Untersuchungen in den Dreistoffen: Cr−W−Si und Mo−W−Si

Zusammenfassung Der Schnitt: Me₃Si (Me=Cr, W bzw. Mo, W) wird an Hand heißgepreßter und in Argon homogenisierter Legierungen untersucht; es läßt sich weder das metastabile W₃Si, noch eine W-reiche Mischphase von diesem Typ beobachten. Cr₃Si nimmt bei 1500°C etwa 20 Mol%, W₃Si auf, während Mo₃Si selbst bei 1900°C praktisch kein W₃Si löst (ev. wenige Mol%). Dagegen bestehen lückenlose Mischreihen zwischen den Me₅Si₃-Phasen mit W₅Si₃-Typ. Die grundsätzliche Aufteilung der Phasenfelder ist damit möglich.Mit 2 Abbildungen     

Kristallchemische Untersuchungen in den Systemen Mn−As,V−Sb,Ti−Sb

Zusammenfassung Im System Mn–As wurde die Struktur der Phase Mn₃As bestimmt. Sie kristallisiert in einem eigenen Typ, der eng in Beziehung zum Gitter von Mn₂As steht. Die Elementarzelle von Mn₃As ist pseudotetragonal orthorhombisch mit den Achsen:a=b=3,780 undc=16,2₆ k X·E. Im charakteristischen Raumsystem D_2h ¹³ werden die Parameter ermittelt. Auf die strukturellen Zusammenhänge zwischen der Zelle von -Mn, Mn₃As und Mn₂As wird hingewiesen; die Bauprinzipien bei solehen Gittern werden erörtert.Im System V–Sb wurde die zu TiSb₂ isotype Verbindung VSb₂ mit C 16-Struktur gefunden. Überraschend ist die hohe Dichte dieser Kristallarten. Die Achsen der Elementarzelle sind:a=6,54₂ undc=5,62₄ k X·E. Der Bereich der C 16-Strukturen erfährt damit bezüglich desB_Partners eine Erweiterung. Die sich daraus ergebenden Folgerungen werden besprochen.Im System Ti–Sb wird das Bestehen der Phase Ti₄Sb nachgewiesen, die gemäß einer Formulierung Ti₃(Ti_0,2Sb_0,8) im DO₁₉-Typ kristallisiert.Mit 2 Abbildungen     

Untersuchungen im Dreistoff: Mn−Al−Si

Zusammenfassung Mn–Al–Si-Legierungen werden aus den Komponenten hergestellt und röntgenographisch untersucht. Es werden vier neue Verbindungen festgestellt und zwei davon kristallchemisch charakterisiert.MnAl_0,75Si_1,25 kristallisiert im CrSi₂-Typ:a=4,47₅ Å,c=6,42₇ Å,c/a=1,43₆; MnAl_1,3Si_0,7 im TiSi₂-Typ:a=7,88₉ Å,b=4,57₀ Å,c=8,50₆ Å.Mit 2 Abbildungen     

Isomerization of B6, B6 − and B6 + clusters

The interconversions between isomers with the same spin multiplicity of neutral B₆ and charged B₆ ^? and B₆ ⁺ clusters have been investigated at the B3LYP/6-311+G* level of theory, including determination of the minimum energy pathways with transition states connecting the corresponding reactants and products. In dynamic calculations, 26 isomers were optimized, including 11 novel isomers. In order to further refine the energies, single-point B3LYP/6-311+G(3df) calculations were carried out on the corresponding B3LYP/6-311+G* geometries of all isomers of B₆, B₆ ^? and B₆ ⁺ and the corresponding isomerization transition states. The stability of each isomer of B₆ (singlet and triplet states), B₆ ^? (doublet state) and B₆ ⁺ (doublet state) was analyzed from both thermodynamic and dynamic viewpoints.     

Untersuchungen im System V−As

Zusammenfassung Im System V–As konnten bisher mit Sicherheit die Phasen VAs und V₃As nachgewiesen werden. Daneben bestehen Kristallarten nahe der Zusammensetzung V₂As. Die Verbindung VAs kristallisiert imB 31-Typ mit den Gitterkonstanten:a=6,304k X · E,b=5,867kX · E undc=3,327k X · E, während die Verbindung V₃As mit derA 15-Struktur:a= 4,74k X · E isotyp ist.Herrn Prof. Dr.A. Klemenc zum 70. Geburtstage zugeeignet.     

