正偏离Bragg定律的二元化合物靶中离子射程参数研究

研究了正偏离Bragg定律,即计算S_e(E)值高于实测S_e(E)的二元系化合物靶的离子射程特性。文中应用“regular”观点引入了“双原子模型”,在二元化合物靶的射程计算中,不仅考虑相同“原子对”对离子的阻止本领S₁₁(E),S₂₂(E),而且考虑不同“原子对”对离子的阻止本领S₁₂(E),S₂₁(E)。文中还应用Berthelot关系,使S₁₂(E)=S₂₁(E)=(S₁₁(E)·S₂₂(E))^1/2,则二元系靶的阻止本领及总的射程为NS(E)=1/2[(N₁S₁₁(E))^1/2+(N₂S₂₂(E)^1/2)]², R=4/a[x-A₁(arctg(2x+f)/△^1/2-arctg(f/△^1/2))-B₁(ln(x+g)²/g²·e/(x²+fx+e)) -b/2 ln(x²+fx+e/e)。这里X=E^1/2,E为离子注入能量,所有其它常数是与离子和靶的质量、原子序数有关的常数。结合文献[1]提出的R与R_p,R_p与△R_p的关系式,可计算得正偏离系统的投影射程R_p及其偏差量△R_p。并对各关系式的物理意义作了阐明。 关键词：     

微通道板离子壁垒膜及其对入射离子的阻止作用

给出了三代微光像管中微通道板离子壁垒膜对入射正离子阻止作用的描述,引进了核阻止本领、电子阻止本领和平均射程的概念。结合Tomas-Fermi屏蔽势进行了分析讨论和Monte-Carlo模拟计算,给出Al₂O₃和SiO₂薄膜对不同能量垂直入射时的核、电子阻止的定量结果。得出了Al₂O₃薄膜阻止本领比SiO₂阻止本领高的结论。证实了选用Al₂O₃离子壁垒膜的科学性和可行性。     

电子阻止本领Se(E)的z振荡及其计算

本文应用Hartree-Fock-Slater势能代替Thomas-Fermi势能,得出电子阻止本领S_e(E)的归一化关系式;同时,结合有效原子序数概念,得出能量对S_e(E)影响的关系式,利用前一关系式,定量计算了S_e(E)随离子和靶原子的原子序数z变化的振荡关系,计算结果与实验值相当符合,利用后一关系式,定量计算了多种离子-靶体系的S_e(E),与文献[1]的关系式比较,本文结果更好地符合实验值,而且有更广的能量适用范 关键词：     

强耦合简并电子气中离子阻止本领和能量离散的数值计算

利用局域场修正的介电函数,研究了注入离子在强耦合简并电子气中的阻止本领和能量离散。数值结果表明在低速和高r_s值情况下,局域场修正使得阻止本领和能量离散明显地增加。     

超高温度系数V0.97W0.03 O2多晶薄膜的制备研究

将V₂O₅粉体与WO₃粉体均匀混合并压制成靶，用离子束增强沉积加后退火技术在SiO₂衬底上制备掺钨VO₂多晶薄膜.X射线衍射表明，薄膜取向单一，为VO₂结构的［002］相,晶格参数d比VO₂粉晶增大约0.34%；薄膜从半导体相向金属相转变的相变温度约28；室温(300 K)时的电阻-温度系数(TCR)可大于10%/K，是目前红外热成像薄膜TCR的四倍.W离子的半径大于V离子的半径，W的掺入在薄膜中引入了张应力,使薄膜相变温度降低到室温附近，是IBED V_0.97W_0.03O₂薄膜的室温电阻温度系数提高的原因. 关键词： 二氧化钒薄膜 薄膜掺杂 离子束增强沉积     

