光刻胶处理系统的国内外现状

光刻胶处理技术及其在半导体器件和集成电路制造中的应用是过去10年半导体微细加工领域中最引人注目的研究课题之一。本文综述了光刻胶处理系统的基本原理、特点和处理技术,重点介绍了系统的国内外研制现状,最后对系统的发展趋势进行了探讨。     

国内外光刻胶处理装置的发展概况

本文以亚微米工艺的批量生产为目的,对匀胶/显影机及有关光刻胶处理系统的一些设备的国内外的概况做一综述。     

纳米压印光刻胶

光刻胶是纳米压印的关键材料,其性能将影响压印图形复制精度、图形缺陷率和图形向底材转移时刻蚀选择性。提出了成膜性能、硬度黏度、固化速度、界面性质和抗刻蚀能力等压印光刻胶的性能指标。并根据工艺特点和材料成分对光刻胶分类,介绍了热压印光刻胶、紫外压印光刻胶、步进压印式光刻胶和滚动压印式光刻胶的特点以及碳氧类纯有机材料、有机氟材料、有机硅材料做压印光刻胶的优缺点。列举了热压印、紫外压印、步进压印工艺中具有代表性的光刻胶实例,详细分析了其配方中各组分的比例和作用。介绍了可降解光刻胶的原理。展望了压印光刻胶的发展趋势。     

光刻胶材料的研究进展

简单介绍了光刻胶的组成部分,综述了近年来国内外光刻胶成膜树脂合成、开发的研究进展,并根据不同曝光波长所需的不同光刻胶(包括紫外(UV)光刻胶、深紫外光刻胶、极紫外光刻胶等)进行了介绍。重点介绍了各光源下分子量和分子量分散指数对光致抗蚀剂的影响,并对国内外研究中通过不同聚合工艺制备的不同分子量光致抗蚀剂性能进行了评述,总结了近年来含有特定化学结构的光致抗蚀剂以及其制备工艺的研究进展。最后对国内外光刻胶的发展和应用进行了展望,指出进一步提高光刻胶的分辨率、改善其综合性能是今后的研究重点。     

光刻胶对等离子腐蚀的影响

为了揭示光刻胶在氯化物等离子体中所起的作用,研究了具有不同光刻胶敷层的多晶硅和二氧化硅的腐蚀特性。二氧化硅的腐蚀速率随片子上光刻胶的减少而下降。虽然多晶硅的额定腐蚀速率对光刻胶敷层不敏感,但是二氧化硅掩蔽的多晶硅图形的腐蚀速率要比光刻胶掩蔽的高。推测由于光刻胶腐蚀产生的氯化碳物质是产生这些特性的原因。此外,我们发现,如果采用不受腐蚀的掩膜,那么在用氟化物等离子体腐蚀多晶硅时就有工种负载效应,但是光刻胶存在则抑制这种效应。     

基于光刻胶回流特性的平面化工艺

研究了一种利用光刻胶的回流特性去除表面的磨痕，使其表面平整化的方法，结合牺牲层结构可以非常简便地制备出微机电器件中各种悬臂梁结构。着重研究了光刻胶的前烘胶温度、回流温度、回流时间对回流效果的影响。通过大量的实验得到了较好的回流工艺，即光刻胶90℃下60min前烘后，并在90℃下回流60min，不但能通过机械抛光准确控制减薄厚度，而且还可以完全除去其表面的磨痕，获得平滑的表面结构。     

全球光刻胶产业现状及布局

随着5G、智能家居、物联网、增强现实（VR）/虚拟现实（AR）等新兴领域应用的发展,对半导体芯片、显示面板、印刷电路板（PCB）等的需求也逐渐提升,对应领域产业链中的上游光刻胶是制造中的关键材料,也是保证产品和技术顺利变革发展的重要支撑。光刻胶主要用于光刻过程中的图形转移,其分辨率、对比度等技术指标直接影响最终产品质量。本文对光刻胶进行了系统性介绍,包括组分、制造流程、评价指标和分类等,同时分析了当下光刻胶市场和竞争格局情况,并对其产业未来的发展趋势进行了预测和判断。     

正性光刻胶的噪声抑制

本文从偏振光干涉和正性光刻胶版的电子显微照片的分析中找到了噪声的源泉和提出了解决办法，有较大的实用价值。     

光刻胶处理系统

<正>半导体集成电路的大容量和高密度化异常惊人,以存储器为例,1M位的DRAM已经批量生产,而4M位的DRAM也有试制品发表。光刻技术是这些产品图形微细加工的关键之一。生产高密度器件要有高的成品率,就要提高膜和线宽的均匀性及无尘化等,所以要求改进光刻胶处理装置。在此介绍光刻胶处理装置近况并叙述今后发展的有关动向。     

LCD光刻胶涂布质量浅析

通过对液晶显示器制造过程中的关键工序---光刻胶涂布工艺、原理进行分析,对光刻胶涂布设备参数进行调整等,为生产LCD提高合格率提供参考。     

国内外卫星移动通信系统发展现状综述

卫星移动通信系统凭借其独有的优势,在商业和军事领域得到越来越多的应用。随着科学技术的不断发展进步,卫星移动通信系统历经几代更迭,随着第五代国际海事卫星系统的应用以及新一代星座卫星移动通信系统的崛起,构建天地一体化网络将是未来通信领域发展的必然趋势。文章在对国内外卫星通信系统发展情况进行梳理的基础上,着重对第五代国际海事卫星系统、美国OneWeb公司、SpaceX公司和波音公司的新一代星座卫星通信系统,以及我国自主研发的天通一号虹云工程和鸿雁星座卫星移动通信系统进行综述,对卫星移动通信系统领域的研究有一定的借鉴和参考价值。     

基于光刻胶热熔法的全息光栅表面粗糙度平滑处理

根据表面热动力学原理提出了一种成本低廉、制作周期短、易于实现的光刻胶热熔法,阐述了光刻胶热熔法的基本原理,探讨了光刻胶热熔对光刻胶光栅表面刻槽形状的影响。实验中,分别对经过和未经过热熔处理的光刻胶光栅做了离子束刻蚀。结果表明,利用表面张力作用可使熔融状态下的光刻胶光栅刻槽表面变得平滑,粗糙度降低,并且成功地在K9玻璃基底上得到了槽形较好的全息光栅。     

ViPR^TM全湿法、无灰化光刻胶剥离工艺——ZETA^R G3系统的应用之一

动机及ViPR工艺概况 近期，业界在减少制造过程中晶圆表面硅和氧化硅的损耗总量方面已经做出了较大的努力，硅在工艺中的损耗可能会导致器件电气性能的下降，如图[1]。同样也已验证，灰化处理会造成晶圆表面的氧化和无序化，并且会导致在灰化后清洗（PAC）工艺中硅和氧化硅材料的损耗增加[2，3]。除了在PAC过程中降低化学试剂的温度外，     

军用车载定位导航系统发展及应用现状

现代战争形式已经从机械化战争逐步走向一体化联合作战,对于以装甲车辆为主的地面作战单位来说,高精度定位导航系统的应用将对作战单位的机动性以及其协同作战能力都将产生至关重要的作用。本文首先介绍了车载定位导航系统中常用导航系统的发展现状,并对各导航系统的优势、劣势进行了分析,最后对国内外战车导航系统的应用现状进行了介绍,并对战车导航系统未来的发展趋势进行了预测。