Magnetische Messungen an den Teilsystemen TiC−ZrC,TiC−HfC,ZrC−HfC,TiC−VC,TiC−NbC,TiC−TaC und NbC−TaC

Ohne ZusammenfassungMit 3 Abbildungen     

Metal-Free Intermolecular C−H Borylation of N-Heterocycles at B−B Multiple Bonds

Carbene-stabilized diborynes of the form LBBL (L=N-heterocyclic carbene (NHC) or cyclic alkyl(amino)carbene (CAAC)) induce rapid, high yielding, intermolecular ortho-C−H borylation at N-heterocycles at room temperature. A simple pyridyldiborene is formed when an NHC-stabilized diboryne is combined with pyridine, while a CAAC-stabilized diboryne leads to activation of two pyridine molecules to give a tricyclic alkylideneborane, which can be forced to undergo a further H-shift resulting in a zwitterionic, doubly benzo-fused 1,3,2,5-diazadiborinine by heating. Use of the extended N-heteroaromatic quinoline leads to a borylmethyleneborane under mild conditions via an unprecedented boron-carbon exchange process.     

Untersuchungen in den Dreistoffsystemen: V—Al—Si,Nb—Al—Si,Cr—Al—Si,Mo—Al—Si bzw. Cr(Mo)—Al—Si

Zusammenfassung Legierungen vom Typ: Me–Al–Si (Me=V, Nb, Cr, Mo) werdenzum Teil durch Kaltpressen und Reaktion bei 1200°C bzw. durch Heißpressen und Nachverdichten hergestellt. Eine röntgenographische Untersuchung an den homogenisierten Proben zeigt im Schnitt: VSi₂-VAl(2) einen Austausch von Si durch Al im Disilicid bis etwa 1/3. In der T 1-Phase erfolgt fast kein Ersatz. Es wird mindestens eine ternäre Kristallart beobachtet. Die Aufteilung der Phasenfelder im System: Nb–Al–Si wird vollständig ermittelt. Die Bereiche der -Phase, von T 1 und T 2 sowie der Phase Nb(Al, Si)₂ mit C 54-Typ werden einschließlich der Gitterparameter bestimmt. Der Dreistoff: Cr–Al–Si ist im hochschmelzenden Teil durch ausgedehnte Gebiete der Mischphasen vom A 15-, T 1- und C 40-Typ gekennzeichnet. Die Ersetzbarkeit von Si durch Al in CrSi₂ geht über die vonK. Robinson ¹ angegebene Zusammensetzung noch hinaus. Im System: Mo–Al–Si wird der Bereich der neu aufgefundenen Kristallart mit C 54-Typ festgelegt, womit sich eine Aufteilung der Phasenfelder im gesamten hochschmelzenden Gebiet angeben läßt.An Schnitten im Vierstoff: Cr–Mo–Al–Si wird der lückenlose Übergang Cr₅Si₃–Mo₅Si₃ (T 1) zunächst nachgewiesen. Bei einem Verhältnis Al/Si=1 gehen Cr₃ (Al, Si) und Mo₃ (Al, Si) vollständig ineinander über. In der Mischreihe Cr₅Si₃–Mo₅Si₃ läßt sich ebenfalls Si durch Al in merklichem Maß ersetzen. Die Mischbarkeit im C 40-Typ wird ausführlich studiert; es bildet sich ein weiter Bereich (Cr, Mo) (Al, Si)₂. Legierungen aus den untersuchten Systemen stellen potentielle Träger von zunderfesten Materialien dar.Mit 7 Abbildungen     

Novel red-emitting phosphors, (Mg(1−x−y)MnxDyy)Al2Si2O8 and (Mg(1−x−y)MnxTmy)Al2Si2O8

Mn⁴⁺ doped and Dy³⁺, Tm³⁺ co-doped MgAl₂Si₂O₈-based phosphors were prepared by conventional solid state reaction at 1,300 °C. They were characterized by thermogravimetry, differential thermal analysis, X-ray powder diffraction, photoluminescence, and scanning electron microscopy. The luminescence mechanism of the phosphors, which showed broad red emission bands in the range of 600–715 nm and had a different maximum intensity when activated by UV illumination, was discussed. Such a red emission can be attributed to the ²E → ⁴A₂ transitions of Mn⁴⁺.     