C-15结构(Hf,Zr,Ta)V2和(Hf,Zr,Nb)V2合金超导转变的压力效应研究

本文研究了C-15结构化合物(Zr_0.5Hf_0.5-xTa_x)V₂(x≤0.2)和(Hf_0.5Zr_0.5-xNb_x)V₂(x≤0.2)的超导转变温度T_c及其压力效应?T_c/?P。报道了实验方法与结果。与(Hf_1-xTa_x)V₂和(Zr_1-xTa_x)V₂的情况不同,在(Zr_0.5Hf_0.5-xTa_x)V₂中Ta的引入使常压下的T_c下降,然而(?)T_c/(?)P却大为提高。因此高压下Zr_0.5Hf_0.45Ta_0.05V₂的T_c反而比Hf_0.5Zr_0.5V₂更高。导出了一个基于角动量分波表象能带论方法的描述压力效应的新关系式。它指出导带电子波函数中的高角动量成分变化对T_c的压力效应影响比较重要。这个公式有助于理解上述复杂的实验现象,并能合理地解释某些元素(如Cs,Ba,La等)的T_c随压力剧增的事实。 关键词：     

高价离子对层状结构阴极的插入研究

研究了高价Mg²⁺,Zn²⁺等离子对层状结构阴极如V₂O₅,MoS₂,等的固态电化学插入。用X射线衍射(XRD),电子探针微区分析(EMP),电子自旋共振(ESR)和X射线光电子能谱(XPS)等物理方法研究了相应高价离子对层状阴极插入引起的相变及其插入化合物,对高价离子的插入机理进行了探讨。 关键词：     

铁磁/反铁磁双层膜中冷却场对交换偏置场的影响

用铁磁畴壁模型研究了非补偿界面铁磁/反铁磁双层膜中冷却场（包括大小及其方向）对交换偏置场h_E的影响.结果表明：当冷却场的方向与反铁磁层磁易轴一致时,h_E大小与冷却场大小无关.当冷却场的方向偏离磁易轴时,h_E的大小随偏离角度的增大有缓慢的改变,但当冷却场的方向偏离到临界角度γ_c处,h_E的大小发生突变,其γ_c的大小随冷却场的增大而增大.特别是当冷却场的偏离角度大于γ_c后,h_E出现由负转正的现象,其转变点还与冷却场的大小有关.另外,h_E与铁磁层原子层数N_F的关系会发生由h_E∝N^-1_F向h_E∝N^-λ_F的转变,其中λ>1.其发生转变的条件与N_F、冷却场大小和方向密切相关. 关键词： 铁磁/反铁磁双层膜 交换偏置 冷却场     

化合物和合金中离子投影射程分布矩的计算(Ⅱ)——轻离子(Z1≤10)的射程分布矩

本文根据离子在固体材料中电子阻止截面的实验资料,给出了低能Li⁺,Be⁺,B⁺,C⁺,N⁺,O⁺,F⁺,Ne⁺等离子在固体中电子阻止截面S_e的经验公式。这些经验公式既能够很好地反映电子阻止本领的Z₁和Z₂振荡、又能正确地给出S_e随离子能量E的变化关系。用这种以实验为基础的S_e经验公式和符合于WHB势的核散射函数,计数了从H⁺到Ne⁺十种轻离子在非晶Al₂O₃,SiO₂,20/25/Nb不锈钢,LiNbO₃和UO₂等材料中的投影射程分布的一次至三次矩。将计算值与近几年的实验测量及其他人的计算结果进行了比较,在低能端,我们计算的平均投影射程R_p与实验符合得更好。 关键词：     

氧化钒薄膜的微结构及阻变特性研究

采用射频反应溅射法于室温下在Cu/Ti/SiO₂/Si基底上制备了氧化钒薄膜. X-射线衍射、X射线光电子能谱分析仪及原子力显微镜结果表明, 室温下制备的氧化钒薄膜除微弱的V₂O₅ (101)和V₂O₃ (110)峰外, 没有明显的结晶取向, 是VO₂, V₂O₅, V₂O₃及VO的混合相薄膜, 且薄膜表面颗粒大小均匀, 表面均方根粗糙度约为1 nm. 采用半导体参数分析仪对薄膜的电开关特性进行测试. 结果表明薄膜具有较低的开关电压(V_Set<1 V, V_Reset<-0.5 V), 并且具有稳定的可逆开关特性. 薄膜从低阻态转变为高阻态的电流(I_Reset)随限流的增大而增大.通过高低阻态时I-V对数曲线的拟合(高阻态斜率>1, 低阻态斜率=1), 认为Cu离子在薄膜中扩散形成的导电细丝是该体系发生电阻转变的主要机制. 关键词： 氧化钒薄膜 电阻开关 电阻式非挥发存储器 导电细丝     

