Ｓａｌｅｎ）中心钴原子能与Ｎａｆｉｏｎ膜中磺酸根基团形成轴向配位，而使其由＋２价变为＋３价状态，电化学研究表明，Ｃｏ（ｓａｌｅｎ）在Ｎａｆｉｏｎ膜中的电荷转移是电活性物迁移和电子跳适共同控制的，同     

铁氰酸钴膜电极的制备及特性

首次用电化学方法在玻碳基体上制成铁氰酸钻修饰膜电极(CHCF/GC).该电极非常稳定,可经受—1.0～0.9V(vs SCE)连续万次以上的电位扫描.讨论了CHCF膜电极的电荷传递过程,研究了影响CHCF膜电极伏安特性的各种因素和对Fe~(3+)/Fe~(2+)电对的催化作用。     

Co取代Ni(OH)2纳米粉体的制备、表征及电化学性能研究

本文利用固相反应制备了不同取代量的Co取代Ni(OH)2纳米样品。X射线衍射、透射电镜测试结果表明所得样品均为β-Ni（OH）2，粒子呈球形，粒径大小在40nm左右。TG－DTA热分析结果表明，温度高于200℃时，Ni(OH)2开始不可逆的分解为NiO。循环充放电、循环伏安及Tafel极化等电化学测试结果表明适量Co的掺入，降低了电极内阻，提高了电极反应的可逆性，抑制了析氧过程的发生，提高了电极的充电效率，并使其放电容量与循环寿命得到了明显改善。     

马兜铃酸在钴离子注入修饰电极上的电化学行为及其应用

马兜铃酸在 0 .2mol/LHAc -NaAc缓冲溶液 (pH 4.6)中 ,用钴离子注入修饰电极为工作电极进行伏安测定 ,得到一良好的还原峰 ,峰电位为 -0 .71V(vs .SCE) ,峰电流与马兜铃酸的浓度在 1.2× 10 - 7～ 3 .7×10 - 5mol/L之间呈线性关系 ;检出限为 8.6× 10 - 8mol/L。用于人工合成试样的测定 ,结果满意。用线性扫描、循环伏安法研究了体系的性质。结果表明 :马兜铃酸的电极过程是具有吸附性的不可逆过程。用AES和XPS表面分析技术对注入电极表面和未注的玻碳电极表面进行了表征 ,探讨了离子注入电极的催化性质     

四磺酸酞菁钴-DDAB表面活性剂薄膜电极的电化学与电化学催化研究

四磺酸酞菁钴配合物阴离子(CoPcTS_4-)在水溶液中可借助离子交换进入阳离子表面活性剂双十二烷基二甲基溴化铵(DDAB)薄膜,从而形成CoPcTS_4-DDAB薄膜电极.循环伏安法表明,该薄膜电极在pH7.0的空白缓冲溶液中十分稳定,有两对准可逆的还原氧化峰,其中第一对峰的E_pc1=-0.28V,E_pa1=-0.18V(vs.SCE),为中心离子Co(II)Co(I)的还原氧化峰;第二对峰的E_pc2=-1.30V,E_pa2=-1.18V,为酞菁环的还原氧化峰.应用循环伏安法估计了该薄膜体系的电荷传递扩散系数D_ct和表观非均相电极反应速率常数k^o'.CoPcTS_4-DDAB薄膜电极可用于对三氯乙酸(TCA)的电化学催化还原.催化电流与TCA浓度在4×10^-5～1×10^-3molL范围内成线性关系.     

氯霉素在纳米钴修饰玻碳电极上的电化学行为及测定研究

研究了氯霉素在纳米钴修饰玻碳电极上的电化学行为及测定.实验结果表明,在0.3 mol/L NH3-NH4Cl(pH10.0)缓冲溶液中,氯霉素在裸玻碳电极或纳米钴修饰电极上均发生不可逆还原反应,但与裸玻碳电极相比,纳米钴修饰电极对氯霉素的还原具有明显的增敏作用,灵敏度增加约6倍.对支持电解质、修饰剂用量等各种实验条件进行了优化.测得峰电流Ip与氯霉素浓度在5.0×10(-6)～1.2×10(-4)mol/L范围内呈良好的线性关系,相关系数为0.997,检出限为3.0×10(-7)mol/L.利用优化后的条件对氯霉素滴眼液进行了测定,测量值与标示值符合,回收率在98.7%～102.2%.