音强斜率特性区别同卵双胞胎语音的实验研究*

为了寻找司法话者识别中区别同卵双胞胎语音的有效参量,该文利用音节音强的斜率特性对同卵双胞胎语音进行了实验研究。结果发现,在90%的置信度下,所有实验的双胞胎语音均能够被音节音强斜率予以区别,并且音强下降斜率的区别力明显高于音强上升斜率的区别力。因此得出结论,音节音强的斜率特性具有比音节间相对音强与相对时长二者联合检验更强的区别力,可以作为区别同卵双胞胎语音的有效参量。     

硅衬底氮化镓基LED薄膜转移至柔性黏结层基板后其应力及发光性能变化的研究

本文将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜转移至含有柔性黏结层的基板上, 获得了不受衬底和支撑基板束缚的LED薄膜. 利用高分辨率X射线衍射仪(HRXRD)研究了薄膜转移前后的应力变化, 同时对其光致发光(PL)光谱的特性进行了研究. 结果表明: 硅衬底GaN基LED薄膜转移至柔性基板后, GaN受到的应力会由转移前巨大的张应力变为转移后微小的压应力, InGaN/GaN量子阱受到的压应力则增大; 尽管LED薄膜室温无损转移至柔性基板其InGaN阱层的In组分不会改变, 然而按照HRXRD倒易空间图谱通用计算方法会得出平均铟组发生了变化; GaN基LED薄膜从外延片转移至柔性基板时其PL谱会发生明显红移.