离子有限拉摩半径效应对低频漂移波本征模的影响

本文指出,对于S_y≡k_y²ρ_i²≥1的短波模,通常所用的漂移波本征方程是不自洽的,由此而得出“普适模是稳定的”结论也是不恰当的。我们在弱剪切条件(L_s/r_n>>[2T_im_i/Tm_e]^1/2)下导出了适合S_y≥1的方程,并讨论了其近似表式。在最低级近似下(主要是忽略k′ρ_i²项),证明了不存在γ≥0的不稳定模式。考虑一级修正项后,尚不能得出确定的结论。 关键词：     

电子回旋共振等离子体特性及其对生长氮化镓晶膜的影响

为了解并优化在电子回旋共振等离子体辅助化学汽相沉积GaN晶膜的工艺研究中的等离子体特性,利用朗缪尔探针及法拉第筒系统地测量了离子密度(N_i)、等离子体势(V_p)、电子温度(T_e)及离子流强(J_i)等多个等离子体参量随微波功率(P_w)及沉膜室气压(p)变化的关系.给出了在P_w＝850W,p＝0.22Pa时,上述等离子体参量的轴向及径向分布.GaN晶膜的生长速率、电学及晶体学性能 关键词：     

流体静压力对锗隧道二极管伏安特性的影响

本文报导了在流体静压力18000kg/cm²的范围内,锗隧道二极管伏安特性随压力变化的实验结果。测量了十六只锗隧道二极管的峯值电流I_P、峯值电压V_P、谷值电流I_V、谷值电压V_V、指数过剩电流I_X和反向隧道电流等参数与流体静压力的关系。结果表明:峯值电流I_P相对于压力的半对数作图为斜率不同的二段下降直线,在5000—9000kg/cm²范围内有转折点;峯值电压随压力改变较小;在误差范围内谷值电压不随压力而改变。对于大部分被测管子,谷值电流与压力的关系类似于峯值电流与压力的关系;随着压力的增加,指数过剩电流区向高偏压方向移动。讨论了峯值电流及指数过剩电流随压力变化的规律和其他结果。认为转折点的存在是表明隧道跃迁机构的改变;由指数过剩电流区固定电流值测偏压随压力改变,求得禁带宽度的压力系数与其他方法获得的结果很好符合。     

Electrical charging of non-conductors in a photoelectron spectrometer; effect of X-ray source voltage

The electrical charging on samples of gadolinium trifluoride, sodium fluoride and fused silica, has been investigated as a function of the voltage in the X-ray source of a photoelectron spectrometer. The results can be expressed in the form,E_c = d + c(V – V₀) + a(1 - e^{?b(V – V₀)}) an equation which expresses the linear dependence of the intensity of the photoelectrons on X-ray intensity and the dependence of the low energy electrons as that corresponding to the equivalent electrical circuit consisting of an emf, a capacitor, and a resistor. With gadolinium trifluoride and sodium fluoride, both of which have a relatively high photoconversion, the electrical potential is positive for all voltages. With fused silica, which has a relatively low photoemission, the electrical potential is negative for the lower voltages. Relative to an assumed value of 83.8 eV for the binding energy for Au(4f_{$\text{7}\text{2}$}) of gold deposited on NaF and GdF₃, the charge corrected values for F(1s) and the Gd(4f_{$\text{sol7}\text{2}$}) orbital binding energies are determined to be 684.57 ± .07 and 10.1 eV, respectively.     

