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本文给出一个包含逃逸过程的正电子位错捕获模型,附带讨论割阶通过位错捕获正电子的温度依赖性,并找出正电子主要湮没在位错线上的起始温度. 相似文献
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在80K-400K的温区内测量了Y1-xrxBa2CU3O7-δ体系 电子寿命的温度依赖关系,YBa2Cu3O7-δ样品,正电子平均寿命具有明显的温度依赖性;随着Pr的掺入,温度依赖性 ,以致于PrBa2Cu3O7-δ体系的正电子平均寿命不再随温度变化,正电子寿命的温度依赖性可用正电子浅捕获理论加以解释,并由实验数据拟合得出了浅捕获中心的正电子束缚能,文中还讨论了该体系中正电子清捕获中心所对应的缺 相似文献
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分别研究了823 K淬火处理和20%形变量的Al-4%Ag低温下Ag析出物对正电子的捕获行为的变化。采用正电子湮没寿命谱(PALS)技术和符合多普勒展宽能谱(CDBS)在温度范围10~293 K内对其进行表征。多普勒展宽能谱结果表明2种样品中均存在Ag析出物。正电子寿命谱的解谱结果中的各组分给出了Ag析出物随测量温度的变化规律。在170 ~273 K之间,正电子湮没行为具有较强的温度依赖性。但对于两个具有不同类型缺陷的样品,在低于170 K时观察到样品中Ag析出物捕获正电子能力出现了差异。随着测量温度的降低,淬火样品中的Ag析出物的正电子寿命和强度基本不变。在低于170 K的测量中,形变样品中的Ag析出物对正电子的捕获能力仍旧存在着较强的温度依赖性,但是变化幅度在逐渐减弱。当测量温度提升到室温(273~293 K),越来越多的正电子从Ag析出物中逃逸,逐渐回到自由状态或被其他深陷阱所捕获,失去了对温度的依赖性。 相似文献
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用正电子湮没寿命测量研究了在3.2×1017cm-2和3.6×1016cm-2质子辐照硅单晶中的正电子捕获,观测到辐照诱导的捕获正电子的缺陷主要是双空位,辐照过程中高剂量样品的双空位基本上都捕获了氢,低剂量样品还有一小部分未捕获氢,在高剂量样品的两轮和低剂量样品的第一轮升温测量中都观测到双空位进一步捕获氢,含氢双空位的荷电态随温度升高在145K附近发生由负荷电向中性转变,它的负荷电态正电子寿命比中性态正电子寿命长,无论
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在120K至470K的温区内,测量了脉冲激光沉积YBa2CuO7-x薄膜的正电子寿命的温度依赖关系.实验结果表明,除块材中存在的正电子深捕获中心外,超导外延膜中还存在大量块材中缺乏的正电子浅捕获中心;低温下,深捕获中心所对应的缺陷有可能扩展成为有效的磁通钉扎中心.浅捕获中心对正电子的束缚能为27meV. 相似文献
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在30—150K温度范围内,测量了高纯凝聚态甲烷中的正电子寿命谱随温度的变化。在固态甲烷中,正电子素(简称Ps)在自由体积中形成,形成率为27%。正-正电子素(其符号为o-Ps)的寿命随温度变化的特征可用o-Ps在热激活空位型缺陷中的捕获来说明,且由Ps捕获模型和实验测得的o-Ps寿命求得缺陷激活能Ea=0.10±0.02eV。在液态甲烷中,Ps形成率高达36%,且o-Ps寿命长达5—7ns,这表明液态甲烷中形成了Ps气泡态。我们用经验公式估算了这种气泡的尺寸及其微观表面张力。
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用单能慢正电子束和 X 射线衍射方法研究了 Al/n-GaSb 金属半导体异质结在不同温度退火的情况下的演变.采用三层模型既 Al/界面/GaSb 对 S-E 实验数据进行拟合.结果发现在未退火样品的 Al 和 GaSb 之间存在一个厚度大约5nm 的界面层.在经过400℃退火后,该界面厚度增加到约400nm,且 S 参数下降.这可能是由于在退火过程中,界面区域的原子在界面处相互扩散所引起的.Al 膜的 S_(Al)参数降低且效扩散长度 L_(Al)增加,说明 Al 膜内的空位缺陷经过退火被消除且进行结构重整,晶格结构不断变好的结果.衬底 GaSb 的 S_B 参数和有效扩散长度 L_B 的演变表明,经过250℃退火后,原有的正电子捕获中心消失:但是经进一步400℃退火,又产生了新的正电子捕获中心.这可能来源于其他类型的与 V_(Ga)相关缺陷的正电子捕获以及 Ga_(Sb)晶格反位引起的正电子浅捕获.X 射线衔射的测量结果证实了正电子方法的结论. 相似文献
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本文提出一个适用于可以忽略逃逸作用,包括位错和割阶捕获的正电子多态捕获模型.着重讨论了以位错捕获为主的情况和位错心与单空位之间的开空间比,并估算出正电子在位错心上的湮没率以及位错线上的割阶间距. 相似文献
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用正电子寿命技术研究了高温超导外延薄膜YBa2Cu3O7-x中空位型缺陷的性质.结果表明,空位缺陷的类型与沉积条件无关,缺陷浓度随空气分压的增加或衬底温度的降低而增加.正电子平均寿命的温度依赖关系测量结果指出,当温度在室温以上时,几乎所有的正电子都逃逸出浅捕获中心;当温度高于375K时,必须考虑其退火效应. 相似文献
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基于捕获的新型正电子束及应用 总被引:1,自引:1,他引:0
基于捕获的新型正电子束技术是通过潘宁阱中捕获、约束和积累正电子而发展的新一代正电子束技术。本文介绍正电子的捕获、冷却,压缩技术,基于捕获的正电子束形成技术,以及该技术将来发展展望,最后讨论该技术在原子物理学和材料科学等多个领域的应用。 相似文献