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利用透射电子显微镜对Ni67Zr33非晶合金晶化的研究发现了两个新的亚稳相T0与T10。其中T1相为体心正交(准四方〕晶体,点阵常数a≌b=0.89nm,c=3.14nm,空间群为Iba2或Ibam。温度升高,T1相转变为含有大量错排的A心正交Ni10Zr2相,用1/2(a+b)位移错排模型可以圆满地解释其电子衍射图中仅h+k为奇数的衍射斑沿c*方向拉长的现象,晶化稳定相为Ni10Zr,与Ni21Zr8(Ni5Zr2)相。
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采用化学镀的方法在363K和p型Si(100)衬底上制得非晶Ni88P12合金薄膜.利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描隧道显微镜和原子力显微镜对非晶合金薄膜及其经处理后形成的氧化态、还原态和晶态的结构、组分和表面的形貌特征作了研究,并对它的晶化行为作了初步探讨.结果表明,非晶合金薄膜是由纳米级微粒聚集成微米级颗粒组成;在低于晶化温度条件下经氧化和还原处理后的薄膜表面晶化;在晶化过程中,合金薄膜的非晶纳米微粒转变为微晶后长大成晶粒,其表面结构光滑平坦,几何边界
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应用小角X射线散射技术研究了Cu60Zr30Ti10非晶合金从300到813 K之间微结构的演化情况.发现在淬火状态下Cu60Zr30Ti10非晶合金中存在直径30 nm左右的富Cu区.非晶的结构弛豫包括573 K之前的低温结构弛豫和573 K到玻璃转变温度的高温结构弛豫,弛豫的结果是产生含有有序原子团簇的富Cu区,这些有序原子团簇的富Cu区是随后晶化过程中晶核产生的基础.Porod曲线分析表明,晶化生成的纳米体心立方CuZr相和基体之间有明锐的界面.
关键词:
小角X射线散射
非晶合金
结构弛豫
晶化 相似文献
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用透射电子显微镜对Ni51Zr49非晶合金的晶化过程进行了研究,发现晶化初期首先从非晶基体上析出的是具有C心单斜点阵的NiZr'相,a=0.3268nm,b=0.4101nm,c=0.5224nm,β=71.8°。与稳定相NiZr有很明确的取向关系:[100]NiZr'∥[100]NiZr [001]NiZr'∥[110]NiZr。它可以看成是NiZr相的亚稳态或超结构。随温度升高,逐渐转变成NiZr相。温度再高时,在非晶基体上还会析出少量Ni10Zr7相。晶化初期,无论是NiZr还是NiZr'相,都是以多次孪晶的形式析出。孪晶有这两种基本形式,一种是以NiZr或NiZr'的[021]方向为轴的180°孪晶,一种是以NiZr的[001]或NiZr'的[010]方向为轴的36°旋转孪晶,其它孪晶为这两种孪晶方式的重复与组合。随着温度的升高,孪晶逐渐减少。
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利用透射电子显微镜对Ni_(67)Zr_(33)非晶合金晶化的研究发现了两个新的亚稳相T_0与T_10。其中T_1相为体心正交(准四方〕晶体,点阵常数a≌b=0.89nm,c=3.14nm,空间群为Iba2或Ibam。温度升高,T_1相转变为含有大量错排的A心正交Ni_(10)Zr_2相,用1/2(a b)位移错排模型可以圆满地解释其电子衍射图中仅h k为奇数的衍射斑沿c~*方向拉长的现象,晶化稳定相为Ni_(10)Zr,与Ni_(21)Zr_8(Ni_5Zr_2)相。 相似文献
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本文研究了Pd40Ni40P20块状非晶在4 GPa及常压下的晶化过程。得到了时间-温度转变图。结果表明:高压下样品的晶化温度明显升高,压力对原子的长程扩散及相分离熔体的粘性流动均有抑制作用。在接近熔点进行高压退火时,获得了单相过饱和固溶体。其晶体结构为面心立方。 相似文献
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本文研究了Fe40Ni40P12B8非晶合金冲击波加载下的晶化行为,冲击波由二级轻气炮发射的告诉弹丸撞击靶产生。实验结果表明:Fe40Ni40P12B8非晶合金在冲击波加载下,晶化可在加载时间(微秒量级)内发生;晶化的阈值压力在30~50 GPa之间,相应的冲击温度约为510~800 K,晶化析出相与冲击压力有关,低压下析出相是面心立方γ-(Fe, Ni)固溶体和Fe3(P0.37B0.63)化合物,高压下(大于60 GPa)析出相除了面心立方γ-(Fe, Ni)固溶体和Fe3(P0.37B0.63)化合物之外,还包括(Fe, Ni)3P化合物。 相似文献
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通过等温示差扫描量热法研究了Zr60Al15Ni25大块非 晶合金的晶化动力学.实验结果表明,晶化过程的孕育期很短,即使在743 K这样低的温度下也不过0.52 min,而放热峰宽(反应整个晶化过程进行的时间)却随退火温度的降低明显增大,这说明了结晶过程是一个晶核长大控制的过程.Avrami指数表明在不同的退火温度,该合金的晶化机制发生了变化.晶化机制的变化是由于合金原子在不同温度下的扩散能力相差很大所致.
关键词:
晶化动力学
60Al15Ni25大块非晶合金')" href="#">Zr60Al15Ni25大块非晶合金
示差扫 描量热法(DSC) 相似文献
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对非晶合金Fe78Si9B13进行了超短脉冲电流处理,实现了晶化时α-Fe(Si)单相结构析出.可以认为,脉冲电流作用时,电子运动与非晶中空位型结构缺陷间的周期性排斥效应促进了类金属原子从非晶结构单元中析出,使Fe(Si)原子局部富集,导致基体金属相在较低温度下优先成核.而在空位的定向迁移的同时,将伴随B原子的扩散,则B原子局域富集,Fe-B化合物的形核析出就要受到这两个因素的抑制
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