标定X射线粉末照相指数的新图解法,推广于正交晶系与单斜晶系

本文叙述了X射线粉末照相指数的新图解法在正交晶系与单斜晶系中的应用。由于在这两个晶系中所须确定的原始参量多于2,所以不可能像在四方晶系或六角晶系的情形,一次用图解法在平面上求得晶胞的所有初基参量。本文分析了正交晶系与单斜晶系的一些特殊情形,可用新图解法对粉末照相上一些特殊情形下的衍射线指数进行标定。为方便起见,图解法是尽量用线坐标进行的。     

关于晶体管最高振荡频率有关因素的测量分析

本文讨论了晶体管最高振荡频率有关因素的一种测量分析方法。利用在基极和集电极迴路中串入外加串联电阻后测量最高振荡频率的变动,可以同时获得晶体管共发射极短路电流放大零增益频率f_T、基极电阻γ_b、集电极电容C_c以及本征的特性频率f_Td。讨论了当基极层厚度调制作用所致的集电极电导起作用时的分析方法。最后分析了漂移晶体管最高振荡频率与晶体管外部参数的关系,结果说明,上述方法在考虑了适应于漂移晶体管的修正步骤后,除同样能得到f_Td、γ_b、C_c等有关参数外,还可以分析得出漂移晶体管基极层中的漂移电场强度。     

Electronic structure and energies of interatomic bonds in the TiSi<Subscript>2</Subscript> compound with a <Emphasis Type="Italic">C</Emphasis>49 crystal structure

Full-electron calculations of the electronic structure of the TiSi₂ compound in the structural modification C49 are performed using the augmented-plane-wave method. The total energy, the electronic band structure, and the density of states are calculated for an extended translational unit cell Ti₄Si₈, which is formed during the growth of a silicon nanowire on a p-Si substrate. Calculations are also carried out for two orthorhombic unit cells of the nonstoichiometric compositions Ti₃Si₉ and Ti₅Si₇. The energies of the interatomic bonds are determined to be E _Si-Si = 1.8 eV, E _Ti-Ti = 2.29 eV, and E _Ti-Si = 4.47 eV. The dependence of the total energy of the unit cell E _tot(V) on the unit cell volume V is obtained by optimizing the unit cell volume. The bulk modulus B ₀ = 132 GPa is determined from the Murnaghan equation of state for solids and the dependence E _tot (V). This value of the bulk modulus is used to estimate the activation energy for interstitial diffusion of silicon atoms Q _i(Si) ≈ 0.8 eV.     

Diffusion activation energy versus the favourable energy in two-order-parameter model:A molecular dynamics study of liquid Al

In the present work, we find that both diffusion activation energy E_a(D) and E_a(S^ex) increase linearly with pressure and have the same slope (0.022±0.001 eV/GPa) for liquid Al. The temperature and pressure dependence of excess entropy is well fitted by the expression -S^ex(T,P)/k_B=a(P)+b(P)T+c(P)exp(E_f/k_BT), which together with the small ratio of E_f/k_BT leads to the relationship of excess entropy to temperature and pressure, i.e. S^ex≈-cE_f/T, where c is about 12 and E_f (=Δ E-PΔV) is the favourable energy. Therefore, there exists a simple relation between E_a(S^ex) and E_f, i.e. E_a(S^ex)≈cE_f.     

On the determination of the effective barrier in heavy ion collisions

We give a simple method to obtain the effective barrier V_e between two colliding heavy nuclei based on the fact that, for a given incident energy E, the rainbow angle is determined mainly by the ratio E/V_e and only to a small extent by the potential shape and parameters.     

Negative-parity bands in the 88-neutron nuclei153Tb and155Ho

Bands of negative-parity levels have been observed in in-beam studies of¹⁵³Tb and¹⁵⁵Ho. The data are qualitatively accounted for in the rotation-alignment model as decoupled bands based on the h_11/2 proton orbital. Nuclear Reactions:¹⁵³Eu(α, 4nγ)¹⁵³Tb,E=45–55 MeV;¹⁵⁰Sm(¹⁰B, 5nγ)¹⁵⁵Ho,E=60–70 MeV; measuredE _γ,I _γ (0), γ ? γ coinc.,E _e, I _e ^K ,¹⁵³Tb and¹⁵⁵Ho deduced levels,J, π. Ge(Li) and Si(Li) detectors. Enriched targets.