Transition Metal-Free Aromatic C−H,C−N,C−S and C−O Borylation

Aromatic organoboron compounds are highly valuable building blocks in organic chemistry. They were mainly synthesized through aromatic C−H and C−Het borylation, in which transition metal-catalysis dominate. In the past decade, with increasing attention to sustainable chemistry, numerous transition metal-free C−H and C−Het borylation transformations have been developed and emerged as efficient methods towards the synthesis of aromatic organoboron compounds. This account mainly focuses on recent advances in transition metal-free aromatic C−H, C−N, C−S, and C−O borylation transformations and provides insights to where further developments are required.     

Magnetic structure of Fe−Si−Al films implanted with Al and N ions

Changes in the magnetic structure of Fe–Si–Al films due to Al and N ion implantation were studied by⁵⁷Fe Conversion Electron Mössbauer Spectrometry (CEMS). The peaks of the magnetic sextets due to the crystalline films became broader by implantation with 5×10¹⁶ Al/cm², suggesting the formation of amorphous phases. In the CEM spectrum of one sample with large grains implanted with 1×10¹⁷ Al/cm² a crystalline -Fe phase appeared. N implantation with the same dose did not amorphize the sample but the components with high magnetic hyperfine fields were enhanced.     

Synthesis, IR spectra, and solid-state luminescence of triphenylguanidinium salts with the anions B10H 10 2− , B12H 12 2− , B9C2H 12 2− , [Co(C2B9H11)2]−, and [Ni(C2B9H11)2]−

Triphenylguanidinium Ph₃GH⁺ salts with the anions B₁₀H ₁₀ ^2? , B₁₂H ₁₂ ^2? , B₉C₂H ₁₂ ^2? , [Co(C₂B₉H₁₁)₂]^?, and [Ni(C₂B₉H₁₁)₂]^? were synthesized and described by DTA, IR spectroscopy, and solid-state luminescence. By IR spectroscopy, it was shown that intermolecular interactions involving the NH groups of the cation are enhanced in the sequence [Co(C₂B₉H₁₁)₂]^? ～ [Ni(C₂B₉H₁₁)₂]^? < B₉C₂H ₁₂ ^2? < B₁₂H ₁₂ ^2? < B₁₀H ₁₀ ^2? .     

Point-defect associated thermionic hole emissions from p-type Si/Si 1 − x Ge x /Si quantum well structures

The thermionic hole emissions from a p-type Si_0.67Ge_0.33 quantum well with a width of 7 nm and a point defect were investigated using deep level transient spectroscopy. An activation energy of 0.22 eV from the quantum well is consistent with the heavy hole level from the bottom of the well. The defect-related band with an energy of 0.30 eV originated from the space charge related to the point defect in the vicinity of the quantum well heterostructure. The origin of the point-defect-related band was confirmed by photoluminescence and the deep level was further clarified by using capacitance-voltage measurements and simulation by introducing a simple model of an interfacial hole trap center. The deep hole trap center apparently disappeared by an annealing effect, indicating that point defects are subject to thermal annealing. The microscopic measurement provides evidence on point defects in the quantum well structure and the thermal annealing also enhances the thermionic hole emission from the quantum well structure. Received: 22 August 1998 /Accepted: 15 February 1999     

Copper-Catalyzed Highly Enantioselective Addition of a Silicon Nucleophile to 3-Substituted 2H-Azirines Using an Si−B Reagent

3-Substituted 2H-azirines can be considered strained cyclic ketimines, and highly enantioselective addition reactions of silicon nucleophiles to either acyclic or cyclic ketimines have been elusive so far. The present work closes this gap for those azirines by means of a copper-catalyzed silylation using a silyl boronic ester as a latent silicon nucleophile. The resulting C-silylated, unprotected (N−H) aziridines are obtained in high yields and with excellent enantioselectivities and can be further converted into valuable compounds with hardly any erosion of the enantiomeric excess.     

