用低能弱γ源测量电子对的近阈产生截面

用2.7μCi的⁶⁰Co弱γ源和NaI(Tl)与Ge(Li)双探测器符合测量方法,测量了Al,Zn,Sn,Pb四种样品的电子对产生绝对截面。测量结果与前人用很强γ源得到的结果相符合,并验证了在近阈条件下,对产生截面满足Jaeger关系式:σ_pair=(Z²+aZ⁴)σ₀,求得对⁶⁰Co源γ光子,α=(1.51±0.23)×10^-4,σ_{0关键词：}     

分子近阈结构的理论研究

本文利用多重散射方法研究了分子的近阈结构,阐明了:1)激发电子与分子离子实的相互作用动力学特征;2)势形共振的物理起源。并与实验比较,标识了NO₂内壳层激发的实验谱。 关键词：     

共振简并双光子激光近阈行为的理论研究

采用量子理论讨论共振简并双光子激光的小偏谐近阈行为，在一定条件下，系统能够呈现无反转激光，在另一条件下，系统则以于现无激光反转。     

低能电子离化氢原子的三重微分截面

运用修正后的BBK理论计算了入射能近阈值的情况下(E0=30、25、20、17.6和15.6 eV),共面等能、两个出射电子相对角取不同固定值时电子入射离化氢原子的三重微分截面(TDCS),所得结果与实验进行比较,符合较好.指出:对3C波函数进行索末菲参量的修正是成功的,这一修正使得BBK模型也能对入射能近阈值的低能(e,2e)过程给出很好的描述.     

一种测量吸附分子列向的方法——利用近阈结构谱和选择定则

局域分子轨道不易受环境影响,因此当分子被吸附且未被破坏时,跃迁到局域分子轨道产生的近阈结构谱基本不受环境影响.对于固定列向的吸附分子,当用偏振X射线测量其近阈结构谱时,相对强度将与偏振方向和分子列向有关.根据这一特性,基于选择定则可以判断吸附分子的列向. 关键词： 量子数亏损理论 近阈结构 选择定则 分子列向     

低能质子引起的金LX射线相对产生截面

对于能量为０．５－１ＭｅＶ的入射质子，在计算中采用ＡｕＬ１次壳层荧光产额的实验值代替相应的Ｄｉｒａｃ－Ｈａｒｔｒｅｅ－Ｓｌａｔｅｒ值时，使用ＲＰＷＢＡ－ＢＣ（经结合能和库仑歪曲修正的相对论平面波玻恩近似）电离截面计算得到的金原子ＬＸ射线相对产生截面与测量值相符。以前报道的对ＲＰＷＢＡ－ＢＣ截面的各种修正都是不需要的     

低能电子与氩原子散射总截面的绝对测量

利用电子散射飞行时间谱仪，测量了１—５０ｅＶ能量范围的电子与氩原子散射绝对总截面（ＴＣＳ），测量精度达到５％。实验结果与同类实验和近期的理论结果进行了比较，在实验误差范围内符合得较好。     

单能中子源中低能成份对活化截面测量的影响

对用单能中子源作活化截面测量时低能中子干扰的影响作了分析研究,并从测量的两种常用中子源T(d,n)⁴He和D(d,n)³He的中子源能谱中验证了这种定性分析.最后给出了两个比较典型的反应⁵⁸Ni(n,P)⁵⁸Co和⁶⁴Zn(,P)⁶⁴Cu反应的截面测量结果.     

低能He—H2（D2,T2）碰撞分波截面的计算

采用Ｔａｎｇ－Ｔｏｅｎｎｅｓ势模型，当入射氨原子能量是Ｅ＝０．０５ｅＶ，计算了Ｈｅ－Ｈｅ－Ｈ２（Ｄ２，Ｔ２）弹性分波截面和非弹性激发分波截面随量子数的变化。     

L3实验单W产生截面及反常耦合常数的测量

使用1996和1997年在L3探测器上获得的数据,对单W粒子产生过程e⁺e^－→e^－ν_eW⁺和e⁺e^－→e⁺νe W^－的反应截面做出了测量,并根据测量结果给出WWγ三玻色子耦合的反常耦合常数为:－0.65<△κ_γ,<0.82,－1.37<λ_γ<0.92.实验结果在误差范围内是与标准模型的理论值一致的,没有发现反常耦合常数存在的迹象.     

用电流源法测量非线性元件的伏安特性

本文报导了一种新的用于测量非线性元件伏安特性的实验电路，该电路采用的是以电流为信号变量的电流模式测量电路，并分析与比较了该电路与传统的以电压作为信号变量的电压模式测量电路的不同．     

采用薄靶方法测量低能电子致Al,Ti,Cu,Ag,Au元素K壳层电离截面与L壳层特征X射线产生截面

使用5—27 keV能量范围内的单能电子束轰击薄碳衬底上的薄Al (Z=13),Ti (Z=22),Cu (Z=29),Ag (Z=47),Au(Z=79)靶,使用硅漂移型探测器(SDD)收集产生的特征X射线,测量了Al,Ti,Cu的K壳层电离截面以及Cu,Ag和Au的L壳层特征X射线的产生截面,并且使用蒙特卡罗PENELOPE程序对实验结果进行了修正.本文给出了Cu的L壳层特征X射线产生截面.与半相对论扭曲波玻恩近似(semi-relativistic distorted-wave Born approximation,DWBA)理论值相比,本文的大多数实验值在7%的范围内与理论值符合.研究表明,中重元素的L壳电离截面的理论计算以及相应的原子参数有待更精确的确定.     

近垒及垒下12C+93Nb的蒸发剩余核截面

使用离线γ测量技术在实验室系28.3MeV至45.7MeV的能区首次测量了¹²C+⁹³Nb反应产生的8个核素及同质异能态的激发函数.使用包括非弹性激发和α转移道的简单耦合道模型,结合统计蒸发程序对实验结果进行拟合.计算结果能较好地重现强截面的中子蒸发道(xn)的激发函数.而对于弱的质子(xpyn)特别是α粒子(xαyn)蒸发道的截面,实验测量明显高于模型计算结果.α转移道与入射道耦合作为熔合反应的门庭态使垒下能区重离子熔合截面有很大的加强,实验测量与理论计算的比较表明对于¹²C+⁹³Nb反应系统在垒下能区可能存在着很强的α转移截面.     

基于Ⅱ类周期极化铌酸锂波导的通信波段小型化频率纠缠源产生及其量子特性测量

自发参量下转换过程制备的纠缠光源在量子光学及其相关领域有着广泛的应用.本文利用780 nm的分布式布拉格反射镜激光二极管抽运一块长10 mm的Ⅱ类准相位匹配的周期极化铌酸锂波导,产生了偏振正交的频率反关联纠缠光子对.通过实验结果与理论的完美结合得到,当进入波导的抽运光功率为44.9 mW时,下转换双光子对的产生速率为1.87×10~7s~(-1).利用单色仪对下转换光子的频谱进行分析,得到信号和闲置光子的中心波长分别为1561.43 nm和1561.45 nm,频谱宽度为3.62 nm和3.60 nm,双光子符合包络宽度约为3.18 nm,可以得到双光子的频率纠缠度为1.131.00,表征了双光子的频率纠缠特性.利用Hong-Ou-Mandel干涉仪测量双光子的二阶量子干涉特性,测得的干涉可见度为96.1%,干涉图谱的凹陷宽度为1.47 ps.