Neutral and Anionic Diboron Compounds Bearing Electron-Precise B−B Bond

Electron-precise B−B bonded compounds are valuable reagents in organic syntheses, which can be used as key starting material for the synthesis of functionalized organoboranes. Bis(pinacolato)diborane(4) B₂pin₂ and its derivatives are among the most studied diboron species. However, their B−B bonds usually need to be activated by transition metal catalysts or bases for further transformations. Recently, many well-designed/reactive electron-precise B−B bonded compounds have been developed, which could facilitate direct reactions with small molecules, unsaturated substrates, and electrophiles. This review highlights the synthesis, structure, and reactivity of neutral and anionic B−B bonded compounds.     

Rubidium-cationic conductivity of Rb2−2x Ga2−x A x O4 (A = P, V, Nb, Ta) solid electrolytes

Solid solutions based on rubidium monogallate RbGaO₂ with a general formula Rb_2?2x Ga_2?x A _x O₄ (A = P, V, Nb, and Ta) are synthesized. Their crystal structure and temperature and concentration dependences of conductivity are studied. The highest rubidium-cationic conductivity is (1.8–3.9) × 10^?3 S cm^?1 at 400°C and (1.4–2.1) × 10^?2 S cm^?1 at 700°C. These results are compared with the data for rubidium monogallate doped with four-charged cations and solid solutions based on RbAlO₂.     

Radiation damage in Si1−x Ge x heteroepitaxial devices

Results are presented of an extended study on the induced lattice defects and their effects on the degradation of Si_1−x Ge _x devices, subjected to a 20 MeV alpha-ray, 1 MeV electron, 1 MeV fast neutron, and 20 and 86 MeV proton irradiations. The degradation of the electrical device performance increase with increasing fluence, while it decreases with increasing germanium content. In the Si_1−x Ge _x epitaxial layers, electron capture levels associated with an interstitial-substitutional boron complex are induced. The radiation source dependence of performance degradation is attributed to the difference of mass and the probability of nuclear collision for the formation of lattice defects.     

Untersuchungen im Dreistoff: Ni−Al−Si sowie von Mono- und Disilicidsystemen einiger Übergangsmetalle

Zusammenfassung An Hand von Schmelzproben wird das Mischungsverhalten einiger Disilicidpaare (V, Cr, Mn, Fe, Co und Ni) festgestellt. VSi₂–CrSi₂ bilden eine lückenlose Mischreihe; CrSi₂ löst rund 25 Molproz. MnSi₂; in etwa gleichem Ausmaße lösen einander MnSi₂ und FeSi₂. Alle übrigen Paare: CrSi₂–FeSi₂, –CoSi₂ bzw.–NiSi₂ und MnSi₂–CoSi₂ bzw.–NiSi₂ zeigen nur geringe Mischbarkeit. Auch die Löslichkeit von CrSi₂ in MnSi₂ ist nicht ausgeprägt.Im Dreistoff Ni–Al–Si werden die ternären Kristallarten Ni(Al_0,5Si_0,5) mit FeSi-Typ (a=4,52₈ kX·E.) und Ni₃ (Al, Si)₇ mit Ir₃Ge₇-Type (a=8,27₄ kX·E.) aufgefunden. Der weitgehende Übergang von NiAl nach NiSi₂ wird vom Standpunkt der Strukturverwandtschaft diskutiert. Auch in der Phase Ni₂Al₃ erfolgt ein merklicher Austausch Al/Si.Mit 2 Abbildungen     

电感耦合等离子体原子发射光谱法测定镍基钎料中Cr,Si,B,Fe

建立了电感耦合等离子体原子发射光谱法测定镍基钎料中Cr,Si,B,Fe含量的新方法。以硝酸–氢氟酸溶解样品,分别选择267.716,288.158,249.677,259.940 nm作为分析谱线,不用进行基体匹配,可直接测定镍基钎料中Cr,Si,B,Fe含量。在优化的实验条件下,测定结果的相对标准偏差为0.71%~1.43%(n=11),加标回收率为97.0%~102.0%。该方法可满足日常分析对镍基钎料中Cr,Si,B,Fe含量的检测要求。